C30B 7/00 — Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов

Номер патента: U 6573

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Шут Виктор Николаевич, Кашевич Ирина Федоровна, Мозжаров Сергей Евгеньевич

МПК: C30B 7/00, C30B 35/00

Метки: кристаллов, устройство, выращивания

Текст:

...механизм погружения кристаллодержателя с прикрепленным к нему кристаллом в раствор и перемещения кристаллодержателя по кругу в горизонтальной плоскости, а сосуд с кристаллизующейся жидкостью выполнен в виде емкости, разделенной перегородками на четыре отдельных секции, попарно заполненные различной по составу кристаллизующейся жидкостью. Программное управление обеспечивает движение кристаллодержателя по определенному алгоритму. Сущность...

Номер патента: U 5048

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Мозжаров Сергей Евгеньевич, Шут Виктор Николаевич

МПК: C30B 7/00, C30B 35/00

Метки: кристаллов, выращивания, устройство

Текст:

...направлена полезная модель, является создание устройства для выращивания кристаллов, обеспечивающего возможность выращивания из раствора кристаллов с закономерно неоднородным составом. Причем закон распределения примеси может быть определен заранее и изменен (при необходимости) во время роста кристалла, что предопределяет расширение технических возможностей устройства. Поставленная техническая задача решается тем, что при использовании...

Номер патента: 11436

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Лугинец Александр Михайлович, Каланда Николай Александрович, Кравцов Андрей Валерьевич, Колесова Ирина Михайловна, Гурецкий Сергей Арсеньевич

МПК: C30B 9/00, C30B 7/00, C30B 15/00...

Метки: y3al5o12:nd3+, пленки, способ, выращивания, монокристаллической

Текст:

...поэтапное наплавление раствора-расплава с его последующим гомогенизированием при 1250-1300 С. Монокристаллическую затравку из 3 А 5 О 12 опускают в тигель до ее касания поверхности нагретого раствора-расплава при 945-1020 С, содержащего оксиды РО, ВаО, 2 О 3 и А 2 О 3 на основе растворителя Р/В 2 О 3 в соотношении 11/1 моль/моль и кристаллообразующих А 2 О 3/2 О 3 в соотношении, находящемся в диапазоне 1-1,6 моль/моль. Подложку реверсивно...