C23C 16/24 — осаждение только кремния

Номер патента: 8758

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Шкуратов Александр Георгиевич, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/365, C23C 16/24

Метки: формирования, способ, кремния, слоев, поликристаллического

Текст:

...то обеспечивается термическая однородность. Осаждение поликремния осуществляется только после вывода реактора на второй уровень температуры, чем обеспечивается минимальный разброс температуры как вдоль реактора, так и по поверхности пластин и, следовательно, повышается стабильность и воспроизводимость процесса осаждения по толщине слоя поликристаллического кремния. При высокой скорости подъема температуры (более 9 С/мин) термическая...