C23C 16/24 — осаждение только кремния

Номер патента: 8758

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Шкуратов Александр Георгиевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: C23C 16/24, H01L 21/365

Метки: кремния, слоев, способ, поликристаллического, формирования

Текст:

...то обеспечивается термическая однородность. Осаждение поликремния осуществляется только после вывода реактора на второй уровень температуры, чем обеспечивается минимальный разброс температуры как вдоль реактора, так и по поверхности пластин и, следовательно, повышается стабильность и воспроизводимость процесса осаждения по толщине слоя поликристаллического кремния. При высокой скорости подъема температуры (более 9 С/мин) термическая...