C23C 14/16 — на металлическую подложку или на подложку из бора или кремния

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Подковщиков Николай Николаевич

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: формирования, обратной, кристалла, способ, прибора, полупроводникового, стороны, металлизации

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: обратной, металлизация, стороны, прибора, полупроводникового, кристалла

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: способ, кристалла, прибора, присоединения, кремниевого, кристаллодержателю, полупроводникового

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Номер патента: 16839

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Стельмах Вячеслав Фомич, Турцевич Аркадий Степанович, Маркевич Мария Ивановна, Адашкевич Сергей Владимирович, Колос Владимир Владимирович, Чапланов Аркадий Михайлович

МПК: H01L 21/02, C23C 14/16

Метки: дисилицида, способ, кремниевой, пленки, формирования, подложке, титана

Текст:

...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...

Номер патента: 12984

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Тарусов Игорь Николаевич, Мойсейчик Анатолий Николаевич, Андреев Михаил Анатольевич, Маркова Людмила Владимировна

МПК: C23C 14/16

Метки: способ, формирования, покрытия, триботехническими, свойствами

Текст:

...с учетом материала, из которого изготовлена деталь, подлежащая обработке. Например, если деталь изготовлена из титанового сплава, то основу порошковой мишени составляет титан или его сплав и т.п. Таким образом, реализуется высокая адгезия твердосмазочного покрытия к поверхности детали, что обеспечивает ее длительную эксплуатацию. Сущность способа поясняется примером. Для выделения влияния добавки дисульфида молибдена в мишень для распыления...

Номер патента: 5421

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Садхиндра Бхарат САНТ, Лэрри Рой МОРРИС, Кашмир Сингх ДЖИЛЛ, Прасад Шрикришна АПТЕ, Родерик Джон ПРИХТ, Катрин Лаури МАКИНТОШ, Роберт Эдвард БАРРЕЛЛ

МПК: A01N 59/16, A61L 31/08, C23C 14/14...

Метки: материала, антимикробного, получения, тонкозернистый, способ, антимикробный, материал

Текст:

...по п. 21, отличающийся тем, что величина отношения температуры его рекристаллизации к температуре его плавления, в градусах Кельвина (Т рек./Т пп.), составляет менее 0,3.23. Материал по п. 21, отличающийся тем, что имеет температуру рекристаллизации менее 140 С.24. Материал по п. 23, отличающийся тем, что имеет размер частиц менее 200 нм.25. Материал по п. 23, отличающийся тем, что имеет размер частиц менее 140 нм.26. Материал по п. 23,...