Блынский Виктор Иванович

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18438

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Малышев Сергей Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Чиж Александр Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Блынский Виктор Иванович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...с одинаковым шагом, образующие с подложкой омический контакт, причем упомянутые локальные области выполнены с шириной в области эпитаксиального слоя, большей 2 мкм, и высотой, большей 0,1 толщины эпитаксиального слоя, но меньшей глубины залегания перехода охранного кольца. Барьерный электрод может быть сформирован в выемке глубиной от 0,1 до 0,3 мкм,выполненной в эпитаксиальном слое, что позволит улучшить чистоту границы раздела...

Фотоприемник

Загрузка...

Номер патента: U 8532

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Малышев Сергей Александрович, Блынский Виктор Иванович

МПК: H01L 27/15

Метки: фотоприемник

Текст:

...- переход, а один из фоточувствительных - переходов закрыт фильтром, блокирующим видимое излучение, на диэлектрике, поверх области не закрытой фильтром фоточувствительного - перехода, сформирован экран,частично закрывающийобласть таким образом, что выполняется соотношение 1 12(1 - 2) ,(1) где 1 - коэффициент отражения ИК излучения от поверхности диэлектрика надобластью фоточувствительного - перехода без фильтра 2...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 16184

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Блынский Виктор Иванович, Василевский Юрий Георгиевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Малышев Сергей Александрович, Чиж Александр Леонидович, Голубев Николай Федорович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...электрических импульсов за счет того, что выделение тепла в точках локального пробоя (приводящее к необратимым изменениям в полупроводнике и выходу из строя диода Шоттки или ухудшению его параметров) происходит одновременно во многих точках ОПЗ, распределенных по его объему, что уменьшает их локальный перегрев и обуславливает лучшие условия теплоотвода. Сущность изобретения поясняется на фигуре, где 1 - полупроводниковая подложка 2 -...

Фотодиод

Загрузка...

Номер патента: U 7483

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Цымбал Владимир Сергеевич, Лемешевская Алла Михайловна, Блынский Виктор Иванович, Голуб Елена Степановна

МПК: H01L 21/00

Метки: фотодиод

Текст:

...точек их генерации до области полупроводника с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки. Большая глубина рельефа перехода позволяет увеличить чувствительность фотодиода не только к фиолетовому и голубому, но и к зеленому свету. Сущность полезной модели поясняется фигурами, где 1 - подложка,2 - первая область,3 - вторая область,4 - локальная область,5 - область пространственного заряда - перехода,6 - охранное кольцо,7 -...

Фоточувствительная интегральная схема

Загрузка...

Номер патента: U 7262

Опубликовано: 30.04.2011

Автор: Блынский Виктор Иванович

МПК: H01L 21/00

Метки: схема, фоточувствительная, интегральная

Текст:

...случае расстояние от фоточувствительной поверхности фотоприемника до легированной золотом области должно равняться этой величине. На большей глубине поглощается в основном ИК-излучение. Вследствие большого коэффициента диффузии золота, легированная золотом область не имеет четкой границы. Поэтому при ширине легированной золотом области, большей ширины фотоприемника в случае, если легированная золотом область примыкает к переходу...