Баранов Валентин Владимирович

Номер патента: 14404

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Беляева Ада Казимировна, Паращук Валентин Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Рябцев Геннадий Иванович, Телеш Евгений Владимирович

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00, H01S 3/04...

Метки: основания, лазерных, изготовления, теплоотводящего, структур, способ, алмазного, диодных

Текст:

...и температуре. Кристаллы вырезались по плоской сетке куба усеченного октаэдра и имели размеры 1,51,50,3 мм. Полировкаосуществлялась с доведением шероховатости поверхности до значений 2,8-12,8 нм. Использовались и природные алмазные образцы, а также поликристалличе 3 14404 1 2011.06.30 ские синтетические алмазные основания, выращенные модифицированным -методом(, напыление путем химической газотранспортной реакции), с размерами 122,50,3 мм, а...

Номер патента: 11811

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Баранов Валентин Владимирович, Сякерский Валентин Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 49/02, H01L 29/00

Метки: кремниевой, микросхемы, интегральной, резистор, интегральный, тонкопленочный

Текст:

...сплава с низкотемпературным оксидом кремния. Формирование между резистивным слоем и межуровневым слоем диэлектрика слоя пентаоксида тантала толщиной 0,07-0,40 мкм, площадью, по меньшей мере,равной занимаемой резистивной пленкой, позволяет исключить взаимодействие резистивной пленки с материалом подложки и тем самым повысить надежность и стабильность параметров ИТР при термических воздействиях. При толщине слоя пентаоксида тантала менее...

Номер патента: 9957

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Баранов Валентин Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 14/34, C23C 14/35

Метки: подложки, полупроводниковые, пленки, нанесения, способ, молибдена

Текст:

...подложке и ухудшению стабильности ее структуры и воспроизводимости электрофизических свойств, снижению выхода годных ИСМЭ. Мощность магнетронного разряда однозначно определяет скорость нанесения пленки,а, следовательно, ее структуру и электрофизические свойства. При мощности распыления менее 0,7 кВт наблюдается увеличение растягивающих механических напряжений, что приводит к ухудшению адгезии пленок, а, следовательно, стабильности их...

Номер патента: 8380

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Баранов Валентин Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Тарасиков Михаил Васильевич, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...раскислять естественный 2 с образованием проводящих оксидов рения, стабилизирующих границу раздела. Кроме того, сплав - обладает по сравнению сболее высокой прочностью при сохранении относительно высокой пластичности 5. 3 8380 1 2006.08.30 Слой титана в многослойном электроде толщиной 0,07-0,15 мкм является адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминийкремний, во-вторых структура / устойчива к...

Номер патента: 8310

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Баранов Валентин Владимирович, Тхостов Михаил Хаджи-Муратович, Бурский Вячеслав Александрович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: F24C 7/04, H05B 3/40

Метки: электрический, излучательный, обогреватель

Текст:

...С, что соответствует достаточно жестким нормам для строительных конструкций. Этому также способствует контакт элементов крепления с излучательным элементом в местах, затененных от ИК излучения, что исключает непосредственную передачу через них тепла теплоизолирующему элементу. На фигуре показана принципиальная схема предлагаемого устройства. Электрический обогреватель содержит кварцевые галогенные лампы ИК излучения 1,рефлектор 2 и...

Номер патента: 8309

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Тхостов Михаил Хаджи-Муратович, Бурский Вячеслав Александрович, Баранов Валентин Владимирович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: F24C 15/10, A47J 36/00

Метки: адаптированной, нагревательная, ёмкостью, плита

Текст:

...(Лучистый поток). 90 мощности излучения передается в спектральной области 0,95-1,2 мкм. Часть лучистого потока (приблизительно 1/2) попадает на корпус нагревателя с отражающим покрытием и 80 его отражается от его поверхности. Некоторая часть этого лучистого потока переотражается ограничителями зоны активного нагрева в направлении отражающего покрытия корпуса и вновь направляется на пластину. Т.е.36-40 энергии отраженного лучистого потока...

Номер патента: 7113

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Тарасиков Михаил Васильевич, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...процессе сборки диффундируют преимущественно в виде ионов и поэтому они оказываются связанными зарядовыми ловушками, расположенными на границе раздела диэлектрических слоев 51 О 2/Та 2 О 5. По этой причине их присутствие в обедненном слое контакта Шоттки практически исключается и дестабилизирующего действия примесей во время работы прибора не происходит.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором представлен поперечный разрез диода...

Номер патента: U 1207

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Баранов Валентин Владимирович, Зубцов Владимир Иванович

МПК: G01L 1/16

Метки: механических, напряжений, устройство, контроля

Текст:

...чему, по принципу суперпозиции волн, результирующая амплитуды упругих механических колебаний в пьезоэлементе равна сумме амплитуд колебаний, образованных обратным пьезоэффектом в результате подвода возбуждающего напряжения к кольцевой контактной площадке и прямым пьезоэффектом в результате действия измеряемых механических напряжений. Выходной сигнал, полученный под действием результирующей (суммарной) амплитуды механических колебаний...