Ануфриев Дмитрий Леонидович

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Бересневич Людмила Брониславовна, Мойсейчук Константин Леонидович, Кузик Сергей Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: источников, приборов, композиция, твердых, схем, изготовлении, получения, интегральных, бора, полупроводниковых

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Шильцев Владимир Викторович, Соловьев Ярослав Александрович, Кресло Сергей Михайлович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, акцепторных, примесей, пластины, кремниевые, полупроводниковых, силовых, способ, приборов, диффузии

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: микросхем, диффузии, интегральных, изготовлении, способ, источников, полупроводниковых, бора, приборов, твердых

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Номер патента: 10429

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: планарных, создании, источников, полупроводниковых, твердых, бора, приборов, схем, интегральных, способ, изготовления

Текст:

...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...

Номер патента: 10443

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Голубев Николай Федорович, Кузик Сергей Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: диода, шоттки, способ, изготовления

Текст:

...платины. При меньших значениях температуры термообработки и времени ее проведения не происходит полного перехода платины в силицид, что приводит к росту обратных токов, ухудшению качества и снижению выхода годных. При температуре термообработки более 575 С и времени термообработки более 60 мин наблюдаются рост обратных токов и снижение выхода годных диодов Шоттки, связанные с диффузией кислорода в слой силицида, диффузией никеля к границе...

Номер патента: 10417

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02

Метки: полупроводникового, металлизация, прибора

Текст:

...кристалла и кристаллодержателя. При суммарной толщине слоев многослойной структуры серебро-олово более 15 мкм не происходит дальнейшего улучшения качества присоединения кремниевого кристалла к подложкодержателю полупроводникового прибора, поскольку излишки расплавленного припоя выдавливаются из-под кристалла, что экономически нецелесообразно. Для обеспечения качества сборки ИСМЭ необходимо, чтобы температура плавления припоя...

Номер патента: 10510

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Жигалко Игорь Борисович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Карпов Иван Николаевич, Алиев Алигаджи Магомедович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: изготовления, мощного, транзистора, дмоп, высоковольтного, способ

Текст:

...ДМОП-транзистора по способу-прототипу, а фиг. 10-18 - по предлагаемому способу. На фиг. 1 изображено поперечное сечение после формированияэпитаксиальной структуры 1, окисного слоя 2, создания фотолитографией рисунка охранных областей-типа проводимости 3. На фиг. 2 - структура после ионного легирования бором, удаления фоторезистивной маски и разгонки внедренной примеси, где 4 - -охранная область. На фиг. 3 - структура после...

Номер патента: 10260

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Голосов Дмитрий Анатолиевич, Турцевич Аркадий Степанович, Авдеев Сергей Мартинович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Завадский Сергей Михайлович

МПК: C23C 16/00

Метки: реакторный, блок, установки, эпитаксиального, наращивания

Текст:

...реакторный блок установки эпитаксиального наращивания отличается от известного тем, что внутренняя поверхность кожухов выполнена полированной со средней шероховатостью поверхностине более 1 мкм, отражающее покрытие выполнено из алюминия или его сплавов с содержанием не более 1,5 кремния, а поверх отражающего покрытия нанесен защитный слой из оксида кремния толщиной 1-5 мкм. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных...

Номер патента: 10252

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Карпов Иван Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/00, H01L 29/66

Метки: шоттки, диод

Текст:

...счет уменьшения механических напряжений в первом барьерном слое, величина которых может превышать 1 ГПа. Никель также блокирует диффузию кислорода в силицид платины и обеспечивает формирование платиносодержащего первого барьерного слоя диода Шоттки с однородными свойствами, что, в свою очередь, приводит к снижению обратных токов, улучшению качества диодов Шоттки и повышению выхода годных. Кроме того, никель снижает высоту барьера барьерного...

Номер патента: 9957

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Баранов Валентин Владимирович, Портнов Лев Яковлевич, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: C23C 14/35, C23C 14/34

Метки: молибдена, пленки, способ, полупроводниковые, нанесения, подложки

Текст:

...подложке и ухудшению стабильности ее структуры и воспроизводимости электрофизических свойств, снижению выхода годных ИСМЭ. Мощность магнетронного разряда однозначно определяет скорость нанесения пленки,а, следовательно, ее структуру и электрофизические свойства. При мощности распыления менее 0,7 кВт наблюдается увеличение растягивающих механических напряжений, что приводит к ухудшению адгезии пленок, а, следовательно, стабильности их...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Шильцев Владимир Викторович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: диффузии, изготовления, бора, полупроводниковых, интегральных, схем, планарный, твердый, источник, приборов

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...

Номер патента: 9560

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович, Чапкович Анатолий Сергеевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: C23C 14/34

Метки: узел, катодный

Текст:

...выступов на боковой поверхности катода-мишени не обеспечивается герметичное вакуум-плотное крепление катода-мишени к водоохлаждаемому держателю. Сущность изобретения поясняется фиг. 1-4, где на фиг. 1 схематично показано магнетронное распылительное устройство (МРУ) для ионно-плазменного напыления с катодным узлом в соответствии с прототипом, на фиг. 2 схематично показано устройство мишени для катодного узла МРУ согласно прототипу, на фиг. 3...

Номер патента: 9677

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: способ, пластины, стороны, кремниевой, формирования, обратной, металлизации

Текст:

...кремний) придает буферному слою дополнительную устойчивость к процессам электромиграции и шипообразования, которые могут происходить во время пайки кристалла, а также в процессе эксплуатации ИСМЭ. Кроме того, нанесение сплавов алюминия в качестве материала буферного слоя позволяет ограничить взаимную диффузию кремния и алюминия повысить стойкость металлизации к воздействию повышенной температуры. Утонение кремниевой пластины со...

Номер патента: 9449

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/329, H01L 29/872

Метки: способ, шоттки, диода, изготовления

Текст:

...дислокаций кристаллической структуры с поверхностной плотностью порядка 108 см-2. Такая поверхность является эффективным геттерирующим слоем, оттягивающим на себя металлические примеси из объема кремниевой подложки во время высокотемпературных обработок. Последующее полирование планарной стороны подложки приводит к удалению геттерирующего слоя только с планарной стороны, что обусловливает низкую плотность дефектов кристаллической структуры в...