Патенты с меткой «жизни»

Способ диагностики инфекционного поражения легких у недоношенного ребенка с синдромом респираторного расстройства при проведении искусственной вентиляции легких на 1-2 сутки жизни

Загрузка...

Номер патента: 17827

Опубликовано: 30.12.2013

Автор: Гнедько Татьяна Васильевна

МПК: A61B 5/085

Метки: поражения, вентиляции, недоношенного, способ, синдромом, жизни, диагностики, проведении, искусственной, легких, ребенка, сутки, инфекционного, расстройства, респираторного

Текст:

...оценки показателей механики дыхания. Результат достигается в способе диагностики инфекционного поражения легких у недоношенного ребенка с синдромом респираторного расстройства при проведении искусственной вентиляции легких на 1-2 сутки жизни, заключающегося в том, что ребенку одновременно с проведением искусственной вентиляции легких регистрируют значения комплайнса и сопротивления дыхательных путей и диагностируют инфекционное...

Способ прогнозирования развития тяжелого неврологического нарушения у ребенка с постгипоксическим перинатальным поражением центральной нервной системы на первом году жизни

Загрузка...

Номер патента: 14715

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Мордовина Татьяна Григорьевна, Перковская Алла Федоровна, Вильчук Константин Устинович

МПК: A61B 5/00, G01N 33/53

Метки: прогнозирования, способ, нарушения, развития, постгипоксическим, системы, жизни, поражением, перинатальным, тяжелого, году, первом, нервной, ребенка, неврологического, центральной

Текст:

...этот способ имеет недостатки в сыворотке крови определяется уровень только одного НСБ, что не в полной мере может отразить поражение различных структурных элементов нервной ткани. К тому же уровень НСБ в сыворотке крови у новорожденного отражает только острую фазу нейродегенеративного процесса. Задачей изобретения является разработка способа, позволяющего с точностью не ниже 72 прогнозировать формирование тяжелой патологии ЦНС у детей первого...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах на эпитаксиальном кремнии

Загрузка...

Номер патента: 13719

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Гурин Павел Михайлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: неосновных, кремнии, времени, носителей, эпитаксиальном, приборах, способ, полупроводниковых, жизни, заряда, регулирования

Текст:

...С для увеличения времени жизни и потом до флюенса 11016 см-2 при температурах от -150 до 150 С для снижения времени жизни, а интенсивность пучка электронов подбирают такой, чтобы время облучения не превышало 600 и 3000 с соответственно. Способ основан на радиационно-стимулированных процессах, протекающих в облученных эпитаксиальных структурах и приводящих к улучшению характеристик приборов на основе таких структур. Так, эффект малых доз,...

Способ профилактики железодефицитной анемии у ребенка первых шести месяцев жизни

Загрузка...

Номер патента: 10665

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Вакульчик Виктор Георгиевич, Смирнова Людмила Алексеевна, Егорова Татьяна Юрьевна, Ковалева Алла Ивановна

МПК: A61K 33/26

Метки: профилактики, анемии, жизни, способ, ребенка, железодефицитной, месяцев, шести, первых

Текст:

...консультацию и стали на учет в сроке беременности 8-12 недель. Прегравидарная подготовка препаратами железа (ППЖ) не проводилась. Кроме определения гемоглобина,эритроцитов, тромбоцитов в установленные сроки у пациенток обеих групп изучались показатели сывороточного ферритина и сывороточного железа при постановке на учет(8-12 недель) и в 34-36 недель беременности. Общий анализ крови изучен у родившихся детей в первые сутки после рождения, в...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в мощных высоковольтных быстродействующих полупроводниковых приборах, изготавливаемых на базе ядернолегированного кремния

Загрузка...

Номер патента: 10595

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: регулирования, носителей, кремния, мощных, быстродействующих, изготавливаемых, времени, полупроводниковых, ядернолегированного, способ, жизни, заряда, приборах, базе, высоковольтных, неосновных

Текст:

...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9993

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: заряда, способ, быстродействующих, регулирования, неосновных, изготовлении, времени, полупроводниковых, жизни, носителей, приборов

Текст:

...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...