Патенты с меткой «высоковольтных»

Номер патента: 16459

Опубликовано: 30.10.2012

Автор: Головнёв Владимир Андреевич

МПК: H01R 4/66, H01H 31/02

Метки: заземления, устройств, высоковольтных, система

Текст:

...Главным недостатком является то, что обеспечиваемый данным способом контактный переход медь - сталь на ножах заземления имеет значительное электрическое сопротивление, что в итоге приводит к снижению требуемых характеристик вала ножей заземления, снижению надежности и срока службы. Автору неизвестно применение биметалла (медьсталь) в системах для заземления высоковольтных устройств. Задачей изобретения является разработка системы для...

Номер патента: U 7409

Опубликовано: 30.08.2011

Автор: Головнёв Владимир Андреевич

МПК: H01H 31/00

Метки: устройств, вал, ножей, высоковольтных, заземления

Текст:

...Ножи заземления приварены к валу. К контактным пластинам ножей заземления приклепаны медные контакты. Главным недостатком является то, что обеспечиваемый данным способом контактный переход медь-сталь на ножах заземления имеет значительное электрическое сопротивление, что в итоге приводит к снижению требуемых характеристик вала ножей заземления,снижению надежности и срока службы. Автору неизвестно применение биметалла (медьсталь) в...

Номер патента: 11325

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Пуцята Владимир Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, полупроводниковых, многослойное, покрытие, высоковольтных, пассивирующее

Текст:

...приводящие к нарушению сплошности пассивирующих слоев, изгибу и разрушению подложки,что обусловливает снижение выхода годных. При нанесении в качестве фосфорсодержащего легкоплавкого стекла борофосфоросиликатного стекла (БФСС) толщиной 0,6-2,0 мкм с суммарным содержанием бора и фосфора 8-10 мас.при содержании фосфора 3,8-5,0 мас.появляется дополнительное преимущество-возможность оплавления стекла при более низких температурах, что...

Номер патента: 11307

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Кульгачев Владимир Ильич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, диодов, быстродействующих, изготовления, высоковольтных

Текст:

...в базе приборов эффективных центров рекомбинации, снижающих время жизни неосновных носителей заряда и способствующих увеличению быстродействия приборов. Однако снижение времени жизни приводит к росту прямого падения напряжения диодов (Ипр) и его выходу за рамки, определяемыми техническими условиями ТУ, вследствие уменьшения глубины модуляции проводимости базовой области неосновными носителями заряда. Изменение Ипр при этом определяется...

Номер патента: 11098

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: отбраковки, полупроводниковых, радиационной, высоковольтных, стойкости, диодов, кремниевых, способ

Текст:

...стойкость кремниевых диодов обычно определяется устойчивыми изменениями на прямой ветви вольтамперной характеристики, обусловленными радиационными эффектами смещений в кристалле кремния. Однако в ряде случаев радиационная стойкость кремниевых диодов может определяться изменениями на обратной 2 11098 1 2008.08.30 ветви вольтамперной характеристики, обусловленными поверхностными радиационными эффектами, наступающими даже при малых дозах...

Номер патента: 10595

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: базе, изготавливаемых, кремния, регулирования, полупроводниковых, быстродействующих, ядернолегированного, времени, мощных, способ, высоковольтных, жизни, приборах, заряда, неосновных, носителей

Текст:

...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...

Номер патента: 7376

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Новаш Татьяна Анатольевна, ГИНЗБУРГ МАРАТ ЛЬВОВИЧ, ПЕКЕЛИС ВСЕВОЛОД ГРИГОРЬЕВИЧ

МПК: H02H 7/04

Метки: перенапряжений, тока, коммутационных, устройство, трансформаторов, высоковольтных, імпульсных, защиты

Текст:

...устройства, на которой приняты следующие условные обозначения 1 - первичная обмотка 2 - вторичная обмотка 3 - дроссель резонансного фильтра 4 - конденсатор резонансного фильтра. Для пояснения принципа действия предложенного устройства воспользуемся схемой замещения . Указанная схема приведена на фиг. 2. Она представляет собой пассивный четырехполюсник. На схеме приняты следующие условные обозначения 1 - полное сопротивление первичной...

Номер патента: U 358

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Пилипенко Олег Игоревич, Клинов Александр Георгиевич

МПК: G01R 15/06, G01R 15/04

Метки: напряжения, измерения, устройство, импульсов, высоковольтных

Текст:

...на собственной резонансной частоте, переносе соб 2 358 ственной резонансной частоты высокочастотных колебаний в низкочастотную область с последующим уничтожением одиночного апериодического выброса. Этот перенос осуществляется введением в высоковольтную часть делителя напряжения сосредоточенной индуктивности . При этом собственная резонансная 1 частота делителя 0. Введенная сосредоточенная индуктивность суммируется с распределенной 2...