Патенты с меткой «высоковольтного»

Номер патента: U 9520

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Томило Вячеслав Анатольевич, Поболь Игорь Леонидович, Паршуто Александр Эрнстович, Паршуто Александр Александрович, Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Соколов Юрий Валентинович

МПК: C25F 7/00

Метки: алюминиевых, сплавов, изделий, устройство, алюминия, оксидирования, высоковольтного

Текст:

...стационарного температурного поля, через которое производится электрохимический массоперенос материала покрытия на поверхность изделия. Для лучшего понимания устройства рассмотрим конкретный пример его исполнения со ссылками на фигуры, где фиг. 1 - общий вид в разрезе устройства для высоковольтного оксидирования изделий из алюминия и алюминиевых сплавов фиг. 2 - аксанометрический вид устройства. Устройство по фиг. 1, 2 для...

Номер патента: 10510

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Карпов Иван Николаевич, Жигалко Игорь Борисович, Турцевич Аркадий Степанович, Алиев Алигаджи Магомедович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: дмоп, высоковольтного, изготовления, мощного, способ, транзистора

Текст:

...ДМОП-транзистора по способу-прототипу, а фиг. 10-18 - по предлагаемому способу. На фиг. 1 изображено поперечное сечение после формированияэпитаксиальной структуры 1, окисного слоя 2, создания фотолитографией рисунка охранных областей-типа проводимости 3. На фиг. 2 - структура после ионного легирования бором, удаления фоторезистивной маски и разгонки внедренной примеси, где 4 - -охранная область. На фиг. 3 - структура после...

Номер патента: 4476

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Рубцевич Иван Иванович, Кречко Михаил Михайлович, Дударчик Анатолий Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Алиев Алигаджи Магомедович

МПК: H01L 21/265, H01L 29/78

Метки: дмоп-транзистора, высоковольтного, изготовления, мощного, способ

Текст:

...структуры транзисторной ячейки после формирования на поверхности кремниевой подложки 1-го типа проводимости 1 подзатворного диэлектрика 2, нанесения слоя поликристаллического кремния 3, на фиг. 2 - после формирования в нем рисунка затвора нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя поликристаллического кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика, удалением фоторезистивной маски,на фиг. 3 -...

Номер патента: 4024

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Кречко Михаил Михайлович, Дударчик Анатолий Иванович, Рубцевич Иван Иванович, Алиев Алигаджи Магомедович

МПК: H01L 29/78, H01L 21/425

Метки: способ, мощного, высоковольтного, дмоп-транзистора, изготовления

Текст:

...выигрыша в уменьшении перекрытия затвором р-, -областей при использовании предлагаемого способа изготовления. На фиг. 3 показаны диффузионные профили рканала, -истока рабочей ячейки ДМОП-транзистора в момент после разгонки -истоков при различной величине подтрава поликремния под маску фоторезиста пунктирной - по предлагаемому способу для величины подтрава поликремния Х 0,5 мкм (верхней границы выбранного интервала) штрих-пунктирной - по...

Номер патента: 4025

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Алиев Алигаджи Магомедович, Рубцевич Иван Иванович, Дударчик Анатолий Иванович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/331, H01L 29/78

Метки: способ, изготовления, мощного, высоковольтного, дмоп-транзистора

Текст:

...кремния, формирование канальных областей ионным легированием бором и разгонкой бора, формирование -истоковых областей, нанесение межслойного окисла, формирование областей контактов к затвору и истокам, создание металлизации, перед нанесением межслойного 2 4025 1 окисла проводят отжиг и окисление -истоковых областей до толщины окисла, составляющей 13 толщины подзатворного окисла. Сопоставительный анализ предполагаемого изобретения с...

Номер патента: 288

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Дитер Лоренц, Вилли Олсен, Ханс-Петер Дамбиц

МПК: H01H 31/00

Метки: распределителя, высоковольтного, газонаполненного, ячейки, многополюсной, разъединитель

Текст:

...расположения находящегося напротив конца проводника 2 на продольной оси контактного злемента 9 д получается разъединитель, в котором проводники Ъ и 2 образуют прямой угол. В этом случае также смещаются относительно одна другой зоны присоединительного патрубка 17, сферического участка 16 и присоединительного патрубка 18 герметичного кожуха 21, 15однако ПРИ ЭТОМ ДИЗЛЗКТРИЧЕСКИЕ ха рактеристики внутри герметичного кожуха Д, особенно в...