Патенты с меткой «вакуумно-дуговой»

Номер патента: 16199

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Селифанов Олег Владимирович, Селифанов Сергей Олегович

МПК: C23C 14/24, H05H 1/24

Метки: импульсный, источник, технологический, вакуумно-дуговой, плазмы

Текст:

...если каждый узел первичного плазмообразования содержит от 2 до 10 изоляторов. Отсутствие научно-технических публикаций, касающихся вышеуказанных отличительных признаков импульсного вакуумно-дугового технологического источника плазмы,подтверждает новизну предлагаемого изобретения. Признать же отличительные признаки существенными позволяет наличие ряда нижеперечисленных положительных факторов,способствующих решению задачи,...

Номер патента: 14060

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Селифанов Сергей Олегович, Селифанов Олег Владимирович

МПК: H05H 1/24, C23C 14/24

Метки: импульсный, вакуумно-дуговой, сильноточный, источник, технологический, плазмы

Текст:

...запасенной во вспомогательной конденсаторной батарее и сопровождается интенсификацией процесса получения инициирующей плазмы. Под действием бомбардировки электронами, извлекаемыми из плазмы разряда, происходит локальный разогрев материала катода в отдельных микровыступах,всегда имеющихся на расходуемом торце катода. В то же время инициирующая плазма перемыкает вакуумный промежуток, образованный электродом-экраном и поджигающим...

Номер патента: U 6837

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Селифанов Олег Владимирович, Селифанов Сергей Олегович

МПК: C23C 14/24, H05H 1/00

Метки: источник, плазмы, импульсный, технологический, вакуумно-дуговой

Текст:

...Предпочтительно, если количество узлов первичного плазмообразования выбрано из интервала 2-8, а количество конденсаторных блоков - из интервала 2-4. Лучше, если каждый узел первичного плазмообразования оснащен, по меньшей мере,еще одним изолятором с инициирующим тонкопленочным токопроводом, а инициирующий электрод выполнен с возможностью обеспечения плотного прижима каждого изолятора к соответствующему поджигающему электроду. Удобно,...

Номер патента: U 5669

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Чекан Николай Михайлович, Селифанов Сергей Олегович, Селифанов Олег Владимирович

МПК: H05H 1/00, C23C 14/24

Метки: технологический, импульсный, источник, плазмы, вакуумно-дуговой

Текст:

...расходуется 1,22,5 мм высоты подлежащего расходованию участка катода, при этом радиус катода из-за наличия конусности уменьшается на 0,10,2 мм при угле уклона 5 и на 0,71,4 мм при угле уклона 30. Поскольку величина зазора между катодом и электродом-экраном ограничена значением 2,5 мм, а исходное ее значение равно 1,5 мм, высота израсходованной части материала катода составляет максимум 2 мм при угле уклона 30 и 12 мм при угле уклона 5. В...

Номер патента: U 4887

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Чекан Николай Михайлович, Селифанов Олег Владимирович, Селифанов Сергей Олегович

МПК: C23C 14/24, H05H 1/00

Метки: импульсный, источник, плазмы, вакуумно-дуговой, технологический

Текст:

...увеличение межпрофилактического ресурса высоконадежного функционирования технологического импульсного вакуумно-дугового источника плазмы с высокой равномерностью выработки расходуемого торца катода. Поставленная задача достигается тем, что в известном технологическом импульсном вакуумно-дуговом источнике плазмы, содержащем охлаждаемый кольцевой нерасходуемый анод, установленный соосно с ним и выполненный с возможностью осевого перемещения...

Номер патента: U 4567

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Селифанов Олег Владимирович, Селифанов Сергей Олегович

МПК: H05H 1/00, C23C 14/24

Метки: плазмы, вакуумно-дуговой, импульсный, генератор, технологический

Текст:

...конусной поверхности расходуемого электрода выбран из интервала 520 . Отличием предлагаемого технологического импульсного вакуумно-дугового генератора плазмы является и то, что экран выполнен с возможностью подвода к нему электрического напряжения. Отсутствие научно-технических публикаций, касающихся вышеуказанных отличительных признаков технологического импульсного вакуумно-дугового генератора плазмы,подтверждает новизну полезной модели....

Номер патента: 10555

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Селифанов Сергей Олегович, Точицкий Эдуард Иванович, Селифанов Олег Владимирович

МПК: C23C 14/24, H05H 1/24

Метки: импульсный, плазмы, источник, вакуумно-дуговой

Текст:

...в направлении какой-нибудь образующей вышеупомянутых конусно-сопряженных поверхностей. Более того, такое техническое решение обеспечивает частичное залечивание электроэрозионной выработки за счет осаждения в ней части плазмы основного импульсного вакуумно-дугового разряда. Выполнение схемы питания с возможностью обеспечения второго вспомогательного разряда между расходуемым электродом и кольцевым экраном, охватывающим боковую...

Номер патента: 9264

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Селифанов Сергей Олегович, Селифанов Олег Владимирович, Точицкий Эдуард Иванович

МПК: H05H 1/24, H05H 1/48, C23C 14/24...

Метки: технологический, ускоритель, импульсный, плазменный, вакуумно-дуговой

Текст:

...Отсутствие научно-технических публикаций, касающихся вышеуказанных отличительных признаков технологического импульсного вакуумно-дугового плазменного ускорителя, подтверждает новизну предлагаемого изобретения. Вышеуказанная форма выполнения внутренней поверхности кольцевого изолятора при имеющем место отсутствии заметных следов ее повреждения в процессе достаточно продолжительной эксплуатации ускорителя позволяет эффективно использовать...