Патенты с меткой «транзисторов»

Номер патента: 17795

Опубликовано: 30.12.2013

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: транзисторов, биополярных, радиационной, отбраковки, способ

Текст:

...обратного тока упомянутых транзисторов для обеспечения активации поверхностных дефектов в переходах транзисторных структур осуществляют термическое воздействие на транзисторы в течение 50,5 ч при температуре 125 С при подаче на транзисторы смещения, составляющего не более 70 от максимально установленного запирающего напряжения для данных транзисторов, после чего осуществляют низкоинтенсивное радиационное и термическое воздействие на...

Номер патента: 14223

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Кульгачев Владимир Ильич

МПК: H01L 21/00

Метки: способ, быстродействующих, изготовления, транзисторов

Текст:

...их в корпуса, за счет электронного облучения и отжига бесспорно технологично, но транзисторные структуры, посаженные в корпуса требуют небольшой корректировки своих параметров по быстродействию (времени выключения). Выбор флюенса повторного облучения (в пределах до 81013 см-2) обусловлен необходимостью получения транзисторов с минимальным разбросом по времени выключения,допустимым изменением статических характеристик и максимальным...

Номер патента: 13721

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Метки: затвором, способ, биполярных, изготовления, изолированным, транзисторов

Текст:

...часто стоит проблема выбора оптимального соотношения 6. Чтобы уменьшить потери проводимости, импульсная энергия должна увеличиваться, и наоборот. В заявляемом техническом решении увеличение быстродействия транзисторов за счет контролируемого уменьшения времени жизни носителей достигается без существенного роста потерь проводимости (транзисторы с пониженным значением (. В основе выбора режимов электронного облучения транзисторов лежат...

Номер патента: 2336

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Чаусов Виктор Николаевич, Сасновский Владимир Арестархович, Балбуцкий Сергей Васильевич, Гайдук Сергей Иванович

МПК: H01L 21/265

Метки: схем, горизонтальных, способ, р-п-р, изготовления, транзисторов, интегральных

Текст:

...и пленки двуокиси кремния СУМР ной толщиойсО 3 мкм. Методом ФОТОлитографии и травления пленки и слоя двуокиси кремния вскрыаются контактные отверстия к областям итеГР 8 ПЬ Ной схемы. Методом фотолитографии формируютфотореэнстнвную маску С Отверстием над областью контакта К КОЛ лектору прптранэистора. СЛУЖЗЩЕГО одновременно контактом к базовой Об 50ппантацией ионов фосфора с ЗНЕРГНЭЙ 30 кэВ и поверхностной концентрациейконтакта области базы...