Патенты с меткой «транзистора»
Способ изготовления транзистора
Номер патента: 15265
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Нелаев Владислав Викторович, Ефремов Василий Андреевич, Снитовский Юрий Павлович
МПК: H01L 21/331
Метки: способ, изготовления, транзистора
Текст:
...внедряемой примеси того же типа, которой легирован кремний 3) образованием атомов отдачи молибдена в приповерхностном слое (молибденпримесь -типа проводимости) кремния в эмиттере 4) образованием большого количества радиационных дефектов под действием как основного потока ионов фосфора, так и атомов отдачи молибдена, которые при достаточной дозе легирования образуют аморфизованный слой кремния. Низкотемпературная термообработка (отжиг)...
Способ изготовления мощного высоковольтного ДМОП – транзистора
Номер патента: 10510
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Жигалко Игорь Борисович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Алиев Алигаджи Магомедович, Турцевич Аркадий Степанович, Карпов Иван Николаевич
МПК: H01L 29/66, H01L 21/02
Метки: транзистора, мощного, дмоп, изготовления, способ, высоковольтного
Текст:
...ДМОП-транзистора по способу-прототипу, а фиг. 10-18 - по предлагаемому способу. На фиг. 1 изображено поперечное сечение после формированияэпитаксиальной структуры 1, окисного слоя 2, создания фотолитографией рисунка охранных областей-типа проводимости 3. На фиг. 2 - структура после ионного легирования бором, удаления фоторезистивной маски и разгонки внедренной примеси, где 4 - -охранная область. На фиг. 3 - структура после...
Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от статического электричества
Номер патента: 4988
Опубликовано: 30.03.2003
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Лемешевская Алла Михайловна, Усов Геннадий Иванович, Пономарь Владимир Николаевич, Силин Анатолий Васильевич, Шведов Сергей Васильевич
МПК: H01L 29/06
Метки: элемент, электричества, интегральной, схемы, транзистора, защиты, выходного, моп, статического
Текст:
...к области коллектора. Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от воздействия статического электричества содержит биполярный транзистор 1, совмещенный с выходным МОП транзистором, и они выполнены в виде симметричной структуры. Структура элемента защиты содержит области эмиттера 2, коллектора 3 (совмещен со стоком), базового контакта 4. Область истока 5 расположена в центре структуры и ограничена с двух сторон областью...
Способ включения полевого транзистора с управляющим р-n переходом
Номер патента: 1267
Опубликовано: 16.09.1996
Авторы: Володкевич А. А., Дворников О. В., Просандеев Д. Е.
МПК: H01L 29/80
Метки: полевого, управляющим, включения, переходом, транзистора, способ
Текст:
...смещения, прилагаемую к истоку,выбирают из условия обеспечения смещения перехода затвореисток в прямом направлении при удовлетворении соотношения абсолютных значешай падений напряжения на переходах затворсток и затвор-исток условиюАПЗШАПЗС - падение напряжения на переходах затвор-исток, затвор-сток по абсолютной величине, Вш - безразмерный фактор, характеризующий отклонение вольтамперных характеристик от идеальной, 0,5 ш 2,5Изобретение...