Патенты с меткой «транзистора»

Номер патента: 15265

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Снитовский Юрий Павлович, Ефремов Василий Андреевич, Нелаев Владислав Викторович

МПК: H01L 21/331

Метки: способ, транзистора, изготовления

Текст:

...внедряемой примеси того же типа, которой легирован кремний 3) образованием атомов отдачи молибдена в приповерхностном слое (молибденпримесь -типа проводимости) кремния в эмиттере 4) образованием большого количества радиационных дефектов под действием как основного потока ионов фосфора, так и атомов отдачи молибдена, которые при достаточной дозе легирования образуют аморфизованный слой кремния. Низкотемпературная термообработка (отжиг)...

Номер патента: 10510

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Алиев Алигаджи Магомедович, Карпов Иван Николаевич, Жигалко Игорь Борисович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: дмоп, изготовления, высоковольтного, мощного, способ, транзистора

Текст:

...ДМОП-транзистора по способу-прототипу, а фиг. 10-18 - по предлагаемому способу. На фиг. 1 изображено поперечное сечение после формированияэпитаксиальной структуры 1, окисного слоя 2, создания фотолитографией рисунка охранных областей-типа проводимости 3. На фиг. 2 - структура после ионного легирования бором, удаления фоторезистивной маски и разгонки внедренной примеси, где 4 - -охранная область. На фиг. 3 - структура после...

Номер патента: 4988

Опубликовано: 30.03.2003

Авторы: Усов Геннадий Иванович, Шведов Сергей Васильевич, Пономарь Владимир Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Силин Анатолий Васильевич, Лемешевская Алла Михайловна

МПК: H01L 29/06

Метки: схемы, защиты, электричества, статического, транзистора, элемент, выходного, моп, интегральной

Текст:

...к области коллектора. Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от воздействия статического электричества содержит биполярный транзистор 1, совмещенный с выходным МОП транзистором, и они выполнены в виде симметричной структуры. Структура элемента защиты содержит области эмиттера 2, коллектора 3 (совмещен со стоком), базового контакта 4. Область истока 5 расположена в центре структуры и ограничена с двух сторон областью...

Номер патента: 1267

Опубликовано: 16.09.1996

Авторы: Просандеев Д. Е., Володкевич А. А., Дворников О. В.

МПК: H01L 29/80

Метки: переходом, включения, транзистора, управляющим, полевого, способ

Текст:

...смещения, прилагаемую к истоку,выбирают из условия обеспечения смещения перехода затвореисток в прямом направлении при удовлетворении соотношения абсолютных значешай падений напряжения на переходах затворсток и затвор-исток условиюАПЗШАПЗС - падение напряжения на переходах затвор-исток, затвор-сток по абсолютной величине, Вш - безразмерный фактор, характеризующий отклонение вольтамперных характеристик от идеальной, 0,5 ш 2,5Изобретение...