Патенты с меткой «тонкопленочный»

Номер патента: 17225

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Муравский Анатолий Александрович, Малашко Павел Митрофанович, Муравский Александр Анатольевич, Микулич Вадим Сергеевич, Агабеков Владимир Енокович

МПК: G02F 1/1337, C09K 19/56, C09B 31/065...

Метки: материал, фотоориентирующий, металлпроизводные, тонкопленочный, 4,4’–бис[1-(4-гидрокси-3-карбокси-6-метил)фенилазо]дифенил, соли

Текст:

...концевые -, - или - заместители, способные к образованию обратимых водородных и координационных межмолекулярных связей. Наличие же метильной группы приводит к тому, что увеличивается растворимость данного красителя в органических растворителях материал оказывается менее гигроскопичным в сравнении с прототипом. В красителе с ядром дифенила спектральный пик основной полосы поглощения красителя претерпевает батахромный сдвиг по сравнению с...

Номер патента: 16917

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: фотодетектор, тонкопленочный, полупроводниковый

Текст:

...его стоимости. Новым, по мнению авторов, является использование в тонкопленочном полупроводниковом фотодетекторе в качестве полупроводникового слоя тонкой пленки - толщиной от 0,5 до 3 мкм. Сущность изобретения заключается в создании многослойной структуры стекло/-/. Создание структуры включает следующие стадии получение тонкой пленки - толщиной 0,5-3 мкм на стекле,нанесение на полученную пленку тонкого слоятолщиной 1-2 мкм. На первом...

Номер патента: 13885

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович

МПК: H01L 31/00, G03F 7/00

Метки: элемент, тонкопленочный, электронный

Текст:

...активного слоя 2 прозрачной диэлектрической подложки 1 через нее и внутренний активный слой 3. Проводящие области выходные 4 электрически связаны как непосредственно, так и туннельно через наноразмерные зазоры 5 с проводящими приемными областями 6, фиг. 2. В конкретном исполнении прозрачная диэлектрическая подложка 1 - это тонкопленочный прозрачный материал, который выполнен, например, из полиэтилентерефталата (диэлектрического прозрачного...

Номер патента: 11811

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H01L 49/02, H01L 29/00

Метки: интегральный, кремниевой, микросхемы, резистор, интегральной, тонкопленочный

Текст:

...сплава с низкотемпературным оксидом кремния. Формирование между резистивным слоем и межуровневым слоем диэлектрика слоя пентаоксида тантала толщиной 0,07-0,40 мкм, площадью, по меньшей мере,равной занимаемой резистивной пленкой, позволяет исключить взаимодействие резистивной пленки с материалом подложки и тем самым повысить надежность и стабильность параметров ИТР при термических воздействиях. При толщине слоя пентаоксида тантала менее...

Номер патента: U 3701

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Лишик Сергей Иванович, Трофимов Юрий Васильевич

МПК: H01L 31/08

Метки: тонкопленочный, фоторезистор

Текст:

...5 - второй электрод 6 - межэлектродный зазор 7 - нормаль к участку межэлектродного зазора 8 - оптически непрозрачный материал. Тонкопленочный фоторезистор состоит из диэлектрической подложки 1, на поверхности которой сформирован слой фоточувствительного материала 2, на поверхности которого сформирован слой контактной металлизации 3, состоящий из первого электрода 4 и второго 5 встречно-штыревых электродов, разделенных межэлектродным...

Номер патента: U 2884

Опубликовано: 30.06.2006

Авторы: Гузовский Виталий Геннадьевич, Коваленко Олег Евгеньевич

МПК: G01N 30/62, G01N 27/12

Метки: тонкопленочный, фотоэлектрический, датчик, аммиак

Текст:

...высокие требования к качеству поверхности полупроводника при изготовлении барьера Шоттки и, вследствие этого, высокая стоимость изделия. Технической задачей заявляемого устройства является упрощение технологии изготовления датчика газа и снижение его стоимости. Поставленная задача решается следующим образом. В устройстве, содержащем генератор прямоугольных импульсов, светодиод, подключенный к генератору, селективный усилитель, настроенный на...

Номер патента: 4370

Опубликовано: 30.03.2002

Авторы: Шуляк Виктор Анатольевич, Березюк Дмитрий Иванович, Башаримова Валентина Николаевна

МПК: B01D 1/22

Метки: роторный, тонкопленочный, испаритель

Текст:

...сечения зазора к внутренней поверхности корпуса создает дополнительную турбулизацию раствора, способствует более равномерному его прогреву и интенсивному испарению жидкости, а установка отбойника тарельчатого типа обеспечивает центробежную сепарацию капель жидкости и предотвращает каплеунос с парами. Выполнение корпуса дугообразно изогнутым влечет за собой выполнение ротора дугообразно изогнутым и предварительное создание клиновых...

Номер патента: U 2

Опубликовано: 30.03.1999

Авторы: Жарский Иван Михайлович, Лугин Валерий Геннадьевич, Зарапин Виталий Георгиевич

МПК: G01N 27/00

Метки: сенсор, газовый, полупроводниковый, тонкопленочный

Текст:

...дополнительно снабжен средством подогрева всего газочувствительного элемента для стабилизации температурных условий при необходимости повышения температуры газочувствительного элемента. Реализация предложенной полезной модели позволяет простыми, доступными и надежными средствами без усложнения отработанной тонкопленочной технологии повысить удобство измерений, снизить дрейф показаний, релаксацию, неконтролируемый перенос вещества, что...

Номер патента: 2259

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Азарко Игорь Иосифович, Козлов Иван Петрович, Карпович Игорь Александрович, Свиридов Дмитрий Вадимович, Оджаев Владимир Борисович

МПК: H01L 29/51

Метки: тонкопленочный, переключатель

Текст:

...При дальнейшем увеличении энергии ионов происходит заглубление проводящего углеродного слоя внутрь полимера, и он оказывается отделенным от поверхности пористым диэлектрическим слоем. Проводимость имплантированного канала также зависит от типа материала и определяется процентной концентрацией углерода в модифицированном слое полимера. Так, например, установленная методомконцентрация углерода в поврежденном слое, толщина которого...