Патенты с меткой «структуры»

Номер патента: 16950

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Мелещенко Борис Антонович, Жалобкевич Нина Михайловна, Вербицкий Владимир Фёдорович, Бохан Николай Иванович

МПК: B22D 25/00

Метки: пористой, способ, структуры, формирования, алюминия

Текст:

...упр. - предел упругости материала заготовки,и импульсами магнитного поля с энергией не менее 5 Дж на 1 см 3 с частотой, обеспечивающей прохождение импульсного магнитного поля на всю толщину заготовки. После охлаждения изделия после заливки в нем возникают внутренние напряжения второго рода, обусловленные различными коэффициентами температурного расширения металла и порообразователя. При осуществлении предлагаемого способа на изделие...

Номер патента: 16779

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Данилевский Леонид Николаевич, Лячок Александр Константинович, Таурогинский Бронислав Иванович

МПК: F24J 2/16

Метки: солнечного, коллектора, изготовления, периодической, способ, структуры

Текст:

...соединяющей точку касания с отражающей поверхностью рефлектора, описываемой выражением, с центром приемника солнечного излучения, и осью абсцисс, - угол, образованный линией, соединяющей точку касания с отражающей поверхностью рефлектора, описываемой выражением, с центром приемника солнечного излучения, и нормалью к отражающей поверхности рефлектора в точке касания а значение приращениякоординаты у при изменении координатына...

Номер патента: 15451

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Башкиров Семен Александрович, Унучек Денис Николаевич, Иванов Василий Алексеевич, Гременок Валерий Феликсович

МПК: C23C 28/00, H01L 31/18, C30B 29/46...

Метки: способ, тонкопленочной, солнечных, получения, элементов, основе, структуры

Текст:

...стекла,имеющей температуру 59010 С, химически осаждают на полученный слойслой, на который затем последовательно методом магнетронного распыления наносят высокоомный и низкоомный слоии алюминиевый контакт. Сущность изобретения заключается в том, что слоинаносят методом горячей стенки при давлении 10-6 мбар, температуре стенок 59010 С и температуре подложки 280-300 С в течение 15-30 мин, а также в использовании двух слоеви алюминиевого...

Номер патента: 15294

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: способ, 111, структуры, кремниевой, изготовления, ориентации, эпитаксиальной

Текст:

...частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой...

Номер патента: 15077

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: кремниевой, ориентации, изготовления, 111, способ, структуры, эпитаксиальной

Текст:

...эпитаксиальной структуры ориентации (111) механические нарушения, в соответствии с заявляемым техническим решением, могут быть сформированы, по крайней мере, в одном из трех равнозначных кристаллографических направлений - 1 1 0 ,10 1 или 01 1. В случае формирования механических нарушений в двух или трех направлениях одновременно плотность генерируемой дислокационной структуры возрастает, эффективность захвата неконтролируемых примесей...

Номер патента: 15132

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: ориентации, структуры, изготовления, эпитаксиальной, кремниевой, способ, 001

Текст:

...направлений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно плотность дислокационной сетки в объеме подложки и эффективность захвата неконтролируемых примесей возрастают. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки), режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических...

Номер патента: 15236

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Шилько Сергей Викторович

МПК: G09B 23/06

Метки: материала, структуры, гранулированных, демонстрации, композитов, упругих, или, деформаций, дисперсно-армированных, материалов, модель

Текст:

...в состоянии сжатия на фиг. 8 показана диаграмма сила - перемещение при сжатии и последующей разгрузке модели. Модель структуры состоит из жестких кубических элементов 1, соединенных при помощи шарниров 2, размещенных в их ребрах и обеспечивающих возможность относительного поворота последних в пределах 180 . Эти элементы моделируют твердые 2 15236 1 2011.12.30 частицы (гранулы либо армирующие включения) материала, а шарниры являются...

Номер патента: 14221

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Поклонский Николай Александрович, Горбачук Николай Иванович, Шпак Екатерина Петровна, Грицкевич Ростислав Николаевич

МПК: C23C 16/22, H01C 17/075

Метки: способ, резисторной, тонкопленочной, получения, структуры

Текст:

...за счет химического взаимодействия с ними. Указанный диапазон энергий ионов, не вызывая заметного распыления указанной пленки, приводит к трансформации ее поверхностного слоя в электропроводящую углеродную фазу. Так как при этом снижение твердости углеродных пленок не наблюдается,то это указывает на то, что состояние их модифицированной поверхности после ионной бомбардировки является промежуточным между аморфной исходной алмазоподобной...

Номер патента: 14195

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88, G01B 11/30...

Метки: поверхности, качества, контроля, способ, пластины, изделия, частности, структуры, полупроводниковой

Текст:

...дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемое изобретение поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема осуществления контроля, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого способа (б). Свет от точечного источника...

Номер патента: 14194

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G01B 11/30, G01B 9/00, G01N 21/88...

Метки: устройство, поверхности, частности, контроля, структуры, полупроводниковой, изделия, качества, пластины

Текст:

...где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого устройства (б). Заявляемое устройство содержит точечный источник оптического излучения 1, держатель образцов 2, выполненный в виде кольцевой опоры, внутри которой создается разрежение за счет подключения к вакуумной магистрали или насосу...

Номер патента: 13520

Опубликовано: 30.08.2010

Автор: Сандомирский Сергей Григорьевич

МПК: G01N 27/72

Метки: контроля, магнитного, материала, более, изделия, фактором, способ, структуры, размагничивающим

Текст:

...полянамагничивающей катушки 2 и движется дальше вдоль направляющей 1 в намагниченном состоянии. При этом оно проходит сквозь индукционную измерительную катушку 4 и индуцирует в ней сигнал, поступающий на блок 5 обработки сигналов и сравнения, который выделяет из поступившего сигнала однополярный импульс напряжения, интегрирует его (результат интегрирования пропорционален остаточному магнитному потоку Ф в контролируемом изделии 7)....

Номер патента: U 4925

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Иванов Анатолий Дмитриевич, Николайчик Александр Михайлович, Новиков Александр Алексеевич

МПК: E04H 1/00

Метки: структуры, здания, жилое, варианты, жилого, здание, блок, блочной

Текст:

...толщиной около 300 мм предпочтительно из газосиликатных блоков, а внутриквартирные стены выполнены в виде перегородок толщиной около 60-120 мм предпочтительно из газосиликатных блоков, полнотелого кирпича или легких гипсокартонных перегородочных систем. В тех формах реализации заявляемого жилого блока, которые содержат лоджии, несущие стены лоджий выполнены как продолжение несущих внутренних и, при необходимости, наружных стен....

Номер патента: 10741

Опубликовано: 30.06.2008

Автор: Фильгина Елена Васильевна

МПК: G06G 1/00

Метки: спортсменок, хронобиологическая, процесса, моделирования, структуры, тренировочного, линейка

Текст:

...ползунок,5 - корпус линейки,6 - подвижная часть линейки. На фиг. 2 на шкале 2 изображаются биологические мезоциклы длительностью 2122 дня. На фиг. 3 на шкале 2 изображены биологические мезоциклы длительностью 23-26 дней. На фиг. 4 на шкале 2 изображены биологические мезоциклы длительностью 2728 дней. На фиг. 5 на шкале 2 изображены биологические мезоциклы длительностью 2930 дней. На фиг. 6 на шкале 2 изображены биологические мезоциклы...

Номер патента: 10818

Опубликовано: 30.06.2008

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: дозы, полупроводниковой, определения, ионного, легирования, структуры, способ

Текст:

...см-3 и 1,041019 см-3 3, 10, т.е. все функции 11, 12, 13 описывают реакцию невырожденногона ионное облучение. Резистивный 1 и переходный 4 слои могут быть получены любым традиционным способом - эпитаксия осаждение поликристаллического полупроводника с одновременным или последующим его легированием до уровня не ниже (2-3)10 см-3 ионная имплантация. В последнем случае структура -(-) не имеет резкой границы, которая тогда условно...

Номер патента: 9735

Опубликовано: 30.10.2007

Автор: Сандомирский Сергей Григорьевич

МПК: G01R 33/12, G01N 27/72

Метки: свойствами, контроля, материалов, изделий, ферромагнитных, связанной, устройство, структуры, магнитными

Текст:

...генератора 7 (фиг. 2) и блока 8 обработки сигнала феррозондаградиентометра 5, подключенных к феррозонду-градиентометру 5, плоского магниточувствительного преобразователя 9, например датчика Холла или магниторезистора, расположенного на торце нижней части корпуса 1, блока 10 памяти, входы которого подключены к выходам блока 8 обработки сигнала феррозонда-градиентометра 5 и плоского магниточувствительного преобразователя 9, и последовательно...

Номер патента: 8792

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: МАРКИНИ Маурицио, ДЕ ГЕЗЕ Игнацио, КАНТУ' Марко

МПК: B29D 30/16

Метки: шин, устройство, структуры, изготовления, способ, армирующей, транспортных, средств

Текст:

...параллельно, по меньшей мере, частично покрытые,по меньшей мере, слоем эластомерного материала накладывают полосообразнь 1 е сегменты, взаимосвязанные путем взаимного сближения, вдоль окружной развертки тороидальной опоры для формирования, по меньшей мере, армирующего слоя, имеющего непрерывную окружную развертку вокруг геометрической оси вращения.Изобретение также относится к устройству для осуществления вышеупомянутого способа,...

Номер патента: 6898

Опубликовано: 30.03.2005

Авторы: Хило Николай Анатольевич, Хило Петр Анатольевич, Краморева Лариса Ивановна

МПК: G02F 1/35

Метки: световых, структуры, интерференционных, азимутально-симметричных, изменения, способ, полей

Текст:

...включает в себя направление исходного светового пучка гауссова типа на светоделительный элемент, его расщепление на объектный и опорный пучки и регистрацию азимутально-симметричного светового поля в объектной плоскости, причем объектный пучок преобразуют с помощью голографическисинтезируемого фильтра в бесселев световой пучок, который пропускают через нелинейный кристалл, при этом опорный пучок отражают зеркалом в направлении...

Номер патента: 6725

Опубликовано: 30.12.2004

Авторы: КУМАХОВ, Мурадин Абубекирович

МПК: G01N 23/223

Метки: осуществления, получения, рентгеновского, внутренней, излучения, устройство, изображения, структуры, использованием, способ, объекта

Текст:

...для обработки и отображения информации, датчики для определения координат точки, к которой относят текущие результаты измерений, расположенной внутри исследуемой области объекта, связанные со средством позиционирования исследуемого объекта и рентгенооптической системой, подключенные своими выходами к средству для обработки и отображения информации, при этом рентгенооптическая система содержит один или несколько рентгеновских...

Номер патента: 5945

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Рак Анатолий Леонидович, Мазюк Виктор Васильевич, Балащенко Андрей Викторович, Пилиневич Леонид Петрович

МПК: F28D 15/00

Метки: трубы, контурной, способ, капиллярной, тепловой, структуры, изготовления

Текст:

...исключающей возможность припекания к ней порошка. В пространство между корпусом и сердечником засыпают порошок. Подвергая сборку температурному воздействию в соответствующей защитной атмосфере,производят припекание фрагментов капиллярной структуры к корпусу. Поскольку фрагменты капиллярной структуры не связаны между собой, в процессе припекания центральная усадка отсутствует каждый фрагмент усаживается в направлении корпуса. Тем самым...

Номер патента: 5854

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Шаповалов Виктор Михайлович, Кудин Сергей Владимирович, Купчинов Борис Иванович, Плескачевский Юрий Михайлович

МПК: B32B 3/12

Метки: композиционной, способ, слоистой, структуры, получения

Текст:

...композиционной структуры осуществлять в две стадии на первой стадии при температуре 170-200 С, давлении 1-3 МПа в течение 58 минут. Такие температурно-временные параметры переработки способствуют оптимальному прогреву листовой заготовки, а также качественному контакту сотового заполнителя с листовой заготовкой, обеспечивая плавление сетчатого холста и наилучшие условия для формирования прочного адгезионного контакта на границе раздела сот...

Номер патента: 5684

Опубликовано: 30.12.2003

Автор: Шилько Сергей Викторович

МПК: G09B 23/10, G09B 23/08

Метки: разрушения, модель, процессов, демонстрации, восстановления, структуры, материала

Текст:

...монослой из микросфер вследствие их взаимного притяжения и высокой подвижности. Путем дозировки количества микросфер добиваются частичного заполнения монослоем поверхности жидкости. Демонстрацию процессов разрушения и восстановления структуры материала производят следующим образом. Опору модели устанавливают в горизонтальное положение, как показано на фиг. 1. В результате действия сил притяжения микросфер к стенкам кюветы монослой принимает...

Номер патента: 5832

Опубликовано: 30.12.2003

Автор: Лапотко Дмитрий Олегович

МПК: G01N 21/00, G01N 33/48

Метки: способ, клеток, структуры, микрообъектов, исследования, крови, преимущественно, биологических

Текст:

...подвергают воздействию вторым пробным лазерным импульсом с параметрами, идентичными первому, в результате чего формируют второе изображение объекта для получения первого термооптического изображения путем вычитания сигналов для соответствующих точек второго и первого изображений, и с задержкой 0,01-1 мкс относительно начала лазерного импульса накачки исследуемый объект подвергают воздействию третьим пробным лазерным импульсом, в результате...

Номер патента: 4556

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Черноус Дмитрий Анатольевич, Шилько Сергей Викторович, Плескачевский Юрий Михайлович

МПК: G09B 23/06, G09B 23/08

Метки: пористого, модель, структуры, материала

Текст:

...стержней показано на фиг. 2. Прототип имеет следующие недостатки трудоемкость изготовления модели недостаточное соответствие модели реальному материалу ограничения, накладываемые на структуру, в силу которых возможна демонстрация только нижнего предельного значения коэффициента Пуассона, равного - 1. Задачи, на решение которых направлено заявляемое изобретение создание менее трудоемкой в изготовлении модели структуры материала...