Патенты с меткой «структуры»

Способ формирования пористой структуры алюминия

Загрузка...

Номер патента: 16950

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Вербицкий Владимир Фёдорович, Мелещенко Борис Антонович, Жалобкевич Нина Михайловна, Бохан Николай Иванович

МПК: B22D 25/00

Метки: формирования, способ, пористой, алюминия, структуры

Текст:

...упр. - предел упругости материала заготовки,и импульсами магнитного поля с энергией не менее 5 Дж на 1 см 3 с частотой, обеспечивающей прохождение импульсного магнитного поля на всю толщину заготовки. После охлаждения изделия после заливки в нем возникают внутренние напряжения второго рода, обусловленные различными коэффициентами температурного расширения металла и порообразователя. При осуществлении предлагаемого способа на изделие...

Способ изготовления солнечного коллектора периодической структуры

Загрузка...

Номер патента: 16779

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Данилевский Леонид Николаевич, Лячок Александр Константинович, Таурогинский Бронислав Иванович

МПК: F24J 2/16

Метки: коллектора, солнечного, структуры, изготовления, способ, периодической

Текст:

...соединяющей точку касания с отражающей поверхностью рефлектора, описываемой выражением, с центром приемника солнечного излучения, и осью абсцисс, - угол, образованный линией, соединяющей точку касания с отражающей поверхностью рефлектора, описываемой выражением, с центром приемника солнечного излучения, и нормалью к отражающей поверхности рефлектора в точке касания а значение приращениякоординаты у при изменении координатына...

Способ получения солнечных элементов на основе тонкопленочной структуры CdS/SnS

Загрузка...

Номер патента: 15451

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Иванов Василий Алексеевич, Унучек Денис Николаевич, Башкиров Семен Александрович

МПК: C30B 29/46, C23C 28/00, H01L 31/18...

Метки: основе, элементов, тонкопленочной, структуры, получения, способ, солнечных

Текст:

...стекла,имеющей температуру 59010 С, химически осаждают на полученный слойслой, на который затем последовательно методом магнетронного распыления наносят высокоомный и низкоомный слоии алюминиевый контакт. Сущность изобретения заключается в том, что слоинаносят методом горячей стенки при давлении 10-6 мбар, температуре стенок 59010 С и температуре подложки 280-300 С в течение 15-30 мин, а также в использовании двух слоеви алюминиевого...

Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15294

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: ориентации, способ, кремниевой, изготовления, 111, эпитаксиальной, структуры

Текст:

...частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой...

Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15077

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: эпитаксиальной, изготовления, кремниевой, ориентации, способ, 111, структуры

Текст:

...эпитаксиальной структуры ориентации (111) механические нарушения, в соответствии с заявляемым техническим решением, могут быть сформированы, по крайней мере, в одном из трех равнозначных кристаллографических направлений - 1 1 0 ,10 1 или 01 1. В случае формирования механических нарушений в двух или трех направлениях одновременно плотность генерируемой дислокационной структуры возрастает, эффективность захвата неконтролируемых примесей...

Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15132

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: кремниевой, ориентации, эпитаксиальной, структуры, 001, способ, изготовления

Текст:

...направлений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно плотность дислокационной сетки в объеме подложки и эффективность захвата неконтролируемых примесей возрастают. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки), режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических...

Модель структуры материала для демонстрации упругих деформаций гранулированных материалов или дисперсно-армированных композитов

Загрузка...

Номер патента: 15236

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Шилько Сергей Викторович

МПК: G09B 23/06

Метки: композитов, или, модель, материалов, дисперсно-армированных, деформаций, упругих, структуры, гранулированных, материала, демонстрации

Текст:

...в состоянии сжатия на фиг. 8 показана диаграмма сила - перемещение при сжатии и последующей разгрузке модели. Модель структуры состоит из жестких кубических элементов 1, соединенных при помощи шарниров 2, размещенных в их ребрах и обеспечивающих возможность относительного поворота последних в пределах 180 . Эти элементы моделируют твердые 2 15236 1 2011.12.30 частицы (гранулы либо армирующие включения) материала, а шарниры являются...

Способ получения тонкопленочной резисторной структуры

Загрузка...

Номер патента: 14221

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Грицкевич Ростислав Николаевич, Горбачук Николай Иванович, Шпак Екатерина Петровна, Поклонский Николай Александрович

МПК: H01C 17/075, C23C 16/22

Метки: способ, тонкопленочной, резисторной, получения, структуры

Текст:

...за счет химического взаимодействия с ними. Указанный диапазон энергий ионов, не вызывая заметного распыления указанной пленки, приводит к трансформации ее поверхностного слоя в электропроводящую углеродную фазу. Так как при этом снижение твердости углеродных пленок не наблюдается,то это указывает на то, что состояние их модифицированной поверхности после ионной бомбардировки является промежуточным между аморфной исходной алмазоподобной...

Способ контроля качества поверхности изделия, в частности, полупроводниковой пластины и/или структуры

Загрузка...

Номер патента: 14195

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66, G01B 11/30...

Метки: качества, способ, частности, поверхности, контроля, структуры, изделия, полупроводниковой, пластины

Текст:

...дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемое изобретение поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема осуществления контроля, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого способа (б). Свет от точечного источника...

Устройство для контроля качества поверхности изделия, в частности, полупроводниковой пластины и/или структуры

Загрузка...

Номер патента: 14194

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G01B 9/00, G01N 21/88, G01B 11/30...

Метки: поверхности, качества, устройство, пластины, частности, контроля, полупроводниковой, структуры, изделия

Текст:

...где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого устройства (б). Заявляемое устройство содержит точечный источник оптического излучения 1, держатель образцов 2, выполненный в виде кольцевой опоры, внутри которой создается разрежение за счет подключения к вакуумной магистрали или насосу...

Способ магнитного контроля структуры материала изделия с размагничивающим фактором более 0,04

Загрузка...

Номер патента: 13520

Опубликовано: 30.08.2010

Автор: Сандомирский Сергей Григорьевич

МПК: G01N 27/72

Метки: материала, способ, более, структуры, контроля, размагничивающим, фактором, изделия, магнитного

Текст:

...полянамагничивающей катушки 2 и движется дальше вдоль направляющей 1 в намагниченном состоянии. При этом оно проходит сквозь индукционную измерительную катушку 4 и индуцирует в ней сигнал, поступающий на блок 5 обработки сигналов и сравнения, который выделяет из поступившего сигнала однополярный импульс напряжения, интегрирует его (результат интегрирования пропорционален остаточному магнитному потоку Ф в контролируемом изделии 7)....

Блок жилого здания и жилое здание блочной структуры (варианты)

Загрузка...

Номер патента: U 4925

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Иванов Анатолий Дмитриевич, Новиков Александр Алексеевич, Николайчик Александр Михайлович

МПК: E04H 1/00

Метки: здание, здания, структуры, жилого, варианты, блочной, блок, жилое

Текст:

...толщиной около 300 мм предпочтительно из газосиликатных блоков, а внутриквартирные стены выполнены в виде перегородок толщиной около 60-120 мм предпочтительно из газосиликатных блоков, полнотелого кирпича или легких гипсокартонных перегородочных систем. В тех формах реализации заявляемого жилого блока, которые содержат лоджии, несущие стены лоджий выполнены как продолжение несущих внутренних и, при необходимости, наружных стен....

Хронобиологическая линейка для моделирования структуры тренировочного процесса спортсменок

Загрузка...

Номер патента: 10741

Опубликовано: 30.06.2008

Автор: Фильгина Елена Васильевна

МПК: G06G 1/00

Метки: спортсменок, структуры, хронобиологическая, линейка, процесса, тренировочного, моделирования

Текст:

...ползунок,5 - корпус линейки,6 - подвижная часть линейки. На фиг. 2 на шкале 2 изображаются биологические мезоциклы длительностью 2122 дня. На фиг. 3 на шкале 2 изображены биологические мезоциклы длительностью 23-26 дней. На фиг. 4 на шкале 2 изображены биологические мезоциклы длительностью 2728 дней. На фиг. 5 на шкале 2 изображены биологические мезоциклы длительностью 2930 дней. На фиг. 6 на шкале 2 изображены биологические мезоциклы...

Способ определения дозы ионного легирования полупроводниковой структуры

Загрузка...

Номер патента: 10818

Опубликовано: 30.06.2008

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: способ, определения, структуры, ионного, дозы, полупроводниковой, легирования

Текст:

...см-3 и 1,041019 см-3 3, 10, т.е. все функции 11, 12, 13 описывают реакцию невырожденногона ионное облучение. Резистивный 1 и переходный 4 слои могут быть получены любым традиционным способом - эпитаксия осаждение поликристаллического полупроводника с одновременным или последующим его легированием до уровня не ниже (2-3)10 см-3 ионная имплантация. В последнем случае структура -(-) не имеет резкой границы, которая тогда условно...

Устройство для контроля структуры изделий из ферромагнитных материалов, связанной с их магнитными свойствами

Загрузка...

Номер патента: 9735

Опубликовано: 30.10.2007

Автор: Сандомирский Сергей Григорьевич

МПК: G01R 33/12, G01N 27/72

Метки: структуры, изделий, устройство, связанной, контроля, свойствами, магнитными, материалов, ферромагнитных

Текст:

...генератора 7 (фиг. 2) и блока 8 обработки сигнала феррозондаградиентометра 5, подключенных к феррозонду-градиентометру 5, плоского магниточувствительного преобразователя 9, например датчика Холла или магниторезистора, расположенного на торце нижней части корпуса 1, блока 10 памяти, входы которого подключены к выходам блока 8 обработки сигнала феррозонда-градиентометра 5 и плоского магниточувствительного преобразователя 9, и последовательно...

Способ и устройство для изготовления армирующей структуры для шин транспортных средств

Загрузка...

Номер патента: 8792

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: ДЕ ГЕЗЕ Игнацио, КАНТУ' Марко, МАРКИНИ Маурицио

МПК: B29D 30/16

Метки: средств, способ, изготовления, устройство, армирующей, структуры, шин, транспортных

Текст:

...параллельно, по меньшей мере, частично покрытые,по меньшей мере, слоем эластомерного материала накладывают полосообразнь 1 е сегменты, взаимосвязанные путем взаимного сближения, вдоль окружной развертки тороидальной опоры для формирования, по меньшей мере, армирующего слоя, имеющего непрерывную окружную развертку вокруг геометрической оси вращения.Изобретение также относится к устройству для осуществления вышеупомянутого способа,...

Способ изменения структуры интерференционных азимутально-симметричных световых полей

Загрузка...

Номер патента: 6898

Опубликовано: 30.03.2005

Авторы: Хило Петр Анатольевич, Краморева Лариса Ивановна, Хило Николай Анатольевич

МПК: G02F 1/35

Метки: изменения, способ, световых, структуры, интерференционных, полей, азимутально-симметричных

Текст:

...включает в себя направление исходного светового пучка гауссова типа на светоделительный элемент, его расщепление на объектный и опорный пучки и регистрацию азимутально-симметричного светового поля в объектной плоскости, причем объектный пучок преобразуют с помощью голографическисинтезируемого фильтра в бесселев световой пучок, который пропускают через нелинейный кристалл, при этом опорный пучок отражают зеркалом в направлении...

Способ получения изображения внутренней структуры объекта с использованием рентгеновского излучения и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 6725

Опубликовано: 30.12.2004

Авторы: КУМАХОВ, Мурадин Абубекирович

МПК: G01N 23/223

Метки: получения, устройство, способ, осуществления, внутренней, использованием, излучения, рентгеновского, объекта, изображения, структуры

Текст:

...для обработки и отображения информации, датчики для определения координат точки, к которой относят текущие результаты измерений, расположенной внутри исследуемой области объекта, связанные со средством позиционирования исследуемого объекта и рентгенооптической системой, подключенные своими выходами к средству для обработки и отображения информации, при этом рентгенооптическая система содержит один или несколько рентгеновских...

Способ изготовления капиллярной структуры контурной тепловой трубы

Загрузка...

Номер патента: 5945

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Балащенко Андрей Викторович, Мазюк Виктор Васильевич, Пилиневич Леонид Петрович, Рак Анатолий Леонидович

МПК: F28D 15/00

Метки: структуры, изготовления, капиллярной, контурной, способ, трубы, тепловой

Текст:

...исключающей возможность припекания к ней порошка. В пространство между корпусом и сердечником засыпают порошок. Подвергая сборку температурному воздействию в соответствующей защитной атмосфере,производят припекание фрагментов капиллярной структуры к корпусу. Поскольку фрагменты капиллярной структуры не связаны между собой, в процессе припекания центральная усадка отсутствует каждый фрагмент усаживается в направлении корпуса. Тем самым...

Способ получения слоистой композиционной структуры

Загрузка...

Номер патента: 5854

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Плескачевский Юрий Михайлович, Шаповалов Виктор Михайлович, Купчинов Борис Иванович, Кудин Сергей Владимирович

МПК: B32B 3/12

Метки: слоистой, способ, структуры, получения, композиционной

Текст:

...композиционной структуры осуществлять в две стадии на первой стадии при температуре 170-200 С, давлении 1-3 МПа в течение 58 минут. Такие температурно-временные параметры переработки способствуют оптимальному прогреву листовой заготовки, а также качественному контакту сотового заполнителя с листовой заготовкой, обеспечивая плавление сетчатого холста и наилучшие условия для формирования прочного адгезионного контакта на границе раздела сот...

Модель для демонстрации процессов разрушения и восстановления структуры материала

Загрузка...

Номер патента: 5684

Опубликовано: 30.12.2003

Автор: Шилько Сергей Викторович

МПК: G09B 23/08, G09B 23/10

Метки: разрушения, модель, демонстрации, процессов, восстановления, структуры, материала

Текст:

...монослой из микросфер вследствие их взаимного притяжения и высокой подвижности. Путем дозировки количества микросфер добиваются частичного заполнения монослоем поверхности жидкости. Демонстрацию процессов разрушения и восстановления структуры материала производят следующим образом. Опору модели устанавливают в горизонтальное положение, как показано на фиг. 1. В результате действия сил притяжения микросфер к стенкам кюветы монослой принимает...

Способ исследования структуры биологических микрообъектов, преимущественно клеток крови

Загрузка...

Номер патента: 5832

Опубликовано: 30.12.2003

Автор: Лапотко Дмитрий Олегович

МПК: G01N 21/00, G01N 33/48

Метки: исследования, структуры, преимущественно, биологических, способ, крови, микрообъектов, клеток

Текст:

...подвергают воздействию вторым пробным лазерным импульсом с параметрами, идентичными первому, в результате чего формируют второе изображение объекта для получения первого термооптического изображения путем вычитания сигналов для соответствующих точек второго и первого изображений, и с задержкой 0,01-1 мкс относительно начала лазерного импульса накачки исследуемый объект подвергают воздействию третьим пробным лазерным импульсом, в результате...

Модель структуры пористого материала

Загрузка...

Номер патента: 4556

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Плескачевский Юрий Михайлович, Черноус Дмитрий Анатольевич, Шилько Сергей Викторович

МПК: G09B 23/06, G09B 23/08

Метки: материала, структуры, модель, пористого

Текст:

...стержней показано на фиг. 2. Прототип имеет следующие недостатки трудоемкость изготовления модели недостаточное соответствие модели реальному материалу ограничения, накладываемые на структуру, в силу которых возможна демонстрация только нижнего предельного значения коэффициента Пуассона, равного - 1. Задачи, на решение которых направлено заявляемое изобретение создание менее трудоемкой в изготовлении модели структуры материала...