Патенты с меткой «солнечной»

Номер патента: 18230

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечной, энергии, преобразователь, полупроводниковый

Текст:

...полупроводника сформирован на -слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией 10 2010 21 см-3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает омический контакт с металлическим основанием 5. Его толщина составляет (0,10,4). Аналогичной концентрацией легирующей примеси обладает сильнолегированный -слой 6 широкозонного полупроводника, размещенный на -слое 1, однако его толщина составляет (0,30,5). Омическим контактом к...

Номер патента: 18229

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечной, полупроводникового, изготовления, энергии, способ, преобразователя

Текст:

...диффузии на -слое широкозонного полупроводника, например кремния, формируют сильнолегированный -слой, легированный акцептной примесью бором с концентрацией примеси 1020 - 1021 см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 , а время процесса составляет 0,3-0,8 ч. Стравливают обратную сторону монокристаллической полупроводниковой подложки-типа, например кремниевой, методом ионно-плазменного травления до требуемой толщины в...

Номер патента: 18231

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04, H01L 31/18

Метки: изготовления, солнечной, полупроводникового, способ, преобразователя, энергии

Текст:

...слой -типа более широкозонного полупроводника , легированный акцепторной примесьюс концентрацией(15)1016 см-3,и слой -типа более широкозонного полупроводника , легированного донорной примесью с(15)1016 см-3. Средняя скорость наращивания - и -слоев более широкозонного полупроводника составляет 2030 /с, температура нагрева основания Т 300400 С, а толщина этих слоев составляет 0,40,6 мкм. На - и -слоях более широкозонного полупроводника...

Номер патента: 17720

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Поликанин Александр Михайлович, Конойко Алексей Иванович, Залесский Валерий Борисович, Пилипович Владимир Антонович

МПК: H02N 6/00

Метки: энергии, солнечной, преобразования, электрическую, концентрации, устройство

Текст:

...прозрачную призму с нанесенным на ее первую боковую грань селективным зеркалом, установленную на выходе указанной пластины и непосредственно примыкающую к ней в зоне отсутствия отражающей голографической решетки, первая цилиндрическая линза нанесена на указанное селективное зеркало, а вторая цилиндрическая линза - на вторую боковую грань указанной призмы, противоположную первой грани и оптически связанную с ней, при этом отражающая...

Номер патента: U 9552

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 31/042

Метки: генератор, энергии, солнечной

Текст:

...задача решается тем, что генератор на солнечной энергии,содержащий солнечную панель, фоточувствительная поверхность которой оптически свя 2 95522013.10.30 зана с концентратором солнечного излучения термоэлектрическое устройство, горячие и холодные спаи которого термически связаны с ветвями -типа из одного или более сегментов полупроводниковых материалов, легированных донорной примесью, и ветвями-типа из одного или более сегментов...

Номер патента: U 8466

Опубликовано: 30.08.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: устройство, солнечной, энергии, электрическую, преобразования

Текст:

...Как показали результаты расчета и эксперимента,высота выступов-слоя 2 составляет 100200 мкм, их диаметр равен 100200 мкм, а ширина впадин, то есть расстояние между выступами, составляет 100200 мкм. Затем на сформированный-слой 2 с выступами и впадинами конформно наносятся методом молекулярно-лучевой эпитаксии -слой 3 того же широкозонного полупроводника собственной проводимости, обладающего высокой подвижностью носителей...

Номер патента: 16126

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович

МПК: F24J 2/14, H02N 6/00, F24J 2/10...

Метки: тепло, электричество, энергии, преобразователь, солнечной

Текст:

...полуцилиндрическим, механически и оптически связан со всеми поверхностями, а в его фокусе расположен тепловой коллектор, на внешней поверхности которого сформирована солнечная панель, причем солнечные элементы, закрепленные на опорной конструкции, имеют развитую фоточувствительную поверхность, а боковые треугольные поверхности выполнены прозрачными. Для эффективного решения поставленной технической задачи тепловой коллектор выполнен...

Номер патента: 15176

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Денисенко Михаил Фёдорович, Леонов Василий Севастьянович, Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04

Метки: электрическую, изготовления, энергии, способ, солнечной, преобразователя

Текст:

...гидридной эпитаксии(600700) С, а средняя скорость наращивания эпитаксиального слоя составляет (2030) /сек. Методом термической диффузии на -слое широкозонного полупроводника (кремния) формируют -слой, легированный акцепторной примесью - бором с концентрацией(10161017) см-3, толщиной (0,30,6) мкм. Температура процесса диффузии бора(10001100) С, а время процесса составляет (0,60,9) часа. Методом термической диффузии на -слое кремния формируют...

Номер патента: 15175

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Денисенко Михаил Фёдорович, Латышев Сергей Викторович, Леонов Василий Севастьянович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: энергии, солнечной, электрическую, преобразователь

Текст:

...полупроводника легирован акцепторной примесью с концентрацией (10161017) см-3, его толщина обусловливается максимальным переносом фото -инжектированных в -слое 2 носителей к-слою 4. Как показали результаты эксперимента, толщина -слоя 3 широкозонного полупроводника составляет (0,20,4) . Сильнолегированный -слой 4 широкозонного полупроводника сформирован на р-слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021)...

Номер патента: U 7509

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Конойко Алексей Иванович, Поликанин Александр Михайлович, Залесский Валерий Борисович, Пилипович Владимир Антонович

МПК: H02N 6/00

Метки: энергии, электрическую, концентрации, преобразования, устройство, солнечной

Текст:

...из голографического элемента 1, прилегающего к входной грани плоской прозрачной пластины 2 и образованного примыкающими друг к другу первой 3 и второй 4 пропускающими голографическими решетками, непосредственно к выходной грани плоской прозрачной пластины 2 прилегают первая 5, вторая 7 отражающие голографические решетки и двойная пропускающая голографическая решетка 6 между ними, вход набора селективных цилиндрических линз Френеля 8...

Номер патента: 14363

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Пилипович Владимир Антонович, Поликанин Александр Михайлович, Залесский Валерий Борисович, Конойко Алексей Иванович

МПК: H02N 6/00

Метки: электрическую, энергии, устройство, солнечной, концентрации, преобразования

Текст:

...решетки 5, непосредственно прилегающей к выходной грани плоской прозрачной пластины 2 и последовательно оптически связанной через набор селективных цилиндрических линз Френеля 6 с блоком селективных линейных фотопреобразователей 7, причем длина каждого селективного линейного фотопреобразователя больше длины соответствующей селективной цилиндрической линзы Френеля на величину определяемую углом ее поля зрения, а ширина двойной гологра 2 14363 1...

Номер патента: 13915

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Залесский Валерий Борисович, Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 31/00, H02N 6/00

Метки: преобразователь, солнечной, электрическую, энергии

Текст:

...элементов преобразователя солнечной энергии. В преобразователе солнечной энергии в электрическую входное солнечное излучение 1 параллельно поступает в массив оптических средств 3 и фокусирующий концентратор отражающего типа 2, содержащий оптически последовательно расположенные сферические зеркала 13 и плоские зеркала 14. Плоские зеркала 14 оптически связаны с массивом оптических средств 3, в котором каждое из оптических средств связано с...

Номер патента: U 5481

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/00

Метки: полупроводниковый, холод, преобразователь, солнечной, энергии

Текст:

...7 (прозрачный антиотражательный элемент), оптическая плотность которого выше, чем у р-слоя 6. В качестве материала просветляющего слоя используются окислы кремнияи О 2, а оптимальная толщина просветляющего слоя 7 составляет 0,05-0,15 мкм. Толщина металлического слоя решетчатого омического контакта 8 составляет 1-3 мкм, а занимаемая им площадь составляет 512 от всей площади р-слоя 6 устройства. При контакте невырожденных полупроводников...

Номер патента: U 5383

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечной, датчик, полупроводниковый, энергии

Текст:

...и обеспечивает омический контакт с электропроводящим слоем 4. Его толщина составляет (0,10,3) . Омическим контактом к р-слою 3 является проводящий слой 4,выполненный из прозрачного материала, например окиси индия-олова, который одновременно является просветляющим слоем. Он формируется толщиной (13) мкм. С помощью электропроводящего клея к нему по периметру присоединяется внешний металлический вывод 5, а сильнолегированный...

Номер патента: U 4598

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Стрибук Петр Васильевич, Кривонощенко Владимир Иванович, Казеев Юрий Иванович

МПК: G01T 1/00, G01W 1/12

Метки: солнечной, регистрации, прямой, радиации, устройство

Текст:

...3 соединены со входом электронного блока 4, выход которого электрически связан со входом табло 5. 2 45982008.08.30 Электронный блок 4 включает в себя плату питания, плату измерителя и плату индикации. Плата питания содержит трансформатор 36/12, выпрямитель, стабилизатор 5 и схему защиты модема и интерфейса 485. Плата измерителя содержит аналогоцифровой преобразователь, источник опорного напряжения, микроконтроллер, термостат до 25 С, модем и...

Номер патента: 9611

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Чабанов Дмитрий Алексеевич, Ерохов Николай Михайлович, Сычев Михаил Парфенович, Матасов Рев Александрович, Чабанов Алим Иванович, Севастьянов Владимир Петрович, Щукин Георгий Лукич, Соболев Валериан Маркович, Чепасов Александр Александрович, Соловьев Александр Алексеевич, Сидоренко Юрий Петрович, Марченко Владимир Романович, Городов Михаил Иванович, Баженов Андрей Николаевич, Смарж Иван Ильич, Жигайло Виктор Никифорович, Филипенко Евгений Семенович, Чабанов Владислав Алимович, Воронков Алексей Алексеевич

МПК: F24J 2/42, F24J 2/04

Метки: энергии, преобразования, комплекс, тепловую, солнечной

Текст:

...улучшит качество зеркальной поверхности в области наиболее высокой плотности потока солнечных лучей. Сами геометрические формы встроенных концентраторов и проводников солнечных лучей могут выполняться как из черного или цветного металла, так и из стекла, пластмасс или композитных материалов с покрытием их лучеотражающими поверхностями. Предусматривается также, что внутренняя среда камеры соединена с предохранительными клапанами. В...

Номер патента: 9610

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Сычев Михаил Парфенович, Смарж Иван Ильич, Чабанов Алим Иванович, Головченко Александр Иванович, Андрианов Иван Тимофеевич, Чабанова Владислав Алимович, Королев Владислав Михайлович, Бакаев Фарид Анварович, Сидоренко Юрий Петрович, Филипенко Евгений Семенович, Матасов Рев Александрович, Баженов Андрей Николаевич, Ерохов Николай Михайлович, Щукин Георгий Лукич, Мартынов Владимир Георгиевич, Соболев Валериан Маркович

МПК: F24J 2/42, F03G 6/00

Метки: солнечной, энергии, преобразования, способ, электрическую

Текст:

...же атмосферный ветер угрожающе нарастает по своей скорости и давлению, то управляемая гибкая надстройка либо опускается вниз частично или полностью, либо ее ветронагруженная боковая поверхность уменьшается другими средствами управления, при этом такое увеличение скорости ветра обеспечивает и возможность, в то же время, поддерживать выработку электроэнергии на необходимом уровне. Высокодинамичное вращательно-поступательное движение воздушного...

Номер патента: 9069

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Сычик Андрей Васильевич, Сычик Василий Андреевич, Шамкалович Владимир Иванович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/0352, H01L 31/04...

Метки: преобразователь, энергии, солнечной

Текст:

...носителей заряда . Р-варизонный слой 7 создает градиент напряженности электрического поля, ускоряя перенос фотогенерированных носителей заряда. Для достижения оптимального по максимуму разделения генерированных в р-варизонном слое 7 носителей заряда в диапазоне энергии фотонов 12 ширина этого слоя не должна превышать диффузионной длины основных избыточных носителей и составляет(0,5-0,9), причем она максимальная для полупроводников с...

Номер патента: 9005

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Соловьев Александр Алексеевич, Бакаев Фарид Анварович, Чабанов Владислав Алимович, Щукин Георгий Лукич, Гуня Михаил Арсентьевич, Жигайло Виктор Никифорович, Чепасов Александр Александрович, Матасов Рев Александрович, Воронков Алексей Алексеевич, Сычев Михаил Парфенович, Смарж Иван Ильич, Филипенко Евгений Семенович, Чабанов Дмитрий Алексеевич, Севастьянов Владимир Петрович, Сидоренко Юрий Петрович, Ерохов Николай Михайлович, Королев Владислав Михайлович, Чабанов Алим Иванович, Отмахов Леонид Федорович, Соболев Валериан Маркович

МПК: F24J 2/42, F24J 2/00

Метки: механическую, способ, преобразования, солнечной, энергии

Текст:

...(см. Не 2698682, опубл. 03.06.94 г.), использующий поглощение солнечных лучей темной поверхностью, нагрев воздуха, контактирующего с темной поверхностью, воздухопроницаемым гелиопогло ВУ 9005 С 1 200741248щающим Материалом, И его дальнейшее направление через ветротурбину. Данное техническое решение в своем конструктивном исполнении более эффективно, Чем предыдущее,в связи с важным применением воздухопроницаемого гелиопоглощающего...

Номер патента: 8524

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Захаревич Алексей Эдуардович, Якимович Дмитрий Дмитриевич, Сизов Валерий Дмитриевич, Хрусталев Борис Михайлович, Захаревич Эдуард Владимирович

МПК: G01N 21/00

Метки: солнечной, определения, радиации, поглощения, строительных, коэффициента, материалов, способ

Текст:

...излучения материала- плотность материала, кг/м Примеры осуществления способа. Пример 1. Определяют коэффициент поглощения солнечной радиации дубовой строганной доски при температуре Т 293 К. Известным экспериментальным способом (с помощью компьютерного термографа ИРТИС-200) находят коэффициент излучения 0,90. Далее известным экспериментальным способом (нестационарным методом с помощью прибора ИТ-) определяют коэффициент...

Номер патента: 8523

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Захаревич Эдуард Владимирович, Захаревич Алексей Эдуардович, Сизов Валерий Дмитриевич, Якимович Дмитрий Дмитриевич, Хрусталев Борис Михайлович

МПК: G01N 21/00

Метки: поглощения, определения, способ, радиации, солнечной, сталей, полированных, коэффициента

Текст:

...задача решается тем, что в способе определения коэффициента поглощения солнечной радиации полированных сталей, включающем определение коэффициента излучения материала, дополнительно определяют коэффициент теплопроводности, а коэффициент поглощения солнечной радиации Р материала при температуре поверхности материала Т 27340 К определяют по формуле Р(1,29610-22,567),где Р - коэффициент поглощения солнечной радиации материала- коэффициент...

Номер патента: 5569

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Крутько Эльвира Тихоновна, Мартинкевич Александр Александрович, Прокопчук Николай Романович

МПК: C08L 79/08

Метки: энергии, концентратора, поверхности, композиция, солнечной, отражающей, формирования

Текст:

...отражающей поверхности концентратора солнечной энергии, обладающей улучшенными оптическими и механическими характеристиками. Поставленная задача решается заявляемой композицией для формирования отражающей поверхности концентратора солнечной энергии, содержащей раствор полиамидокислоты на основе пиромеллитового диангидрида и 4,4-диаминодифенилоксида в диметилформамиде (ДМФА), в которую дополнительно введен меламиноформальдегидный олигомер при...