Патенты с меткой «силовых»

Номер патента: 18059

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: приборов, силовых, способ, ядерно-легированном, полупроводниковых, изготовления, быстродействующих, кремнии

Текст:

...Задачей изобретения является увеличение процента выхода годных приборов за счет лучшего соотношения частотных и статических характеристик. Способ изготовления силовых и быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии, при котором полностью сформированные приборные структуры с переходами и контактами перед посадкой в корпуса облучают при температуре 340-360 С в течение времени 5-10 мин до флюенса 21014-31014 см-2....

Номер патента: U 10008

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Гришин Сергей Александрович, Ильин Виктор Николаевич, Климентовский Виталий Викторович

МПК: G01D 9/12, G01D 3/036

Метки: регистрации, комплекс, параметров, установок, силовых, состояния, энергетических, технического

Текст:

...электроники канала регистрации магнитного поля канал регистрации температуры, содержащий электрически связанные преобразователь температуры и блок электроники канала регистрации температуры канал регистрации видеопотока данных, содержащий электрически связанные видеокамеру и модуль интерфейса видеокамеры при этом модуль интерфейса,блоки электроники канала регистрации магнитного поля и канала регистрации температуры, модуль интерфейса...

Номер патента: U 9820

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Григорьев Сергей Иванович, Зайченко Александр Николаевич

МПК: B23P 19/02

Метки: цилиндров, силовых, ремонта, стенд

Текст:

...у поршня, когда усилие распрессовки действует на всей длине хода штока. В основу полезной модели положена техническая задача создания стенда для ремонта силовых цилиндров с более низкой трудоемкостью в изготовлении и простотой в эксплуатации при обслуживании, высоким качеством и прочной конструкцией. Решение поставленной технической задачи достигается тем, что стенд для ремонта силовых цилиндров, включающий раму, горизонтальный...

Номер патента: 15626

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: изготовления, кремниевых, способ, силовых, диодов

Текст:

...(ЗПР) неравновесных носителей заряда (ННЗ) в приборной структуре, обеспечивая тем самым низкое значение прямого падения напряжения на диодепри необходимом быстродействии, нуждаются в доводке параметров на заключительном этапе их производства. Дело в том, что введение ЗПР в диодные структуры до посадки их в корпуса бесспорно технологично, но посаженные в корпуса диодные структуры имеют больше допустимого разброс по быстродействию времени...

Номер патента: 15625

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: диодов, способ, космических, отбора, аппаратов, кремниевых, силовых

Текст:

...к наличию любых структурных дефектов, в том числе и радиационных, является время жизни неравновесных носителей зарядаННЗ в базовой, наименее легированной области диодной структуры. Экспериментально установлено 6, что этот электрический параметр в диодах на кремнии в достаточно широком и важном для практики диапазоне доз облучения (Ф)(гамма-квантами, быстрыми электронами, нейтронами и протонами) сохраняет линейный характер зависимости...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Становский Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Викторович, Солодуха Виталий Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: примесей, пластины, изготовления, диффузии, силовых, кремниевые, способ, полупроводниковых, акцепторных, приборов

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Номер патента: 14465

Опубликовано: 30.06.2011

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: способ, повышенной, радиационной, силовых, диодов, стойкостью, отбора

Текст:

...после воздействия и отбор диодов по изменению этих параметров. Новым, по мнению авторов, является то, что облучение электронами проводят при температуре от 130 до 150 С флюенсами, составляющими от 10 до 15 от численного значения концентрации основной легирующей примеси в исходном полупроводниковом материале диодов. Сущность способа заключается в реализации возможности проведения полного цикла отбраковочных испытаний силовых диодов на...

Номер патента: 13932

Опубликовано: 30.12.2010

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00

Метки: кремния, диодов, силовых, радиационно-термической, способ, обработки, основе

Текст:

...кроме последней, ступени облучения. Сущность изобретения заключается в том, что при ступенчатом наборе дозы электронного облучения с последующей дополнительной термообработкой после каждого шага облучения происходит более эффективное, чем при непрерывном облучении и однократном отжиге, накопление рекомбинационного центра (или центров), контролирующих время жизни ННЗ. Возможной причиной такой особенности ступенчатой РТО является то,что...

Номер патента: U 6881

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Гулидин Петр Константинович, Кабанов Юрий Михайлович

МПК: A63B 21/00

Метки: развития, силовых, устройство, способностей, человека

Текст:

...грудной, дельтовидной, трехглавой мышц и группы мышц предплечья. При выполнении упражнения уменьшение нагрузки происходит при перемещении к тренирующемуся груза 5 по оси 4 и удлинении рукоятки 6 увеличение нагрузки - при перемещении от тренирующегося груза 5 по оси 4 и укорачивании рукоятки 6. В варианте В тренирующийся принимает исходное положение лежа на спине на скамейке, ноги внизу согнутые в коленях, стопы подведены под рукоятку 6....

Номер патента: 13130

Опубликовано: 30.04.2010

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: кремниевых, ненадежных, способ, отбраковки, потенциально, диодов, силовых

Текст:

...после проведения при упомянутом радиационном воздействии термоциклирования в диапазоне температур от - 75 до 185 С в течение от 30 до 40 мин. Сущность способа. Диоды, полученные на основе высокоомных кремниевых структур с переходом, подвергают термоциклированию (воздействию тепловых ударов при многократном изменении температуры от отрицательных до положительных и наоборот) в диапазоне от -75 до 185 С в течение 30-40 мин в процессе низко...

Номер патента: U 5514

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Белевич Александр Владимирович, Адашкевич Владимир Иосифович, Красневский Леонид Григорьевич, Коломиец Михаил Антонович

МПК: G01M 13/02, G01M 17/00

Метки: установок, транспортных, стенд, машин, силовых, исследования

Текст:

...и колодочный тормоз 4 соединен с входным валом механической трансмиссионной передачи 1, первый выходной вал которой связан с устройством 5 торможения, а второй - через датчик 6 крутящего момента с машиной 7 постоянного тока, якорные обмотки которой присоединены к первому и второму выводам регулятора 8, обмотка 9 возбуждения присоединена к третьему и четвертому выводам регулятора 8, связанного по информационной шине 10 с датчиками 3, 6...

Номер патента: 12023

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: ЗИН, Ги

МПК: E21D 15/00, F16B 11/00

Метки: частей, силовых, стыковое, устройств, гидравлических, функциональных, соединение, пневматических, или

Текст:

...со стыковым соединением также отливается и направляющая манжета. Поршень гидравлического силового цилиндра образует следующую область применения для способа и стыкового соединения, причем тогда первая часть может состоять из поршневого штока, а вторая часть - из круглого в поперечном сечении поршневого кольца. Кроме того, стыковое соединение, согласно изобретению, обеспечивает преимущество простого и быстрого технического...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Кресло Сергей Михайлович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластины, силовых, акцепторных, диффузии, полупроводниковых, изготовления, примесей, приборов, кремниевые, способ

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...

Номер патента: 9438

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: ПЕКЕЛИС ВСЕВОЛОД ГРИГОРЬЕВИЧ, Новаш Татьяна Анатольевна, ГИНЗБУРГ МАРАТ ЛЬВОВИЧ

МПК: H01F 27/10

Метки: масла, отбора, режимом, мощных, управления, тепла, силовых, устройство, тепловым, трансформаторов, трансформаторного

Текст:

...должна выбираться с запасом в расчете на самую низкую температуру масла при отрицательных температурах наружного воздуха. Целью изобретения является создание простого и дешевого устройства для обеспечения стабилизации температуры масла на любом заданном уровне, который устанавливается в зависимости от конструкции трансформатора и его эксплуатационного состояния, и повышение эффективности применения тепловых насосов. Поставленная цель...