Патенты с меткой «схем»

Сеткавы блок сілкавання электронных схем з рэактыўным баластам

Загрузка...

Номер патента: U 8322

Опубликовано: 30.06.2012

Автор: Пернікаў Віктар Васільевіч

МПК: H02M 7/00

Метки: блок, сілкавання, рэактыўным, сеткавы, электронных, схем, баластам

Текст:

...атрыманне малапамернага сеткавага блока слкавання з рэактыным баластам, як трымлвае мнмум дэталей мнмальнай усталяванай магутнасцю дзеля слкавання ншых электронных схем у х складзе. Рэалзацыя дадзенай мэты дасягаецца тым, што ланцуг з паслядона спалучаных абмяжоваючага рэзстара, кандэнсатара рэактынага баластастаблтрона далучаецца непасрэдна да сеткавай напруг без выкарыстання выпрамнкавых дыда. Функцы аднапаперыяднага выпрамнка выконвае...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/02

Метки: твердых, схем, планарных, приборов, полупроводниковых, способ, изготовления, интегральных, создании, бора, источников

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Способ планаризации микрорельефа при изготовлении интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 13309

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Родин Георгий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/70, H01L 21/02

Метки: изготовлении, микрорельефа, планаризации, схем, интегральных, способ

Текст:

...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...

Композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Бересневич Людмила Брониславовна, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Кузик Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Мойсейчук Константин Леонидович

МПК: H01L 21/02

Метки: интегральных, полупроводниковых, бора, получения, композиция, приборов, твердых, источников, изготовлении, схем

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Полиимидная композиция для защиты кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11322

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Глоба Иван Иванович, Крутько Эльвира Тихоновна, Галиева Жаннета Николаевна, Глоба Анастасия Ивановна, Жарская Тамара Александровна

МПК: C08L 79/00

Метки: композиция, схем, полиимидная, полупроводниковых, защиты, приборов, кристаллов, интегральных

Текст:

...влияние на теплофизические характеристики покрытия, благодаря чему достигается меньшая разница между коэффициентами термического расширения материалов, из которых изготовлены функциональные элементы кристалла, и защитного покрытия, обеспечивая меньшую вероятность повреждения микроэлементов структуры по причине несогласованности этих характеристик. Экспериментально установлено, что эффект снижения усадки защитного покрытия и повышения выхода...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 10429

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: интегральных, твердых, планарных, приборов, источников, бора, изготовления, схем, создании, полупроводниковых, способ

Текст:

...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...

Твердый планарный источник диффузии бора для изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: бора, схем, твердый, интегральных, планарный, полупроводниковых, диффузии, приборов, изготовления, источник

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...

Система контроля параметров многофункциональных электронных контрольных схем

Загрузка...

Номер патента: 9021

Опубликовано: 30.04.2007

Автор: Безсчастный Василий Алексеевич

МПК: G05B 23/02

Метки: система, контрольных, электронных, схем, многофункциональных, параметров, контроля

Текст:

...8 сравнивается с заданным кодом, который хранится в памяти вычислителя 14 пульта 1. Если код из выхода блока 8 соответствует заданному значению кода с заданным допуском, то измерительные аналоговые каналы блока 8 являются исправными. А если значение двоичного кода из выхода блока 8 не соответствует заданному значению кода с заданным допуском, то измерительные аналоговые каналы блока 8 неисправны и система требует ремонта. Результаты...

Способ изготовления системы металлизации интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 7756

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/28, C23C 14/00...

Метки: схем, способ, системы, металлизации, интегральных, изготовления

Текст:

...процесс проводят после УФ-облучения фоторезиста в 0,9 растворе гидрооксида калия, применяемом для проявления фоторезиста. При этом по окончании удаления фоторезиста происходит контакт поверхности полиимидной пленки с раствором щелочи и протекает первая стадия гидролиза. Химическая реакция взаимодействия гидрооксида калия и полиимида представлена ниже Наличие на поверхности полиимидной пленки солей полиамидокислоты отрицательно...

Способ изготовления кремниевых МДП – интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 6430

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/26, H01L 21/268

Метки: мдп, интегральных, способ, изготовления, схем, кремниевых

Текст:

...чем клтр кремния, то в пленке нитрида кремния на границе с оксидом возникают еще большие механические напряжения, чем в кремнии. По этой причине основная часть загрязняющей примеси из кремния и оксида кремния переходит в нитрид кремния, который затем удаляется. Этот переход происходит при термообработке, каковой является операция локального окисления кремния. Таким образом, нитрид кремния является своеобразным встроенным геттером для...

Способ изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 6429

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/316, H01L 21/76

Метки: изоляции, способ, кмдп, интегральных, изготовления, межкомпонентной, схем

Текст:

...счет снижения дефектности подложки в области изолирующего перехода и уровней механических напряжений в ней. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающем формирование областей карманов в кремниевой подложке, нанесение нитридной маски, подлегирование подложки с активизацией примеси путем термообработки в атмосфере инертного газа для получения - охранных областей,...

Восстановление тонической секреции эстрогена из яичников для продолжительных схем лечения

Загрузка...

Номер патента: 5425

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: ХОДГЕН, Гари Д., ФИЛИПС, Одри

МПК: A61K 38/00, A61P 5/24, C07K 5/00...

Метки: схем, секреции, тонической, продолжительных, яичников, эстрогена, лечения, восстановление

Текст:

...достаточной информации. Сейчас уже известно, что у разных людей в ответ на данную дозу антагонистаразличен не только уровень секреции эстрадиола, но и дозировка антагониста, которого достаточно, чтобы вызвать аменорею у субъекта, также различна для разных людей. Поэтому было выявлено,что определение дозировки должно сопровождаться титрованием дозы антагониста ,например, посредством применения теста на введение прогестерона. Соответственно,...

Способ изготовления полупроводниковых интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 3700

Опубликовано: 30.12.2000

Авторы: Юшкевич Геннадий Иосифович, Бордодынов Александр Петрович

МПК: H01L 21/308

Метки: полупроводниковых, изготовления, схем, способ, интегральных

Текст:

...слое вне областей вскрытия окон в защитном проводящем и изолирующем слоях. Таким образом, второй проводящий слой формируется не только на защитном проводящем слое и на полупроводниковом слое (во вскрытых контактных окнах), а и на тонком изолирующем слое во вскрытых во время дополнительной фотолитографии окнах. Введение дополнительной операции позволит обеспечить гарантированно надежное соединение элементов металлической разводки с...

Способ создания металлизации полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 2823

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Пономарь Владимир Николаевич, Пилипенко Владимир Александрович, Чигирь Григорий Григорьевич

МПК: H01L 21/324

Метки: полупроводниковых, способ, интегральных, металлизации, приборов, схем, создания

Текст:

...поверхности плнок алюминия после таких термообработок является практически отсутствие бугров и плнки остаются стабильными по структуре при проведении последующих операций фотолитографии высота бугров на плнках алюминия, измеренная на растровом электронном микроскопе после термообработки в предлагаемых режимах, проведения операций плазмохимического травления алюминия и удаление фоторезистора не превышает 0,10-0,15 мкм высота бугров на...

Накопительный конденсатор элемента памяти интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 2639

Опубликовано: 30.03.1999

Авторы: Цыбулько Игорь Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Смаль Игорь Вацлавович, Довнар Николай Александрович, Красницкий Василий Яковлевич

МПК: H01L 27/10, H01L 29/92

Метки: конденсатор, интегральных, схем, элемента, памяти, накопительный

Текст:

...3, разделительную область 4 из диэлектрического материала повторяющую рельеф первой обкладки, вторую обкладку 5 из легированного поликремния, нижняя поверхность которой повторяет рельеф первой. Работа накопительного конденсатора идентична работе типового однотранзисторного элемента памяти динамического запоминающего устройства. В техническом решении по изобретению получается канавка с несколькими проводящими перегородками, что позволяет не...

Способ изготовления горизонтальных р-п-р транзисторов для интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 2336

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Сасновский Владимир Арестархович, Чаусов Виктор Николаевич, Балбуцкий Сергей Васильевич, Гайдук Сергей Иванович

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, схем, горизонтальных, р-п-р, способ, транзисторов, изготовления

Текст:

...и пленки двуокиси кремния СУМР ной толщиойсО 3 мкм. Методом ФОТОлитографии и травления пленки и слоя двуокиси кремния вскрыаются контактные отверстия к областям итеГР 8 ПЬ Ной схемы. Методом фотолитографии формируютфотореэнстнвную маску С Отверстием над областью контакта К КОЛ лектору прптранэистора. СЛУЖЗЩЕГО одновременно контактом к базовой Об 50ппантацией ионов фосфора с ЗНЕРГНЭЙ 30 кэВ и поверхностной концентрациейконтакта области базы...

Способ изготовления низкопороговых КМДП-интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 2335

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Воронин Сергей Иванович, Костенко Евгений Михайлович, Ершова Надежда Васильевна

МПК: H01L 21/82

Метки: способ, схем, изготовления, низкопороговых, кмдп-интегральных

Текст:

...окислением в сухом ЕС 1 при Т 100 ОС 0создают подзатворный окисел толщиной 400 А. Из графиков, поназанннх на фиг.1 и 2, видно, что при этом пороговые напряжения р-канального транзистора соспэплнт 0,7 В, пнанального транзистора 050 В. Затем наносят полпкремний И с помощью фотолито г графин формируют электродьтзатворов и первый уровень металли зации. Затем формируют межслоиннй диэлектрик и о помощью фотолитографии вскрывают отверстия к...