Патенты с меткой «радиационной»

Номер патента: 18058

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Коршунов Федор Петрович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: радиационной, отбраковки, способ, шоттки, диодов

Текст:

...до 5,1610-2 Кд/кг, одновременно пропуская через диоды прямой ток, величина которого составляет от 1 до 5 максимального прямого тока диода, измеряют величину пробивного напряжения у облученных диодов и осуществляют их отбраковку по изменению этой величины. Сущность способа состоит в следующем. Диоды Шоттки облучают при комнатной температуре малыми (относительно уровня легирования исходного полупроводника) дозами гамма-облучения при...

Номер патента: 17795

Опубликовано: 30.12.2013

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: способ, биополярных, радиационной, транзисторов, отбраковки

Текст:

...обратного тока упомянутых транзисторов для обеспечения активации поверхностных дефектов в переходах транзисторных структур осуществляют термическое воздействие на транзисторы в течение 50,5 ч при температуре 125 С при подаче на транзисторы смещения, составляющего не более 70 от максимально установленного запирающего напряжения для данных транзисторов, после чего осуществляют низкоинтенсивное радиационное и термическое воздействие на...

Номер патента: U 8544

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Савлучинский Валерий Всеволодович, Кобзаренко Андрей Викторович

МПК: G06C 11/00

Метки: обстановки, линейка, оценки, радиационной

Текст:

...пластину с нанесенными на ней цифровыми значениями для приведения вооружения артиллерии к расчетному огневому средству 8, с пределами измерений вооружения артиллерии, выраженными в штатных единицах от 1 до 78, цифровыми значениями для приведения вооружения авиации к расчетному огневому средству 9, с пределами измерений авиационных средств поражения, выраженными в штатных единицах от 1 до 76, шкалу для расчета возможностей по огневому...

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: быстродействующих, способ, приборных, полупроводниковых, приборов, радиационной, обработки, изготовлении, структур

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Номер патента: 15627

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отбраковки, моп-транзисторов, радиационной, способ

Текст:

...а у приборов с небольшим количеством дефектов или бездефектных таких изменений значительно меньше. Так, количество накопленного при облучении в диэлектрике объемного заряда определяется дефектами роста пленки и количеством примесей в диэлектрике. Наличие указанных дефектов в МОП-транзисторах при одной и той же дозе излучения приводит к значительному сдвигу порогового напряжения по сравнению с транзисторами, не имеющими таких дефектов. 15627...

Номер патента: 14465

Опубликовано: 30.06.2011

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: силовых, радиационной, диодов, повышенной, стойкостью, способ, отбора

Текст:

...после воздействия и отбор диодов по изменению этих параметров. Новым, по мнению авторов, является то, что облучение электронами проводят при температуре от 130 до 150 С флюенсами, составляющими от 10 до 15 от численного значения концентрации основной легирующей примеси в исходном полупроводниковом материале диодов. Сущность способа заключается в реализации возможности проведения полного цикла отбраковочных испытаний силовых диодов на...

Номер патента: 13703

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/00

Метки: кремниевых, радиационной, повышения, стойкости, биполярных, способ, структур

Текст:

...стойкости биполярных кремниевых структур, при котором осуществляют их термообработку при температуре 400-450 С в течение 18002700 с и воздействуют проникающим излучением. Новым, по мнению авторов, является то, что в процессе термообработки облучают упомянутые структуры пучком электронов с интенсивностью от 11010 до 51010 см-2 с-1. Сущность изобретения. Известно, что термообработка кислородного -типа кремния в диапазоне 400-500 С существенно...

Номер патента: 11642

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: основе, приборов, отбраковки, полупроводниковых, способ, кремния, радиационной, стойкости

Текст:

...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...

Номер патента: 11650

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Жданок Виталий Александрович, Крауклис Андрей Владимирович, Лапцевич Павел Степанович, Жданок Ольга Михайловна

МПК: F23D 14/12

Метки: радиационной, газораспределитель, газовой, горелки

Текст:

...толщина решетки составляет не более 5,0 мм, решетка имеет ребра толщиной не более 1,0 мм, угол наклона ребер к плоскости решетки 45-60, а кромки соседних ребер лежат в одной плоскости, перпендикулярной к плоскости решетки. 11650 1 2009.02.28 Ребра газораспределителя могут быть в виде плоских или гофрированных пластин или концентрических конусных колец. Данная конструкция газораспределителя повышает равномерность потока гозовоздушной смеси,...

Номер патента: 11098

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: стойкости, способ, кремниевых, высоковольтных, радиационной, полупроводниковых, диодов, отбраковки

Текст:

...стойкость кремниевых диодов обычно определяется устойчивыми изменениями на прямой ветви вольтамперной характеристики, обусловленными радиационными эффектами смещений в кристалле кремния. Однако в ряде случаев радиационная стойкость кремниевых диодов может определяться изменениями на обратной 2 11098 1 2008.08.30 ветви вольтамперной характеристики, обусловленными поверхностными радиационными эффектами, наступающими даже при малых дозах...

Номер патента: 10133

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: стойкости, отбраковки, основе, приборов, радиационной, кремния, полупроводниковых, способ

Текст:

...полученном одним и тем же способом, может существенно различаться. Так, в тянутом кремнии, выращенном методом Чохральского и являющемся базовым материалом большинства диодов, транзисторов и тиристоров средней мощности,концентрация кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной...

Номер патента: 8754

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/26, H01L 21/322, H01L 21/263...

Метки: приборов, обработки, полупроводниковых, кремниевых, радиационной, способ

Текст:

...носителей заряда, можно достичь, если рекомбинационные центры распределены не равномерно по базовой области, а в виде профиля, спадающего вглубь базы. Это позволяет существенно (уменьшить) снизить энергопотери на приборе в проводящем состоянии.Сущность изобретения состоит в том, что готовые кремниевые приборы, находящиеся под обратным смещением, подвергают облучению пучком электронов при пониженной температуре 90-120 К. Такая...