Патенты с меткой «р-п-р»
Способ изготовления горизонтальных р-п-р транзисторов для интегральных схем
Номер патента: 2336
Опубликовано: 30.09.1998
Авторы: Сасновский Владимир Арестархович, Балбуцкий Сергей Васильевич, Чаусов Виктор Николаевич, Гайдук Сергей Иванович
МПК: H01L 21/265
Метки: способ, р-п-р, схем, транзисторов, горизонтальных, интегральных, изготовления
Текст:
...и пленки двуокиси кремния СУМР ной толщиойсО 3 мкм. Методом ФОТОлитографии и травления пленки и слоя двуокиси кремния вскрыаются контактные отверстия к областям итеГР 8 ПЬ Ной схемы. Методом фотолитографии формируютфотореэнстнвную маску С Отверстием над областью контакта К КОЛ лектору прптранэистора. СЛУЖЗЩЕГО одновременно контактом к базовой Об 50ппантацией ионов фосфора с ЗНЕРГНЭЙ 30 кэВ и поверхностной концентрациейконтакта области базы...