Патенты с меткой «преобразователя»

Номер патента: 18229

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04

Метки: изготовления, полупроводникового, способ, энергии, преобразователя, солнечной

Текст:

...диффузии на -слое широкозонного полупроводника, например кремния, формируют сильнолегированный -слой, легированный акцептной примесью бором с концентрацией примеси 1020 - 1021 см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 , а время процесса составляет 0,3-0,8 ч. Стравливают обратную сторону монокристаллической полупроводниковой подложки-типа, например кремниевой, методом ионно-плазменного травления до требуемой толщины в...

Номер патента: 18231

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04, H01L 31/18

Метки: солнечной, изготовления, способ, преобразователя, полупроводникового, энергии

Текст:

...слой -типа более широкозонного полупроводника , легированный акцепторной примесьюс концентрацией(15)1016 см-3,и слой -типа более широкозонного полупроводника , легированного донорной примесью с(15)1016 см-3. Средняя скорость наращивания - и -слоев более широкозонного полупроводника составляет 2030 /с, температура нагрева основания Т 300400 С, а толщина этих слоев составляет 0,40,6 мкм. На - и -слоях более широкозонного полупроводника...

Номер патента: U 8751

Опубликовано: 30.12.2012

Автор: Ольшевский Александр Петрович

МПК: G02B 23/12, H01J 31/50

Метки: преобразователя, блок, электронно-оптического, замены

Текст:

...значение которого достигает 6 кВ. Недостатками данного прибора являются высокое напряжение, необходимое для работы устройства, а также то, что при воздействии дневного света происходит так называемая засветка - деградация (выгорание) фотокатода и выход его из строя. Задачей полезной модели является расширение функциональных возможностей устройства для использования в приборах ночного видения и увеличение его эффективности, т.е....

Номер патента: 15176

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович, Леонов Василий Севастьянович, Денисенко Михаил Фёдорович

МПК: H01L 31/04

Метки: энергии, солнечной, изготовления, способ, преобразователя, электрическую

Текст:

...гидридной эпитаксии(600700) С, а средняя скорость наращивания эпитаксиального слоя составляет (2030) /сек. Методом термической диффузии на -слое широкозонного полупроводника (кремния) формируют -слой, легированный акцепторной примесью - бором с концентрацией(10161017) см-3, толщиной (0,30,6) мкм. Температура процесса диффузии бора(10001100) С, а время процесса составляет (0,60,9) часа. Методом термической диффузии на -слое кремния формируют...

Номер патента: 10896

Опубликовано: 30.08.2008

Автор: Черяев Виктор Александрович

МПК: H01F 19/00, H02M 3/28, H02M 3/08...

Метки: ячейка, преобразователя, напряжения

Текст:

...трансформатора. Линия может быть выполнена с распределенными параметрами, что позволяет повысить частоту преобразования. Предлагаемая ячейка может работать как в обратноходовом режиме, так и в прямоходовом. На фиг. 1 изображена электрическая схема предлагаемой ячейки преобразователя. На фиг. 2 изображена электрическая схема обратноходового преобразователя с предлагаемой ячейкой. На фиг. 3 изображена эквивалентная схема обратноходового...