Патенты с меткой «полупроводниковый»

Номер патента: 18230

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечной, преобразователь, полупроводниковый, энергии

Текст:

...полупроводника сформирован на -слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией 10 2010 21 см-3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает омический контакт с металлическим основанием 5. Его толщина составляет (0,10,4). Аналогичной концентрацией легирующей примеси обладает сильнолегированный -слой 6 широкозонного полупроводника, размещенный на -слое 1, однако его толщина составляет (0,30,5). Омическим контактом к...

Номер патента: 16917

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Башкиров Семен Александрович

МПК: H01L 31/18

Метки: тонкопленочный, полупроводниковый, фотодетектор

Текст:

...его стоимости. Новым, по мнению авторов, является использование в тонкопленочном полупроводниковом фотодетекторе в качестве полупроводникового слоя тонкой пленки - толщиной от 0,5 до 3 мкм. Сущность изобретения заключается в создании многослойной структуры стекло/-/. Создание структуры включает следующие стадии получение тонкой пленки - толщиной 0,5-3 мкм на стекле,нанесение на полученную пленку тонкого слоятолщиной 1-2 мкм. На первом...

Номер патента: 16032

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Шелег Александр Устинович, Корзун Борис Васильевич, Желудкевич Александр Ларионович

МПК: C30B 29/46

Метки: материал, полупроводниковый

Текст:

...определяли по знаку термо-э.д.с. Примеры конкретного получения нового полупроводникового материала. Пример 1. Для получения нового полупроводникового материала 1-1,99-(1-) с атомарной долей галлия 0,20 и недостатком серы 0,05, что соответствует составу 0,200,801,95, в кварцевую ампулу внутренним диаметром 28 мм и длиной 160 мм загружали шихту, содержащую механическую смесь химических элементов, ат. доля -0,2532,- 0,0506,- 0,2025,- 0,4937....

Номер патента: U 7184

Опубликовано: 30.04.2011

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 33/00

Метки: полупроводниковый, светодиод

Текст:

...стопроцентной рекомбинацией инжектированных в его область через прямосмещенные - первый переход дырок и - второй прямосмещенный переход электронов и составляет (1,11,6), где- диффузионная длина носителей заряда. Сильнолегированный -слой 1 широкозонного полупроводника сформирован на металлическом основании 2 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021) см 3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает...

Номер патента: U 6298

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразователь, излучений, оптических, полупроводниковый

Текст:

...эпитаксии, представляющий твердый раствор интерметаллического соединения 1. Параметр степени концентрации компонента в раствореизменяется от ну 21 ля до единицы, причем со стороны -слоя 4 из узкозонного полупроводника он представляет материал этого слоя -, а со стороны -области - перехода 2 - материал этой 2 области, то есть соединение 1. Например, если материалом -области - перехода являетсяс 21,43 эВ, а материалом -слоя 4 -с 30,36...

Номер патента: U 6251

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: G01K 7/16

Метки: преобразователь, полупроводниковый, температуры

Текст:

...Информационный омический контакт 6 к полупроводниковому основанию 1 с внешним выводом представляет слой толщиной 1,0-2,0 мкм на сильнолегированной области полупроводникового основания 1. Диэлектрический слой 2, нанесенный на полупроводниковое основание 1, обладает высокими изоляционными свойствами, его толщина 1-3 мкм. Он может формироваться из оксида кремния или оксида алюминия. Полупроводниковый слой 3 выполнен из более широкозонного...

Номер патента: 12233

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Стеценко Владимир Юзефович, Минкович Николай Петрович, Борисов Василий Иванович

МПК: G01J 5/20, G01K 11/00

Метки: полупроводниковый, датчик, волоконно-оптический, температуры

Текст:

...элемент выполнен в виде плоскопараллельной полупроводниковой пластины, вторая сторона которой выполнена матированной,приемные световоды собраны в волоконно-оптический жгут, волокна которого в области 2 12233 1 2009.08.30 контакта с термочувствительным элементом окружают выходной торец излучающего световода. В области контакта приемных световодов с фотоприемником они образуют волоконно-оптический жгут, что увеличивает...

Номер патента: U 5481

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H01L 35/00

Метки: солнечной, полупроводниковый, холод, энергии, преобразователь

Текст:

...7 (прозрачный антиотражательный элемент), оптическая плотность которого выше, чем у р-слоя 6. В качестве материала просветляющего слоя используются окислы кремнияи О 2, а оптимальная толщина просветляющего слоя 7 составляет 0,05-0,15 мкм. Толщина металлического слоя решетчатого омического контакта 8 составляет 1-3 мкм, а занимаемая им площадь составляет 512 от всей площади р-слоя 6 устройства. При контакте невырожденных полупроводников...

Номер патента: U 5383

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый, датчик, солнечной, энергии

Текст:

...и обеспечивает омический контакт с электропроводящим слоем 4. Его толщина составляет (0,10,3) . Омическим контактом к р-слою 3 является проводящий слой 4,выполненный из прозрачного материала, например окиси индия-олова, который одновременно является просветляющим слоем. Он формируется толщиной (13) мкм. С помощью электропроводящего клея к нему по периметру присоединяется внешний металлический вывод 5, а сильнолегированный...

Номер патента: 8982

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Белоус Анатолий Иванович, Залесский Валерий Борисович

МПК: H01L 25/03, H01L 29/74

Метки: выпрямитель, полупроводниковый

Текст:

...электродов, образующих омические Контакты к этим областям, по меньшей мере, два металлических электрода к локальным областям противоположного подложке типа проводимости частично расположены на сформированном между локальными областями диэлектрическом слое таким образом, что распространяются до границ смежных локальных областей противоположного подложке типа проводимости, электродь 1 к которым соединены вместе, а область того же типа...

Номер патента: 8340

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Гончаренко Игорь Андреевич, Есман Александр Константинович, Пилипович Владимир Антонович

МПК: G02F 3/00, G02F 1/295, G02F 1/313...

Метки: полупроводниковый, переключатель, оптический

Текст:

...входы первого и второго волноводных брэгговских отражателей по кратчайшему пути,2 - эффективный показатель преломления волновода с длинойдля излучения, распространяющегося по нему на длине волны информационного сигнала 2,2 - длина волны информационного сигнала,3 - показатель преломления волноводов с длинами 1, 2 для излучения информационного сигнала, распространяющегося по ним на длине волны 2,2 - эффективный показатель преломления...

Номер патента: 7011

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Лашицкий Эдуард Казимирович, Сычик Андрей Васильевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28

Метки: полупроводниковый, холодильник

Текст:

...коэффициентом передачи электронов на р-область 3 нанесен варизонный рМг-слой 5 также методом жидкофазной или газофазной эпитаксии, который согласовывает р-область 3 и р 1-область 6 по постоянным кристаллических решеток. Варизонный ртг-слой 5 представляет твердыйраствор интерметаллического соединения АХА В. Параметр степени концентрациикомпонента в ртг-слое 5 Изменяется от нуля до единицы, причем со стороны р-области 3 он представляет...

Номер патента: 3537

Опубликовано: 30.09.2000

Авторы: Дереченник Станислав Станиславович, Достанко Анатолий Павлович, Корчаго Наталия Васильевна, Урбан Михаил Владимирович, Баранов В. В., Старовойтов Иван Васильевич

МПК: H01L 23/48

Метки: полупроводниковый, прибор

Текст:

...а такжепоявления значительных обратных токов иснижения пробивного напряжения обратноемещенного диода в случаях касания проволочным проводом защитно-пассивирующего покрытия на планерной стороне. кристалла. Вероятность-такого касания существует по следующим причинамугловое смещение (перекос) вывода 10 при сборке из-за размягчения стекла баллона 13 в процессе образования метаплостеклянного спая. вероятного расположения кристалла со...

Номер патента: U 2

Опубликовано: 30.03.1999

Авторы: Жарский Иван Михайлович, Лугин Валерий Геннадьевич, Зарапин Виталий Георгиевич

МПК: G01N 27/00

Метки: сенсор, газовый, полупроводниковый, тонкопленочный

Текст:

...дополнительно снабжен средством подогрева всего газочувствительного элемента для стабилизации температурных условий при необходимости повышения температуры газочувствительного элемента. Реализация предложенной полезной модели позволяет простыми, доступными и надежными средствами без усложнения отработанной тонкопленочной технологии повысить удобство измерений, снизить дрейф показаний, релаксацию, неконтролируемый перенос вещества, что...

Номер патента: 1385

Опубликовано: 16.09.1996

Авторы: Афоненко Александр Анатольевич, Манак Иван Степанович, Кононенко Валерий Константинович

МПК: H01S 3/19

Метки: лазер, полупроводниковый

Текст:

...ИМВПИСЬ как ЗЖТИВНЪЯ, УСИПИВЕЪЮЩЗЯ ИЗЛУЧЕНИЕ, так И ПЗССИВНЕЪЯ, Опоглощающая излучение, области. В предлагаемом устройстве это достигается использованием в качестве квантовой ямы, усиливающей излучение меньшей длины волны, квантоворазмерного слоя меньшей толщины или большей ширины запрещенной зоны по сравнению с поглощающим это излучение слоем. Возможно также и одновременное отличие указанных слоев как по толщине, так и ширине запрещенной...

Номер патента: 1099

Опубликовано: 14.03.1996

Авторы: Манак Иван Степанович, Афоненко Александр Анатольевич, Кононенко Валерий Константинович

МПК: H01S 3/19

Метки: элемент, лазерный, бистабильный, полупроводниковый

Текст:

...слоя приводит к разнице потенциальных барьеров для носителей тока со стороны барьерного слоя и эмиттерного слоя п-типа. В результате электроны легко инжектируются через поглощающий квантоворазмерный слой в усиливающий. Сущность изобретения поясняется чертежами. На фиг.1 показан общий вид бистабильного полупроводникового лазерного элемента. На фиг.2 представлена зонная схема лазерного элемента, показывающая изменение энергии в зоне...