Патенты с меткой «поликристаллического»
Способ удаления фоторезиста после плазмохимического травления поликристаллического кремния
Номер патента: 18444
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Цивако Алексей Александрович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович
МПК: H01L 21/02, B08B 3/02
Метки: после, кремния, фоторезиста, травления, плазмохимического, способ, удаления, поликристаллического
Текст:
...обработкой в течение 3-7 мин выполняют аэрозольную обработку в смеси, содержащей аммиак, перекись водорода и нагретую от 80 до 90 С деионизованную воду при следующих расходах компонентов, л/мин аммиак 0,125-0,250 перекись водорода 0,2-0,3 вода деионизованная 1,3-2,0. Использования идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. 18444 1 2014.08.30 При обработке пластин в...
Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем
Номер патента: 18443
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович
МПК: H01L 21/311
Метки: интегральных, поликристаллического, способ, кремния, реставрации, пластин, пленкой, микросхем, изготовлении
Текст:
...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....
Способ синтеза поликристаллического сверхтвердого материала на основе кубического нитрида бора
Номер патента: 18274
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Валькович Игорь Владимирович, Кучинский Владимир Михайлович, Сенють Владимир Тадеушевич
МПК: C01B 21/064, C23C 16/22, B01J 3/06...
Метки: нитрида, кубического, способ, синтеза, материала, сверхтвердого, бора, поликристаллического, основе
Текст:
...инструмента на их основе. Техническим результатом изобретения является снижение давления фазового превращения в кубическую модификацию , повышение дисперсности зерен КНБ, равномерное распределение частиц тугоплавких соединений по объему материала, снижение их размеров. Указанная задача решается в способе синтеза поликристаллического сверхтвердого материала на основе КНБ, при котором смешивают порошок гексагонального нитрида бора с 0,5-10...
Способ получения поликристаллического кобальтита неодима-бария NdBaCo2O5,72
Номер патента: 17414
Опубликовано: 30.08.2013
Автор: Лобановский Леонид Сергеевич
МПК: C04B 35/626, C04B 35/50, C04B 35/32...
Метки: способ, поликристаллического, ndbaco2o5,72, получения, неодима-бария, кобальтита
Текст:
...до 95010 С, выдерживают 12020 мин, охлаждают со скоростью 10010 С/мин до комнатной температуры. Сущность изобретения состоит в том, что получение поликристаллического кобальтита неодима-бария в соответствии с предлагаемым способом осуществляют в течение одного этапа нагревания-охлаждения. Для получения кобальтита неодима-бария используют исходные компоненты - оксиды кобальта и неодима и карбонат бария. Путем растворения исходных...
Способ получения поликристаллического алюмобората иттрия со структурой хантита.
Номер патента: 16458
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Малашкевич Георгий Ефимович, Шишко Галина Викентьевна, Шевченко Гвидона Петровна
МПК: C09K 11/80, C09K 11/63
Метки: получения, поликристаллического, алюмобората, способ, хантита, иттрия, структурой
Текст:
...тушением люминесценции. Задачей предлагаемого изобретения является разработка способа синтеза нанокристаллического хантита с активирующими добавками без использования органических реагентов и связанного с ними неконтролируемого восстановления активаторов и повышенного содержания примесных фаз. Для решения поставленной задачи использовали коллоидно-химический способ синтеза через соосаждение гидроксидов из водных растворов с...
Способ получения поликристаллического сверхтвердого материала на основе наноалмазов
Номер патента: 16118
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Витязь Петр Александрович, Сенють Владимир Тадеушевич, Жорник Виктор Иванович, Маркова Людмила Владимировна
МПК: B01J 3/06, C30B 29/04
Метки: наноалмазов, способ, материала, получения, сверхтвердого, основе, поликристаллического
Текст:
...соединений, химически и физически адсорбированной воды, которые препятствуют уплотнению порошка при прессованиии и термобарическом спекании. При давлении вакуумного отжига выше 1,3310-9 ГПа и длительности отжига менее 0,5 ч не происходит достаточно полной десорбции кислородсодержащих соединений с поверхности порошка. Кроме того, при указанном давлении отжига также происходит окисление наноалмазов из-за присутствия остаточного...
Способ получения поликристаллического изделия
Номер патента: 13989
Опубликовано: 28.02.2011
Авторы: Гордеев Сергей Константинович, Григорьев Сергей Владимирович, Корчагина Светлана Борисовна, Жук Андрей Евгеньевич, Ковалевская Анна Викторовна, Ковалевский Виктор Николаевич
МПК: B82B 3/00, C30B 29/10, B22F 3/08...
Метки: способ, изделия, получения, поликристаллического
Текст:
...кремния, в качестве алмазных кристаллов используют ультрадисперсные алмазы с размерами частиц 20-90 нм, кроме того, термообработанную в условиях, обеспечивающих удаление связки, заготовку вакуумируют, уплотняют взрывом и подвергают термобарическому спеканию, а на поверхность ультрадисперсных алмазов путем магнетронного распыления кремния наносят покрытие толщиной 10-20 нм. Заявляемый способ обеспечивает получение пористого...
Шихта для получения поликристаллического композиционного сверхтвердого материала
Номер патента: 14073
Опубликовано: 28.02.2011
Авторы: Аниченко Николай Георгиевич, Ракицкая Людмила Иосифовна
МПК: C04B 35/583, C04B 35/528, C30B 29/10...
Метки: композиционного, материала, получения, сверхтвердого, шихта, поликристаллического
Текст:
...карбид бора инициируют превращение графита в алмаз. Образующиеся в межзеренном пространстве алмаз и кубический нитрид бора связывают отдельные зерна между собой, образуя жесткий каркас,пустоты в котором заполнены продуктами взаимодействия - , , 4. При отклонении от указанных в формуле соотношений компонент шихты поставленная задача не достигается. При содержании в шихте графита и/или ГНБ менее 2 мас.снижается прочность поликристаллов ввиду...
Способ получения поликристаллического феррита кальция
Номер патента: 13986
Опубликовано: 28.02.2011
Авторы: Труханов Сергей Валентинович, Лобановский Леонид Сергеевич
МПК: C30B 29/10, C04B 35/26
Метки: феррита, получения, способ, кальция, поликристаллического
Текст:
...железа и карбоната кальция для получения прекурсора 225 рассчитывают согласно следующей химической формуле 232322522.(1) Помол исходных компонентов проводят до получения гомогенного состояния с размером частиц не более 40 мкм. Синтез шихты проводят при температуре 900-950 С в течение 6-8 часов в воздушной среде. Скорость нагрева и охлаждения исходных компонентов до и после синтеза значения не имеет. Полученный таким образом прекурсор 225...
Способ получения поликристаллического алмазосодержащего материала
Номер патента: 13664
Опубликовано: 30.10.2010
Авторы: Гамеза Людмила Михайловна, Сенють Владимир Тадеушевич, Целуевский Михаил Станиславович, Витязь Петр Александрович, Кучинский Владимир Михайлович
МПК: C09K 3/14, C04B 35/528, C04B 35/583...
Метки: алмазосодержащего, поликристаллического, получения, материала, способ
Текст:
...бора 10-60 алюминий 1-10 карбид титана 1-5 алмаз остальное,причем размер зерен компонентов шихты составляет менее 5 мкм, а обработку ведут при давлении 4,5 - 8,0 ГПа и температуре 1400-1800 С в течение 12-30 секунд. Улучшение свойств композиционного материала в значительной степени достигается благодаря тому, что в качестве основы, кроме микропорошков алмаза, входят микропорошки кубического нитрида бора с размерами менее 5 мкм, а в качестве...
Шихта для получения поликристаллического композиционного сверхтвердого материала
Номер патента: 13181
Опубликовано: 30.04.2010
Авторы: Шишонок Николай Александрович, Петрашко Василий Васильевич
МПК: C04B 35/528, C30B 29/04, B01J 3/06...
Метки: материала, композиционного, поликристаллического, шихта, сверхтвердого, получения
Текст:
...образованию межзеренных связей. Известно, что поверхность алмаза является гидрофобной и практически не смачивается расплавами многих металлов(алюминия и магния, в частности), и только введение в шихту титана обеспечивает ее полное смачивание. На практике это означает, что процессы межфазного взаимодействия в системе алмаз - эвтектический сплав будут протекать более интенсивно. Повышение температуры до 11001250 С приводит к тому, что расплав...
Способ осаждения пленки полуизолирующего поликристаллического кремния
Номер патента: 12058
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Наливайко Олег Юрьевич
МПК: B05D 5/12, H01L 21/02, C23C 16/455...
Метки: полуизолирующего, пленки, осаждения, поликристаллического, способ, кремния
Текст:
...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...
Шихта для получения поликристаллического композиционного сверхтвердого материала
Номер патента: 11734
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Шишонок Николай Александрович, Леусенко Анатолий Алексеевич, Петрашко Василий Васильевич
МПК: B01J 3/06, C30B 29/04
Метки: сверхтвердого, композиционного, поликристаллического, материала, шихта, получения
Текст:
...действие, препятствующее обратному фазовому превращению алмаз - графит. Содержание алмаза в щихте(8093 ) позволяет получить максимальные прочностные характеристики, так как в этом случае в поликристалле образуется алмазный каркас. При меньщем содержании алмаза указанного сплощного каркаса не формируется, поэтому механические свойства поликристалла снижаются. Введение в щихту бора или алюминия в количестве, меньщем 1 мас. , не...
Состав для травления пленок поликристаллического кремния
Номер патента: 11821
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович
МПК: H01L 21/02
Метки: травления, поликристаллического, кремния, состав, пленок
Текст:
...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...
Способ получения поликристаллического материала на основе кубического нитрида бора
Номер патента: 10582
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Валькович Игорь Владимирович, Сенють Владимир Тадеушевич, Грицук Виталий Дмитриевич, Ковалева Светлана Анатольевна, Гамеза Людмила Михайловна
МПК: B01J 3/06, C04B 35/583
Метки: поликристаллического, способ, материала, нитрида, кубического, получения, бора, основе
Текст:
...проскальзыванием, коагуляцией (агрегированием) и жидкоподобной коалесценцией(слиянием). В результате наблюдаются такие явления, как локализация плотности получаемой заготовки с образованием поликристаллических частиц от субмикронных до микронных размеров, а также выдавливание мелких пор и их слияние в крупные. Качество получаемого материала при этом невысокое. Использование высоких давлений свыше 7 ГПа при спекании непосредственно нано-...
Способ формирования слоев поликристаллического кремния
Номер патента: 8758
Опубликовано: 30.12.2006
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Шкуратов Александр Георгиевич, Ануфриев Леонид Петрович
МПК: H01L 21/365, C23C 16/24
Метки: способ, поликристаллического, формирования, кремния, слоев
Текст:
...то обеспечивается термическая однородность. Осаждение поликремния осуществляется только после вывода реактора на второй уровень температуры, чем обеспечивается минимальный разброс температуры как вдоль реактора, так и по поверхности пластин и, следовательно, повышается стабильность и воспроизводимость процесса осаждения по толщине слоя поликристаллического кремния. При высокой скорости подъема температуры (более 9 С/мин) термическая...
Шихта для получения поликристаллического композиционного сверхтвердого материала на основе алмаза и кубического нитрида бора
Номер патента: 7925
Опубликовано: 30.04.2006
Авторы: Леусенко Анатолий Алексеевич, Косарев Олег Михайлович, Шишонок Николай Александрович, Гатальский Геннадий Васильевич
МПК: C01B 31/06, C01B 21/064
Метки: основе, сверхтвердого, нитрида, композиционного, бора, получения, материала, кубического, алмаза, поликристаллического, шихта
Текст:
...7 мас. , падает износостойкость поликристалла,а при малом (менее 7 мас. ) содержании нитрида бора уменьшается его работоспособность из-за снижения эффекта самозатачивания. Сущность изобретения не нарушается, если в шихту вводится не алюминий, а нитрид алюминия или его смесь с алюминием. Высокая каталитическая активность нитрида алюминия позволяет эффективно осуществить фазовое превращение в нитриде бора с таким 2 7925 1 2006.04.30 же...
Способ изготовления поликристаллического материала на основе алмаза
Номер патента: 6645
Опубликовано: 30.12.2004
Авторы: Звонарев Евгений Владимирович, Сенють Владимир Тадеушевич, Устинова Галина Петровна
МПК: C01B 31/06
Метки: материала, изготовления, способ, алмаза, основе, поликристаллического
Текст:
...материала на основе алмаза, включающего смешивание ультрадисперсных порошков алмаза с графитом при соотношении компонентов шихты(мас. ) УДА 60-80 графит остальное,формирование из полученной смеси заготовки и ее обработку при воздействии высоких давления и температуры, обработку заготовки осуществляют при давлении 4,0-4,5 ГПа,температуре 1300-1350 С и времени выдержки 10-15 с. Характеристики порошка, используемого для спекания,...
Способ изготовления обкладки конденсатора из поликристаллического кремния
Номер патента: 3148
Опубликовано: 30.12.1999
Авторы: Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Красницкий Василий Яковлевич, Наливайко Олег Юрьевич
МПК: H01L 21/308
Метки: кремния, конденсатора, поликристаллического, изготовления, обкладки, способ
Текст:
...слоя нанесение дополнительного слоя поликристаллического кремния создание выступов травлением дополнительного слоя через фоторезистивную маску формирование контактного окна к подложке во вспомогательном защитном и диэлектрическом слоях осаждение слоя поликристаллического кремния формирование обкладки удаление вспомогательного слоя. Из-за того, что после удаления вспомогательного слоя между сформированной обкладкой и поверхностью...