Патенты с меткой «поликристаллического»

Номер патента: 18444

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Цивако Алексей Александрович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/02, B08B 3/02

Метки: после, кремния, фоторезиста, травления, плазмохимического, способ, удаления, поликристаллического

Текст:

...обработкой в течение 3-7 мин выполняют аэрозольную обработку в смеси, содержащей аммиак, перекись водорода и нагретую от 80 до 90 С деионизованную воду при следующих расходах компонентов, л/мин аммиак 0,125-0,250 перекись водорода 0,2-0,3 вода деионизованная 1,3-2,0. Использования идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. 18444 1 2014.08.30 При обработке пластин в...

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/311

Метки: интегральных, поликристаллического, способ, кремния, реставрации, пластин, пленкой, микросхем, изготовлении

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Номер патента: 18274

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Валькович Игорь Владимирович, Кучинский Владимир Михайлович, Сенють Владимир Тадеушевич

МПК: C01B 21/064, C23C 16/22, B01J 3/06...

Метки: нитрида, кубического, способ, синтеза, материала, сверхтвердого, бора, поликристаллического, основе

Текст:

...инструмента на их основе. Техническим результатом изобретения является снижение давления фазового превращения в кубическую модификацию , повышение дисперсности зерен КНБ, равномерное распределение частиц тугоплавких соединений по объему материала, снижение их размеров. Указанная задача решается в способе синтеза поликристаллического сверхтвердого материала на основе КНБ, при котором смешивают порошок гексагонального нитрида бора с 0,5-10...

Номер патента: 17414

Опубликовано: 30.08.2013

Автор: Лобановский Леонид Сергеевич

МПК: C04B 35/626, C04B 35/50, C04B 35/32...

Метки: способ, поликристаллического, ndbaco2o5,72, получения, неодима-бария, кобальтита

Текст:

...до 95010 С, выдерживают 12020 мин, охлаждают со скоростью 10010 С/мин до комнатной температуры. Сущность изобретения состоит в том, что получение поликристаллического кобальтита неодима-бария в соответствии с предлагаемым способом осуществляют в течение одного этапа нагревания-охлаждения. Для получения кобальтита неодима-бария используют исходные компоненты - оксиды кобальта и неодима и карбонат бария. Путем растворения исходных...

Номер патента: 16458

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Малашкевич Георгий Ефимович, Шишко Галина Викентьевна, Шевченко Гвидона Петровна

МПК: C09K 11/80, C09K 11/63

Метки: получения, поликристаллического, алюмобората, способ, хантита, иттрия, структурой

Текст:

...тушением люминесценции. Задачей предлагаемого изобретения является разработка способа синтеза нанокристаллического хантита с активирующими добавками без использования органических реагентов и связанного с ними неконтролируемого восстановления активаторов и повышенного содержания примесных фаз. Для решения поставленной задачи использовали коллоидно-химический способ синтеза через соосаждение гидроксидов из водных растворов с...

Номер патента: 16118

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Витязь Петр Александрович, Сенють Владимир Тадеушевич, Жорник Виктор Иванович, Маркова Людмила Владимировна

МПК: B01J 3/06, C30B 29/04

Метки: наноалмазов, способ, материала, получения, сверхтвердого, основе, поликристаллического

Текст:

...соединений, химически и физически адсорбированной воды, которые препятствуют уплотнению порошка при прессованиии и термобарическом спекании. При давлении вакуумного отжига выше 1,3310-9 ГПа и длительности отжига менее 0,5 ч не происходит достаточно полной десорбции кислородсодержащих соединений с поверхности порошка. Кроме того, при указанном давлении отжига также происходит окисление наноалмазов из-за присутствия остаточного...

Номер патента: 13989

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Гордеев Сергей Константинович, Григорьев Сергей Владимирович, Корчагина Светлана Борисовна, Жук Андрей Евгеньевич, Ковалевская Анна Викторовна, Ковалевский Виктор Николаевич

МПК: B82B 3/00, C30B 29/10, B22F 3/08...

Метки: способ, изделия, получения, поликристаллического

Текст:

...кремния, в качестве алмазных кристаллов используют ультрадисперсные алмазы с размерами частиц 20-90 нм, кроме того, термообработанную в условиях, обеспечивающих удаление связки, заготовку вакуумируют, уплотняют взрывом и подвергают термобарическому спеканию, а на поверхность ультрадисперсных алмазов путем магнетронного распыления кремния наносят покрытие толщиной 10-20 нм. Заявляемый способ обеспечивает получение пористого...

Номер патента: 14073

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Аниченко Николай Георгиевич, Ракицкая Людмила Иосифовна

МПК: C04B 35/583, C04B 35/528, C30B 29/10...

Метки: композиционного, материала, получения, сверхтвердого, шихта, поликристаллического

Текст:

...карбид бора инициируют превращение графита в алмаз. Образующиеся в межзеренном пространстве алмаз и кубический нитрид бора связывают отдельные зерна между собой, образуя жесткий каркас,пустоты в котором заполнены продуктами взаимодействия - , , 4. При отклонении от указанных в формуле соотношений компонент шихты поставленная задача не достигается. При содержании в шихте графита и/или ГНБ менее 2 мас.снижается прочность поликристаллов ввиду...

Номер патента: 13986

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Труханов Сергей Валентинович, Лобановский Леонид Сергеевич

МПК: C30B 29/10, C04B 35/26

Метки: феррита, получения, способ, кальция, поликристаллического

Текст:

...железа и карбоната кальция для получения прекурсора 225 рассчитывают согласно следующей химической формуле 232322522.(1) Помол исходных компонентов проводят до получения гомогенного состояния с размером частиц не более 40 мкм. Синтез шихты проводят при температуре 900-950 С в течение 6-8 часов в воздушной среде. Скорость нагрева и охлаждения исходных компонентов до и после синтеза значения не имеет. Полученный таким образом прекурсор 225...

Номер патента: 13664

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Гамеза Людмила Михайловна, Сенють Владимир Тадеушевич, Целуевский Михаил Станиславович, Витязь Петр Александрович, Кучинский Владимир Михайлович

МПК: C09K 3/14, C04B 35/528, C04B 35/583...

Метки: алмазосодержащего, поликристаллического, получения, материала, способ

Текст:

...бора 10-60 алюминий 1-10 карбид титана 1-5 алмаз остальное,причем размер зерен компонентов шихты составляет менее 5 мкм, а обработку ведут при давлении 4,5 - 8,0 ГПа и температуре 1400-1800 С в течение 12-30 секунд. Улучшение свойств композиционного материала в значительной степени достигается благодаря тому, что в качестве основы, кроме микропорошков алмаза, входят микропорошки кубического нитрида бора с размерами менее 5 мкм, а в качестве...

Номер патента: 13181

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Шишонок Николай Александрович, Петрашко Василий Васильевич

МПК: C04B 35/528, C30B 29/04, B01J 3/06...

Метки: материала, композиционного, поликристаллического, шихта, сверхтвердого, получения

Текст:

...образованию межзеренных связей. Известно, что поверхность алмаза является гидрофобной и практически не смачивается расплавами многих металлов(алюминия и магния, в частности), и только введение в шихту титана обеспечивает ее полное смачивание. На практике это означает, что процессы межфазного взаимодействия в системе алмаз - эвтектический сплав будут протекать более интенсивно. Повышение температуры до 11001250 С приводит к тому, что расплав...

Номер патента: 12058

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: B05D 5/12, H01L 21/02, C23C 16/455...

Метки: полуизолирующего, пленки, осаждения, поликристаллического, способ, кремния

Текст:

...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...

Номер патента: 11734

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Шишонок Николай Александрович, Леусенко Анатолий Алексеевич, Петрашко Василий Васильевич

МПК: B01J 3/06, C30B 29/04

Метки: сверхтвердого, композиционного, поликристаллического, материала, шихта, получения

Текст:

...действие, препятствующее обратному фазовому превращению алмаз - графит. Содержание алмаза в щихте(8093 ) позволяет получить максимальные прочностные характеристики, так как в этом случае в поликристалле образуется алмазный каркас. При меньщем содержании алмаза указанного сплощного каркаса не формируется, поэтому механические свойства поликристалла снижаются. Введение в щихту бора или алюминия в количестве, меньщем 1 мас. , не...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/02

Метки: травления, поликристаллического, кремния, состав, пленок

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Номер патента: 10582

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Валькович Игорь Владимирович, Сенють Владимир Тадеушевич, Грицук Виталий Дмитриевич, Ковалева Светлана Анатольевна, Гамеза Людмила Михайловна

МПК: B01J 3/06, C04B 35/583

Метки: поликристаллического, способ, материала, нитрида, кубического, получения, бора, основе

Текст:

...проскальзыванием, коагуляцией (агрегированием) и жидкоподобной коалесценцией(слиянием). В результате наблюдаются такие явления, как локализация плотности получаемой заготовки с образованием поликристаллических частиц от субмикронных до микронных размеров, а также выдавливание мелких пор и их слияние в крупные. Качество получаемого материала при этом невысокое. Использование высоких давлений свыше 7 ГПа при спекании непосредственно нано-...

Номер патента: 8758

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Шкуратов Александр Георгиевич, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/365, C23C 16/24

Метки: способ, поликристаллического, формирования, кремния, слоев

Текст:

...то обеспечивается термическая однородность. Осаждение поликремния осуществляется только после вывода реактора на второй уровень температуры, чем обеспечивается минимальный разброс температуры как вдоль реактора, так и по поверхности пластин и, следовательно, повышается стабильность и воспроизводимость процесса осаждения по толщине слоя поликристаллического кремния. При высокой скорости подъема температуры (более 9 С/мин) термическая...

Номер патента: 7925

Опубликовано: 30.04.2006

Авторы: Леусенко Анатолий Алексеевич, Косарев Олег Михайлович, Шишонок Николай Александрович, Гатальский Геннадий Васильевич

МПК: C01B 31/06, C01B 21/064

Метки: основе, сверхтвердого, нитрида, композиционного, бора, получения, материала, кубического, алмаза, поликристаллического, шихта

Текст:

...7 мас. , падает износостойкость поликристалла,а при малом (менее 7 мас. ) содержании нитрида бора уменьшается его работоспособность из-за снижения эффекта самозатачивания. Сущность изобретения не нарушается, если в шихту вводится не алюминий, а нитрид алюминия или его смесь с алюминием. Высокая каталитическая активность нитрида алюминия позволяет эффективно осуществить фазовое превращение в нитриде бора с таким 2 7925 1 2006.04.30 же...

Номер патента: 6645

Опубликовано: 30.12.2004

Авторы: Звонарев Евгений Владимирович, Сенють Владимир Тадеушевич, Устинова Галина Петровна

МПК: C01B 31/06

Метки: материала, изготовления, способ, алмаза, основе, поликристаллического

Текст:

...материала на основе алмаза, включающего смешивание ультрадисперсных порошков алмаза с графитом при соотношении компонентов шихты(мас. ) УДА 60-80 графит остальное,формирование из полученной смеси заготовки и ее обработку при воздействии высоких давления и температуры, обработку заготовки осуществляют при давлении 4,0-4,5 ГПа,температуре 1300-1350 С и времени выдержки 10-15 с. Характеристики порошка, используемого для спекания,...

Номер патента: 3148

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Красницкий Василий Яковлевич, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, конденсатора, поликристаллического, изготовления, обкладки, способ

Текст:

...слоя нанесение дополнительного слоя поликристаллического кремния создание выступов травлением дополнительного слоя через фоторезистивную маску формирование контактного окна к подложке во вспомогательном защитном и диэлектрическом слоях осаждение слоя поликристаллического кремния формирование обкладки удаление вспомогательного слоя. Из-за того, что после удаления вспомогательного слоя между сформированной обкладкой и поверхностью...