Патенты с меткой «подложке»

Способ формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке

Загрузка...

Номер патента: 16839

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Стельмах Вячеслав Фомич, Колос Владимир Владимирович, Маркевич Мария Ивановна, Адашкевич Сергей Владимирович, Чапланов Аркадий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/02

Метки: кремниевой, пленки, дисилицида, формирования, титана, способ, подложке

Текст:

...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...

Способ формирования на подложке тонкой алмазоподобной пленки посредством вакуумной лазерной абляции

Загрузка...

Номер патента: 16615

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Петров Сергей Александрович, Шаронов Геннадий Викторович

МПК: C23C 14/28

Метки: посредством, формирования, способ, вакуумной, лазерной, пленки, тонкой, абляции, подложке, алмазоподобной

Текст:

...осуществлялось с использованием регулируемой оптической линии задержки, состоящей из 4 зеркал (фигура,, - интенсивность лазерного излучения,- длительность первого лазерного импульса по уровню 0,1,- время задержки второго импульса). Первый лазерный импульс, падающий на графит, расходует свою энергию на его разогрев и испарение. Энергия второго импульса служит источником доионизации лазерно-эрозионной плазмы и повышения температуры и...

Устройство для формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке

Загрузка...

Номер патента: U 8344

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Колос Владимир Владимирович, Адашкевич Сергей Владимирович, Стельмах Вячеслав Фомич, Чапланов Аркадий Михайлович, Маркевич Мария Ивановна

МПК: H01L 21/44

Метки: титана, дисилицида, подложке, формирования, пленки, кремниевой, устройство

Текст:

...свойств пленки титана 2 совмещен с блоком перемещения кремниевой подложки 18. Устройство формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке(фиг. 1) работает следующим образом. Кремниевая подложка через элемент загрузки 13 поступает в блок нанесения пленки титана 1, где осуществляется, как в известном устройстве 3, операция нанесения на поверхность кремниевой подложки пленки титана, например, способом магнетронного напыления,...

Способ формирования покрытия из порошкообразного ферромагнитного материала на металлической подложке

Загрузка...

Номер патента: 15869

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Ильющенко Александр Федорович, Онащенко Филипп Евгеньевич, Манойло Евгений Данилович

МПК: C23C 24/08, B05D 1/08, B01J 2/12...

Метки: металлической, ферромагнитного, покрытия, порошкообразного, подложке, способ, материала, формирования

Текст:

...20 г/мин. В качестве рабочих газов используют смесь кислорода с водородом расход кислорода - 253/632 и 316/569 л/мин, стехиометрическое отношение кислород/водород - 80/110 , дистанции напыления - 200/165 мм. Расход газов контролируют пультом 3400. В процессе на 2 15869 1 2012.06.30 пыления подложку вращают со скоростью около 1 м/с, а аппарат-распылитель перемещают относительно подложки вертикально, со скоростью 0,005 м/с и шагом...

Способ определения толщины слоя полимера на подложке

Загрузка...

Номер патента: 14575

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Третинников Олег Николаевич, Никоненко Наталия Анатольевна

МПК: G01B 11/06

Метки: определения, полимера, подложке, способ, слоя, толщины

Текст:

...собой ПЭТ-подложку с нанесенным на нее тонким слоем ПС. Для 2 14575 1 2011.06.30 наглядности спектры смещены друг относительно друга по оси ординат. Звездочкойотмечены полосы поглощения ПЭТ-подложки. Предлагаемый способ состоит в следующем. Интенсивность полосы поглощения образца в его ИК-спектре НПВО описывается соотношением 521 где 0 - амплитуда падающего света- угол отражения 212/1 - отношение показателей преломления образца и...

Способ определения коэффициента поглощения люминесцирующего наноструктурированного слоя на прозрачной подложке

Загрузка...

Номер патента: 13317

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Ольшанская Татьяна Васильевна, Хайруллина Альфия Ягфаровна

МПК: G01N 21/00

Метки: люминесцирующего, подложке, поглощения, прозрачной, наноструктурированного, определения, коэффициента, слоя, способ

Текст:

...по прототипу (графики 1, рассчитанные по формуле(6 и предлагаемым способом (графики 2, рассчитанные по формуле (5, для образца Не 3, график 3, рассчитанный по формуле (6) (прототип)на фиг. 5 приведены погрешности определения коэффициента поглощения, рассчитанные по прототипу (6) для образцов Не 1 и 2 (соответственно графики 1, 2)на фиг. 6 приведены погрешности определения поглощения предлагаемым способом по формуле (5) для образцов Не 1,...

Состав для получения токопроводящей пленки на кремнеземсодержащей подложке

Загрузка...

Номер патента: 3308

Опубликовано: 30.03.2000

Авторы: Подденежный Евгений Николаевич, Проневич Игорь Иванович, Мельниченко Игорь Михайлович

МПК: H05B 3/14, H05B 3/12

Метки: состав, получения, подложке, кремнеземсодержащей, пленки, токопроводящей

Текст:

...пленки. Решение указанных задач и достижение указанных результатов обеспечивается тем, что в составе для получения токопроводящей пленки на кремнеземсодержащей подложке, содержащем токопроводящий порошок и соединение щелочного металла, в качестве токопроводящего порошка использован порошок алюминия, в качестве соединения щелочного металла использована одна из солей щелочного металла кислородсодержащей слабой кислоты или смесь...