Патенты с меткой «пленки»

Номер патента: 18613

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Космачёв Константин Сергеевич, Дайнеко Оксана Анатольевна, Мацур Андрей Игоревич, Глоба Ирина Юрьевна, Безрученко Вероника Сергеевна, Иванова Надежда Аркадьевна, Агабеков Владимир Енокович, Космачёва Тамара Григорьевна, Микулич Вадим Сергеевич, Кулевская Инна Владимировна

МПК: C08J 5/18, B29D 11/00, C08L 29/04...

Метки: способ, пленки, светополяризующей, получения

Текст:

...для формования пленки вводят добавки одного из следующих дихроичных красителей калий 4-4-аминонафт-1-ил) диазенил)-2-гидроксибензоат (2, молекулярная масса 345) динатриевая соль 4, 4-ди-4-гидроксифенилазо стильбен-2,2-дисульфоновой кислоты(бриллиантовый желтый) (БЖ, молекулярная масса 624) хризофенин (ХФ, молекулярная масса 680). Красители БЖ и ХФ использовали продажные компании . Спектры поглощения и пропускания светополяризующих пленок,...

Номер патента: 18675

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Литвяк Владимир Владимирович, Лашкина Елена Витальевна, Степаненко Анна Борисовна, Ермолович Ольга Анатольевна, Пинчук Леонид Семенович

МПК: C08J 5/18, B29C 47/08

Метки: биоразрушаемой, изготовления, пленки, способ

Текст:

...для его раздува иснаружи рукава для его охлаждения, воздушно-порошковых дисперсий на основе тех же биогенных неорганических солей, которые использованы в качестве наполнителей полиэтилена. Размеры этих частиц не превышают 40 мкм. Сущность изобретения состоит в следующем. Потоки воздуха, направляемые внутрь и на наружную поверхность полимерного рукава, выходящего из экструзионной головки,несут солевые частицы сверхтонкого (40 мкм) помола. Ввиду...

Номер патента: 18406

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Воробьева Елена Валерьевна, Лин Дмитрий Григорьевич

МПК: C08L 23/06, C08J 5/18

Метки: монолита, или, способ, полиэтиленовой, пленки, термоокислению, устойчивой, получения

Текст:

...Технический результат достигается тем, что в способе получения устойчивой к термоокислению полиэтиленовой пленки или монолита порошок -фенилнафтиламина-2 размещают тонким слоем на никелевой фольге и термообрабатывают при температуре 145155 С в течение 4-5 ч, смешивают термообработанный -фенилнафтиламин-2 с полиэтиленом при следующем соотношении компонентов, мас.-фенилнафтиламин-2 0,05-1,00 полиэтилен остальное,прессуют полученную смесь при...

Номер патента: 18356

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Демьянов Сергей Евгеньевич, Петров Александр Владимирович, Канюков Егор Юрьевич

МПК: H01G 4/33, H01G 7/00

Метки: способ, основе, полиимида, пленки, микроконденсатора, создания, высокочастотного

Текст:

...пФ в частотном диапазоне от 107 до 109 Гц. Недостаток данного способа заключается в многостадийности технологии изготовления, связанной с применением нескольких физико-химических методик, а главное, с необходимостью использования жесткой металлической подложки на всех стадиях изготовления микроконденсатора. Задачей заявляемого решения является упрощение способа создания высокочастотного микроконденсатора и сокращение числа технологических...

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Колос Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Трусов Виктор Леонидович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: B08B 7/00, H01L 21/44

Метки: интегральных, пленки, силицида, титана, способ, микросхем, производства, формирования

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02, G05D 23/00, B08B 3/02...

Метки: пленки, травления, способ, полупроводниковых, кремния, аэрозольной, химической, диоксида, очистке, пластин

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Номер патента: 17429

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Третинников Олег Николаевич, Пилипенко Владимир Валерьевич, Приходченко Любовь Константиновна

МПК: C08J 7/18

Метки: способ, модификации, полимером, пленки, полимерной, поверхности, функциональным, привитым, варианты

Текст:

...и 1462 оптическая плотность полосы ПАК при 1712 см-1 и полосы ПЭ при 1462 см-1 в ИК-спектрах МНПВО рассматриваемых пленок. На фиг. 3 показана зависимость количества поверхностно-привитой ПАК на поверхности пленок ПЭ от толщины слоя водного раствора акриловой кислоты, из которого проводилась прививка. Продолжительность УФ-облучения пленок при проведении прививки составляла 2 мин. Количество привитого полимера дано в единицах отношения...

Номер патента: 17481

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Гринчик Николай Николаевич, Лапко Тамара Михайловна, Жданок Виталий Александрович

МПК: C23C 22/10

Метки: поверхности, способ, покрытия, пленки, металлической, виде, оксидной, формирования

Текст:

...компонентов может дополнительно содержать карбонат или бикарбонат аммония или гидроксид аммония в количестве, обеспечивающем сохранение уровня кислотности раствора. Способ фосфатирования металлической поверхности осуществляют кислотным водным раствором фосфата. Известен способ получения марганцевого фосфатирующего концентрата 3, заключающийся в получении марганцевого фосфатирующего концентрата, включающем растворение металлического...

Номер патента: 16977

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Коваленко Олег Евгеньевич, Гузовский Виталий Геннадьевич, Хомченко Александр Васильевич

МПК: G01N 21/59

Метки: тонкой, изменения, осуществления, показателя, поглощения, определения, пленки, спектра, устройство, способ, фотомодуляционного

Текст:

...посредством фазочувствительного синхродетектора, на выходе которого получается результирующий сигнал, пропорциональный фотомодуляционному пропусканию света 3. Основной задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является повышение точности измерения и увеличение разрешающей способности фотомодуляционного метода, что позволяет регистрировать слабые полосы поглощения тонких пленок,а следовательно, получать...

Номер патента: 16839

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Колос Владимир Владимирович, Адашкевич Сергей Владимирович, Стельмах Вячеслав Фомич, Маркевич Мария Ивановна, Турцевич Аркадий Степанович, Чапланов Аркадий Михайлович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/02

Метки: подложке, пленки, дисилицида, способ, формирования, кремниевой, титана

Текст:

...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...

Номер патента: 16800

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Лин Дмитрий Григорьевич, Воробьева Елена Валерьевна

МПК: C08L 23/06, C08J 5/18

Метки: полиэтиленовой, пленки, устойчивой, получения, термоокислению, способ

Текст:

...и стеарат меди, который является активнейшим катализатором процесса окисления полимера. Дополнительное введение серы (или сульфида натрия) приводит к дезактивации ионов меди,которые, очевидно, в расплаве образуют труднорастворимый сульфид меди (22-). Таким образом, заявляемый способ получения устойчивой к термоокислению полиэтиленовой пленки или покрытия позволяет использовать положительное влияние стеарата меди на антиоксидант...

Номер патента: 16776

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Петров Александр Владимирович, Демьянов Сергей Евгеньевич, Канюков Егор Юрьевич

МПК: C23C 14/04, H01F 27/28, C23C 14/34...

Метки: полиимидной, микроиндуктора, высокочастотного, обмотки, пленки, создания, основе, способ

Текст:

...мкм. На финишном этапе изготовления подложка кремния, на которой изначально формировалась многослойная структура индуктора, стравливалась,что в конечном итоге обеспечивало гибкость изделия. Величина индуктивности такого индуктора составила 10-7 Гн, а его добротность - 10 при частоте 0,1 ГГц. Недостаток данного способа заключается в многостадийности технологии изготовления, связанной с применением нескольких физико-химических методик, а...

Номер патента: 16615

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Петров Сергей Александрович, Шаронов Геннадий Викторович

МПК: C23C 14/28

Метки: вакуумной, подложке, формирования, способ, алмазоподобной, пленки, абляции, посредством, тонкой, лазерной

Текст:

...осуществлялось с использованием регулируемой оптической линии задержки, состоящей из 4 зеркал (фигура,, - интенсивность лазерного излучения,- длительность первого лазерного импульса по уровню 0,1,- время задержки второго импульса). Первый лазерный импульс, падающий на графит, расходует свою энергию на его разогрев и испарение. Энергия второго импульса служит источником доионизации лазерно-эрозионной плазмы и повышения температуры и...

Номер патента: 16604

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Шахаб Сиямак Насер, Агабеков Владимир Енокович, Филиппович Людмила Николаевна, Малашко Павел Митрофанович, Арико Надежда Григорьевна

МПК: G02B 5/30, C09B 45/24, C08L 29/04...

Метки: уф-области, пленки, поляризационной, полимерной, композиция, спектра, получения, ближней

Текст:

...в кипящем диоксане, катализатором служит -толуолсульфокислота. Структура синтезированных красителей подтверждена данными ИК-и 1 ЯМРспектроскопии (500 МГц -6 для , - 2 для , )- ИК (см-1) 1547, 1394 (-) 1593, 1513 ( аром.) 1313 (- карбоксила) 871,795, 704 (- аром.) 1 ЯМР (, м.д.) 7,94 (дд, 2, аром.), 7,98 (дд, 2, аром.). 148242. Вычислено,8,9. Найдено,9,1.- ИК (см-1) 1677 ( кетона) 1586, 1403 (-) 1595, 1491 (С) 1265 (карбоксила) 843,...

Номер патента: U 8344

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Колос Владимир Владимирович, Адашкевич Сергей Владимирович, Чапланов Аркадий Михайлович, Стельмах Вячеслав Фомич, Маркевич Мария Ивановна

МПК: H01L 21/44

Метки: устройство, формирования, подложке, титана, дисилицида, кремниевой, пленки

Текст:

...свойств пленки титана 2 совмещен с блоком перемещения кремниевой подложки 18. Устройство формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке(фиг. 1) работает следующим образом. Кремниевая подложка через элемент загрузки 13 поступает в блок нанесения пленки титана 1, где осуществляется, как в известном устройстве 3, операция нанесения на поверхность кремниевой подложки пленки титана, например, способом магнетронного напыления,...

Номер патента: U 7948

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Косенко Владимир Борисович

МПК: B65B 9/00

Метки: штучных, мелких, пленки, термосвариваемые, группы, упаковки, машина, продуктов

Текст:

...конвейеры. Известны упаковочные машины, в которых для подачи продукта в зону упаковки и вывода упакованного продукта всю машину, кроме основания, наклоняют или поворачивают (как описано в аналогах настоящего описания). Габариты такой упаковочной машины в нерабочем состоянии небольшие,т.к. отсутствуют длинные конвейеры. Но при повороте или наклоне всей упаковочной машины требуется много свободного пространства и требуемое пространство для...

Номер патента: 15519

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Акула Игорь Петрович, Зеленковский Эдуард Михайлович, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: C23C 14/24, H05H 1/24

Метки: плазмы, электроэрозионной, тонкой, генератор, пленки, импульсный, нанесения, алмазоподобной

Текст:

...сторону оси генератора. При достижении плазмой анода происходит возбуждение основного импульсного вакуумно-дугового разряда между катодом и анодом генератора, которые связаны между собой электрической цепью, подключенной к основной конденсаторной батарее, отрицательный полюс которой соединен с катодом, а положительный - с анодом генератора. Зона возбуждения инициирующего импульсного дугового разряда перемещается от импульса к импульсу, что...

Номер патента: 15112

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Шиман Дмитрий Иванович, Козадаев Константин Владимирович, Гончаров Виктор Константинович

МПК: B22F 9/06, B82B 1/00, B22F 9/00...

Метки: частицы, содержащей, серебра, пленки, формирования, полимерной, размером, менее, способ

Текст:

...лазерного излучения высокой интенсивности 108-109 Вт/см 2 образуется эрозионный лазерный факел, который состоит из паров,плазмы и жидкокапельной фазы материала мишени. При этом в факеле содержатся мелкие(40-50 нм) жидкокапельные частицы 4, 5, сформированные за счет конденсационного механизма 5, 6. Данные частицы в силу своей безынерционности увлекаются парами металла и движутся перпендикулярно поверхности металлической мишени. Если на пути...

Номер патента: 14296

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Ковалева Светлана Анатольевна, Витязь Петр Александрович, Пилипенко Владимир Александрович, Жорник Виктор Иванович, Петлицкая Татьяна Владимировна

МПК: B82B 3/00, C25D 11/02

Метки: окисной, пленки, металлической, способ, подложки, либо, создания, полупроводниковой, поверхности

Текст:

...например монокристаллического кремния, эпитаксиальные пленки кремния, а также поликристаллический кремний, алюминий и др. Сущность изобретения поясняется прилагаемыми фигурами. Фиг. 1 - блок-схема для реализации предлагаемого способа на основе атомно-силового микроскопа (АСМ). Фиг. 2 - АСМ 3 - изображение топографии поверхности монокристаллического кремния КДБ-12 (111) с локальной окисной пленкой, полученной после первого этапа сканирования...

Номер патента: 14043

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Глазунов Евгений Валерьевич, Хомченко Александр Васильевич, Сотский Александр Борисович, Сотская Людмила Ивановна, Шульга Александр Васильевич

МПК: G01N 21/55

Метки: способ, показателя, поглощения, пленки, преломления, коэффициента, определения, тонкой, нелинейных

Текст:

...характеризующийся тем, что в нелинейной тонкопленочной структуре возбуждают волноводную моду ТЕ - поляризации при неизменной мощностипадающего светового пучка радиуса 0 посредством призменного устройства связи, регистрируют пространственное распределение интенсивности отраженного светового пучка, по результатам анализа зависимости координат минимума интенсивности одного двумерного спектра интенсивности определяют 2 и 2 посредством...

Номер патента: 13751

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Худолей Андрей Леонидович, Чижик Сергей Антонович, Кузнецова Татьяна Анатольевна

МПК: G01N 13/10

Метки: способ, контроля, пленки, объему, тонкой, физико-химических, постоянства, свойств

Текст:

...способа является необходимость использования комбинированного прибора, состоящего, по меньшей мере, из двух прибо 2 13751 1 2010.10.30 ров - атомно-силового микроскопа и дополнительного прибора для аналитических измерений поверхности с контролем атмосферы компьютерными средствами. Задачей настоящего изобретения является упрощение контроля постоянства физикохимических свойств тонкой пленки путем его выполнения только на атомно-силовом...

Номер патента: 13554

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Лин Дмитрий Григорьевич, Воробьева Елена Валерьевна

МПК: C08L 23/00, C08K 13/00

Метки: получения, термоокислению, пленки, полиэтиленовой, способ, или, монолита, устойчивой

Текст:

...температуре 1502 С и времени выдержки в прессе в течение 90120 секунд, предварительно порошок -фенилнафтиламина-2 смешивают с дисперсной медью и термообрабатывают на воздухе при температуре 145155 С в течение 7-17 часов, к термообработанной смеси добавляют органический растворитель, отделяют медь фильтрованием, испаряют растворитель и смешивают полученный 2-фенилнафтиламин-2 с полиэтиленом при следующем соотношении...

Номер патента: 13507

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Романюк Виктор Леонидович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: пленки, способ, тонкой, ba1xsrxtio3, получения

Текст:

...импульсное лазерное напыление на кремниевую подложку пленки 1-3 из материала мишени. Новым, по мнению авторов, является то, что импульсное лазерное напыление осуществляют лазером, работающим в режиме свободной генерации, с длиной волны 1,06 нм, длительностью импульса 10-3 с и энергией импульса 150-160 Дж, причем во время напыления давление составляет 200,5 Па и температура подложки 2002 С. На фиг. 1 представлена рентгенограмма пленки...

Номер патента: 13505

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Голосов Дмитрий Анатольевич, Каланда Николай Александрович, Гурский Леонид Ильич

МПК: H01F 41/14

Метки: получения, srfeo3, феррита, способ, стронция, пленки, тонкой

Текст:

...кристаллизации пленки от парциального давления инертных газов, при которых осуществляется напыление пленки. Задачей настоящего изобретения является упрощение и удешевление способа получения тонких пленок феррита стронция, обеспечение возможности проведения синтеза в условиях контроля процесса получения пленок 3-, улучшения их магнитных, магниторезистивных характеристик, уменьшение экономических затрат (отсутствие дополнительного отжига) и...

Номер патента: 13328

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Короткий Максим Васильевич, Сыцко Валентина Ефимовна, Гончарова Екатерина Петровна, Пинчук Леонид Семенович, Гольдаде Виктор Антонович

МПК: B29C 49/08, H01G 7/00

Метки: пленки, получения, полимерной, электретной, способ

Текст:

...На участке от формообразователя до линии кристаллизации рукава осуществляют обработку коронным разрядом при постоянном токе, обеспечивающую напряженность поляэлектретной пленки, кВ/м, соответствующую выражению 07,5105 - 450,где 20350 мкм - толщина пленки. Сущность изобретения состоит, во-первых, в том, что операцию электрической поляризации пленки осуществляют в процессе ее изготовления самым высокопроизводительным методом экструзии с...

Номер патента: 12168

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Агейчик Михаил Валерьевич, Агейчик Валерий Александрович, Шило Иван Николаевич

МПК: A01G 13/00

Метки: снятия, овощных, устройство, культур, защитной, пленки, посевов

Текст:

...5, механизма наматывания пленки 6 в виде планчатого барабана, консольно закрепленного на боковой стойке, содержащей в основании шарнир с вертикальной осью и имеющей вследствие этого неподвижную нижнюю 7 и подвижную верхнюю 8 части. К верхней части 8 боковой стойки крепится привод механизма наматывания пленки в виде гидромотора 9 и цепной передачи 10 (т.е. механизм наматывания пленки консольно закреплен на раме со стороны привода). К...

Номер патента: 12159

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Шило Иван Николаевич, Агейчик Михаил Валерьевич, Агейчик Валерий Александрович

МПК: A01G 13/00

Метки: защитной, устройство, посевов, овощных, снятия, пленки, культур

Текст:

...в виде шаровых сегментов с упирающимися в них концами продольных планок. На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, вид сбоку на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1 на фиг. 3 - разрез В-В на фиг. 2 на фиг. 4 - разрез Д-Д на фиг. 3. Устройство для снятия защитной пленки с посевов овощных культур агрегатируется транспортным средством, например трактором (не показан), и включает (фиг. 1) раму 1 с закрепленными на ней последовательно направляющим...

Номер патента: 12058

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: B05D 5/12, C23C 16/455, H01L 21/02...

Метки: поликристаллического, осаждения, пленки, кремния, способ, полуизолирующего

Текст:

...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...

Номер патента: 11985

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Немцевич Людмила Васильевна, Шадров Владимир Григорьевич, Точицкий Тадеуш Антонович

МПК: H01F 10/12, C25D 3/56, C25D 5/00...

Метки: однородной, пленки, способ, магнитомягкой, аморфной, получения, кобальт-фосфор-рений, сплава

Текст:

...интенсивному перемешиванию электролита в прикатодном слое под действием магнитогидродинамических сил. Более того, возникновение конвекционных потоков электролита может оказывать влияние на процессы восстановления водорода, фосфора и кобальта. Следствием этого является увеличение размеров ячеек,сужения и сокращение значительного числа каналов сетки, а также более равномерное распределение атомов металлов и металлоида в объеме ячеек. Уменьшение...

Номер патента: 11684

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Яблонский Геннадий Петрович, Павловский Вячеслав Николаевич, Хойкен Михаель, Луценко Евгений Викторович, Гурский Александр Леонидович, Осипов Константин Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00

Метки: излучения, эффективности, способ, пленки, полупроводника, повышения, органического

Текст:

...Способ повышения эффективности люминесценции органических полупроводниковых пленок рассмотрим на примере термического отжига органического полупроводника,(1-) - ,(1,1-)-4,4- (-). Заявленный способ проиллюстрирован чертежами 2 11684 1 2009.02.28 Фиг. 1 - схематическое изображение стенда для термической обработки пленок органических полупроводников. Фиг. 2 - график зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) органического...

Номер патента: 11399

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Иванов Василий Алексеевич, Гременок Валерий Феликсович, Залесский Валерий Борисович

МПК: H01L 31/18

Метки: тонкой, способ, пленки, соединения, cu(inxzn1-x)(seys1-у)2, получения

Текст:

...методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементов базового слоя халькогениды цинка и пленки металлов (С, ) - с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжиг полученной структуры в парах селена и серы (селенизация-сульфидизация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре 250 С происходит...

Номер патента: 11436

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Каланда Николай Александрович, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Лугинец Александр Михайлович, Кравцов Андрей Валерьевич, Колесова Ирина Михайловна

МПК: C30B 7/00, C30B 9/00, C30B 15/00...

Метки: способ, выращивания, монокристаллической, пленки, y3al5o12:nd3+

Текст:

...поэтапное наплавление раствора-расплава с его последующим гомогенизированием при 1250-1300 С. Монокристаллическую затравку из 3 А 5 О 12 опускают в тигель до ее касания поверхности нагретого раствора-расплава при 945-1020 С, содержащего оксиды РО, ВаО, 2 О 3 и А 2 О 3 на основе растворителя Р/В 2 О 3 в соотношении 11/1 моль/моль и кристаллообразующих А 2 О 3/2 О 3 в соотношении, находящемся в диапазоне 1-1,6 моль/моль. Подложку реверсивно...

Номер патента: 11368

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Грабчиков Сергей Степанович, Потужная Ольга Ивановна

МПК: C25D 5/00, C25D 3/56

Метки: способ, пленки, сплава, аморфной, магнитомягкой, кобальт-фосфор, получения

Текст:

...с размерами в плоскости пленки от нескольких 100 А до 1000 А, перпендикулярно плоскости пленки - до нескольких мкм 6. Данный тип микроструктуры не позволяет достигнуть высоких магнитомягких характеристик.Положительный эффект достигается за счет того, что полученные по предлагаемому способу пленки сплавов кобальт-фосфор обладают более высокооднородной сеточной микроструктурой по сравнению со структурой прототипа.На фиг. 1 представлены...

Номер патента: 11393

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Зарецкая Елена Петровна

МПК: H01L 31/18

Метки: пленки, cu2znsn(se,s)4, формирования, способ, соединения

Текст:

...2(,)4 пленки. Способ получения 2(,)4 тонких пленок включает следующую последовательность операций формирование на исходной подложке (или на подложке с проводящим контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементов базового слоя (С, ), (либо их бинарных селенидов и/или сульфидов) с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжиг полученной структуры в парах серы и селена...

Номер патента: 11392

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Тиванов Михаил Сергеевич, Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович, Зарецкая Елена Петровна

МПК: H01L 31/18

Метки: способ, пленки, cu(in,ga)(s,se)2, тонкой, получения

Текст:

...для синтеза однофазной (,)(,)2 пленки. Способ получения (,)(,)2 тонких пленок включает следующую последовательность операций формируют на исходной подложке (или на подложке с проводящим контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементы базового слоя и/или их бинарные селениды, и/или сульфиды с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжигают полученную структуру...

Номер патента: 10861

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Точицкий Тадеуш Антонович, Шадров Владимир Григорьевич, Немцевич Людмила Васильевна

МПК: C25D 3/56

Метки: получения, кобальт-фосфор, сплава, способ, магнитной, ультрадисперсной, пленки

Текст:

...структуры кобальта (с/а 1.620 5), разделенные один от другого тонкими слабомагнитными прослойками. Использование нового режима электролитиче 2 10861 1 2008.06.30 ского осаждения позволило формировать магнитотвердый материал с высокой дисперсностью. Пленки сплавов Со-Р, полученные по способу 3 обладают гетерогенной аморфнокристаллической блочной структурой и при увеличении концентрации гипофосфита натрия одноводного (222) в электролите более...

Номер патента: 10316

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Чигринова Наталья Михайловна, Чигринов Вадим Витальевич, Капсаров Александр Григорьевич, Бельский Сергей Ефграфович, Чигринов Виталий Евгеньевич, Аратский Павел Борисович

МПК: B23H 5/00

Метки: пленки, формирования, способ, сервовитной, поверхностях, трущихся

Текст:

...высокочастотных колебаний, оснащенный отделочным ультразвуковым инструментом, установленным в следе расходуемого электрода на расстоянии , в результате чего осуществляется удержание, уплотнение абразивонасыщенных слоев, транспорт абразива в глубину создаваемого покрытия, классификация абразивных фракций во впадинах микрорельефа и отделка формируемой поверхности, обеспечивающая ее повышенную чистоту. При этом расстояниемежду центром...

Номер патента: 9957

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Баранов Валентин Владимирович, Портнов Лев Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 14/35, C23C 14/34

Метки: способ, подложки, полупроводниковые, пленки, нанесения, молибдена

Текст:

...подложке и ухудшению стабильности ее структуры и воспроизводимости электрофизических свойств, снижению выхода годных ИСМЭ. Мощность магнетронного разряда однозначно определяет скорость нанесения пленки,а, следовательно, ее структуру и электрофизические свойства. При мощности распыления менее 0,7 кВт наблюдается увеличение растягивающих механических напряжений, что приводит к ухудшению адгезии пленок, а, следовательно, стабильности их...

Номер патента: U 3722

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Агейчик Валерий Александрович, Агейчик Михаил Валерьевич, Шило Иван Николаевич

МПК: A01G 13/02

Метки: пленки, снятия, защитной, устройство

Текст:

...наматывания пленки. Устройство для снятия защитной пленки агрегатируется с трактором и состоит из рамы 1, направляющего элемента 2, механизма очистки пленки в виде ротора 3, опорной площадки 4, вала со встречной винтовой навивкой 5, механизма наматывания пленки 6 в виде планчатого барабана, консольно закрепленного на боковой стойке, содержащей в основании шарнир с вертикальной осью и имеющей вследствие этого неподвижную нижнюю 7 и...

Номер патента: 8979

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/31, H01L 21/28

Метки: структуру, полипиромеллитимидной, способ, нанесения, полупроводниковую, пленки

Текст:

...положительную роль. Однако химическое взаимодействие ПАК с алюминием заметно сильнее,протекает при более низкой температуре и оксид в данном случае играет отрицательнуюроль. Кроме того, он проявляет основные свойства И при температуре выше 400 С, используемой для рекристаллизации металлических пленок и формирования контактов межсоединений, разрушает полиимид в области контакта (на границе раздела), вступая с ним в химическую реакцию....