Патенты с меткой «пленки»

Способ получения светополяризующей пленки

Загрузка...

Номер патента: 18613

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Кулевская Инна Владимировна, Космачёв Константин Сергеевич, Иванова Надежда Аркадьевна, Агабеков Владимир Енокович, Глоба Ирина Юрьевна, Микулич Вадим Сергеевич, Мацур Андрей Игоревич, Дайнеко Оксана Анатольевна, Космачёва Тамара Григорьевна, Безрученко Вероника Сергеевна

МПК: C08L 29/04, B29D 11/00, C08J 5/18...

Метки: получения, способ, светополяризующей, пленки

Текст:

...для формования пленки вводят добавки одного из следующих дихроичных красителей калий 4-4-аминонафт-1-ил) диазенил)-2-гидроксибензоат (2, молекулярная масса 345) динатриевая соль 4, 4-ди-4-гидроксифенилазо стильбен-2,2-дисульфоновой кислоты(бриллиантовый желтый) (БЖ, молекулярная масса 624) хризофенин (ХФ, молекулярная масса 680). Красители БЖ и ХФ использовали продажные компании . Спектры поглощения и пропускания светополяризующих пленок,...

Способ изготовления биоразрушаемой пленки

Загрузка...

Номер патента: 18675

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Литвяк Владимир Владимирович, Ермолович Ольга Анатольевна, Лашкина Елена Витальевна, Пинчук Леонид Семенович, Степаненко Анна Борисовна

МПК: C08J 5/18, B29C 47/08

Метки: изготовления, способ, биоразрушаемой, пленки

Текст:

...для его раздува иснаружи рукава для его охлаждения, воздушно-порошковых дисперсий на основе тех же биогенных неорганических солей, которые использованы в качестве наполнителей полиэтилена. Размеры этих частиц не превышают 40 мкм. Сущность изобретения состоит в следующем. Потоки воздуха, направляемые внутрь и на наружную поверхность полимерного рукава, выходящего из экструзионной головки,несут солевые частицы сверхтонкого (40 мкм) помола. Ввиду...

Способ получения устойчивой к термоокислению полиэтиленовой пленки или монолита

Загрузка...

Номер патента: 18406

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Лин Дмитрий Григорьевич, Воробьева Елена Валерьевна

МПК: C08J 5/18, C08L 23/06

Метки: устойчивой, способ, получения, термоокислению, полиэтиленовой, или, монолита, пленки

Текст:

...Технический результат достигается тем, что в способе получения устойчивой к термоокислению полиэтиленовой пленки или монолита порошок -фенилнафтиламина-2 размещают тонким слоем на никелевой фольге и термообрабатывают при температуре 145155 С в течение 4-5 ч, смешивают термообработанный -фенилнафтиламин-2 с полиэтиленом при следующем соотношении компонентов, мас.-фенилнафтиламин-2 0,05-1,00 полиэтилен остальное,прессуют полученную смесь при...

Способ создания высокочастотного микроконденсатора на основе пленки полиимида

Загрузка...

Номер патента: 18356

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Демьянов Сергей Евгеньевич, Канюков Егор Юрьевич, Петров Александр Владимирович

МПК: H01G 4/33, H01G 7/00

Метки: пленки, полиимида, основе, способ, создания, микроконденсатора, высокочастотного

Текст:

...пФ в частотном диапазоне от 107 до 109 Гц. Недостаток данного способа заключается в многостадийности технологии изготовления, связанной с применением нескольких физико-химических методик, а главное, с необходимостью использования жесткой металлической подложки на всех стадиях изготовления микроконденсатора. Задачей заявляемого решения является упрощение способа создания высокочастотного микроконденсатора и сокращение числа технологических...

Способ формирования пленки силицида титана для производства интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Трусов Виктор Леонидович, Солодуха Виталий Александрович, Колос Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/44, B08B 7/00

Метки: интегральных, титана, микросхем, формирования, силицида, способ, производства, пленки

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Способ травления пленки диоксида кремния при аэрозольной химической очистке полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/02, G05D 23/00, B08B 3/02...

Метки: пленки, травления, химической, очистке, аэрозольной, способ, полупроводниковых, кремния, диоксида, пластин

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Способ модификации поверхности полимерной пленки привитым функциональным полимером (варианты)

Загрузка...

Номер патента: 17429

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Пилипенко Владимир Валерьевич, Третинников Олег Николаевич, Приходченко Любовь Константиновна

МПК: C08J 7/18

Метки: функциональным, полимерной, привитым, поверхности, варианты, пленки, модификации, полимером, способ

Текст:

...и 1462 оптическая плотность полосы ПАК при 1712 см-1 и полосы ПЭ при 1462 см-1 в ИК-спектрах МНПВО рассматриваемых пленок. На фиг. 3 показана зависимость количества поверхностно-привитой ПАК на поверхности пленок ПЭ от толщины слоя водного раствора акриловой кислоты, из которого проводилась прививка. Продолжительность УФ-облучения пленок при проведении прививки составляла 2 мин. Количество привитого полимера дано в единицах отношения...

Способ формирования покрытия в виде оксидной пленки на металлической поверхности

Загрузка...

Номер патента: 17481

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Лапко Тамара Михайловна, Гринчик Николай Николаевич, Жданок Виталий Александрович

МПК: C23C 22/10

Метки: металлической, поверхности, формирования, покрытия, оксидной, виде, пленки, способ

Текст:

...компонентов может дополнительно содержать карбонат или бикарбонат аммония или гидроксид аммония в количестве, обеспечивающем сохранение уровня кислотности раствора. Способ фосфатирования металлической поверхности осуществляют кислотным водным раствором фосфата. Известен способ получения марганцевого фосфатирующего концентрата 3, заключающийся в получении марганцевого фосфатирующего концентрата, включающем растворение металлического...

Способ определения спектра фотомодуляционного изменения показателя поглощения тонкой пленки и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 16977

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Гузовский Виталий Геннадьевич, Хомченко Александр Васильевич, Коваленко Олег Евгеньевич

МПК: G01N 21/59

Метки: тонкой, фотомодуляционного, устройство, пленки, осуществления, показателя, определения, поглощения, изменения, спектра, способ

Текст:

...посредством фазочувствительного синхродетектора, на выходе которого получается результирующий сигнал, пропорциональный фотомодуляционному пропусканию света 3. Основной задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является повышение точности измерения и увеличение разрешающей способности фотомодуляционного метода, что позволяет регистрировать слабые полосы поглощения тонких пленок,а следовательно, получать...

Способ формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке

Загрузка...

Номер патента: 16839

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Колос Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Адашкевич Сергей Владимирович, Стельмах Вячеслав Фомич, Чапланов Аркадий Михайлович, Маркевич Мария Ивановна

МПК: H01L 21/02, C23C 14/16

Метки: подложке, формирования, кремниевой, пленки, дисилицида, титана, способ

Текст:

...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...

Способ получения устойчивой к термоокислению полиэтиленовой пленки

Загрузка...

Номер патента: 16800

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Воробьева Елена Валерьевна, Лин Дмитрий Григорьевич

МПК: C08L 23/06, C08J 5/18

Метки: способ, пленки, полиэтиленовой, термоокислению, получения, устойчивой

Текст:

...и стеарат меди, который является активнейшим катализатором процесса окисления полимера. Дополнительное введение серы (или сульфида натрия) приводит к дезактивации ионов меди,которые, очевидно, в расплаве образуют труднорастворимый сульфид меди (22-). Таким образом, заявляемый способ получения устойчивой к термоокислению полиэтиленовой пленки или покрытия позволяет использовать положительное влияние стеарата меди на антиоксидант...

Способ создания обмотки высокочастотного микроиндуктора на основе полиимидной пленки

Загрузка...

Номер патента: 16776

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Петров Александр Владимирович, Демьянов Сергей Евгеньевич, Канюков Егор Юрьевич

МПК: C23C 14/04, C23C 14/34, H01F 27/28...

Метки: пленки, полиимидной, микроиндуктора, основе, высокочастотного, создания, обмотки, способ

Текст:

...мкм. На финишном этапе изготовления подложка кремния, на которой изначально формировалась многослойная структура индуктора, стравливалась,что в конечном итоге обеспечивало гибкость изделия. Величина индуктивности такого индуктора составила 10-7 Гн, а его добротность - 10 при частоте 0,1 ГГц. Недостаток данного способа заключается в многостадийности технологии изготовления, связанной с применением нескольких физико-химических методик, а...

Способ формирования на подложке тонкой алмазоподобной пленки посредством вакуумной лазерной абляции

Загрузка...

Номер патента: 16615

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Шаронов Геннадий Викторович, Петров Сергей Александрович

МПК: C23C 14/28

Метки: лазерной, абляции, алмазоподобной, посредством, пленки, тонкой, вакуумной, подложке, формирования, способ

Текст:

...осуществлялось с использованием регулируемой оптической линии задержки, состоящей из 4 зеркал (фигура,, - интенсивность лазерного излучения,- длительность первого лазерного импульса по уровню 0,1,- время задержки второго импульса). Первый лазерный импульс, падающий на графит, расходует свою энергию на его разогрев и испарение. Энергия второго импульса служит источником доионизации лазерно-эрозионной плазмы и повышения температуры и...

Композиция для получения поляризационной полимерной пленки для ближней УФ-области спектра

Загрузка...

Номер патента: 16604

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Филиппович Людмила Николаевна, Шахаб Сиямак Насер, Арико Надежда Григорьевна, Малашко Павел Митрофанович, Агабеков Владимир Енокович

МПК: C09B 45/24, C08L 29/04, G02B 5/30...

Метки: получения, полимерной, спектра, поляризационной, ближней, пленки, уф-области, композиция

Текст:

...в кипящем диоксане, катализатором служит -толуолсульфокислота. Структура синтезированных красителей подтверждена данными ИК-и 1 ЯМРспектроскопии (500 МГц -6 для , - 2 для , )- ИК (см-1) 1547, 1394 (-) 1593, 1513 ( аром.) 1313 (- карбоксила) 871,795, 704 (- аром.) 1 ЯМР (, м.д.) 7,94 (дд, 2, аром.), 7,98 (дд, 2, аром.). 148242. Вычислено,8,9. Найдено,9,1.- ИК (см-1) 1677 ( кетона) 1586, 1403 (-) 1595, 1491 (С) 1265 (карбоксила) 843,...

Устройство для формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке

Загрузка...

Номер патента: U 8344

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Адашкевич Сергей Владимирович, Стельмах Вячеслав Фомич, Колос Владимир Владимирович, Чапланов Аркадий Михайлович, Маркевич Мария Ивановна

МПК: H01L 21/44

Метки: дисилицида, подложке, титана, кремниевой, устройство, формирования, пленки

Текст:

...свойств пленки титана 2 совмещен с блоком перемещения кремниевой подложки 18. Устройство формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке(фиг. 1) работает следующим образом. Кремниевая подложка через элемент загрузки 13 поступает в блок нанесения пленки титана 1, где осуществляется, как в известном устройстве 3, операция нанесения на поверхность кремниевой подложки пленки титана, например, способом магнетронного напыления,...

Машина для упаковки штучных и группы мелких продуктов в термосвариваемые пленки

Загрузка...

Номер патента: U 7948

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Косенко Владимир Борисович

МПК: B65B 9/00

Метки: пленки, мелких, продуктов, штучных, упаковки, термосвариваемые, машина, группы

Текст:

...конвейеры. Известны упаковочные машины, в которых для подачи продукта в зону упаковки и вывода упакованного продукта всю машину, кроме основания, наклоняют или поворачивают (как описано в аналогах настоящего описания). Габариты такой упаковочной машины в нерабочем состоянии небольшие,т.к. отсутствуют длинные конвейеры. Но при повороте или наклоне всей упаковочной машины требуется много свободного пространства и требуемое пространство для...

Импульсный генератор электроэрозионной плазмы для нанесения алмазоподобной тонкой пленки

Загрузка...

Номер патента: 15519

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Зеленковский Эдуард Михайлович, Акула Игорь Петрович, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: C23C 14/24, H05H 1/24

Метки: тонкой, пленки, нанесения, генератор, плазмы, алмазоподобной, электроэрозионной, импульсный

Текст:

...сторону оси генератора. При достижении плазмой анода происходит возбуждение основного импульсного вакуумно-дугового разряда между катодом и анодом генератора, которые связаны между собой электрической цепью, подключенной к основной конденсаторной батарее, отрицательный полюс которой соединен с катодом, а положительный - с анодом генератора. Зона возбуждения инициирующего импульсного дугового разряда перемещается от импульса к импульсу, что...

Способ формирования полимерной пленки, содержащей частицы серебра размером менее 100 нм

Загрузка...

Номер патента: 15112

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Козадаев Константин Владимирович, Шиман Дмитрий Иванович, Гончаров Виктор Константинович

МПК: B22F 9/00, B82B 1/00, B22F 9/06...

Метки: формирования, менее, пленки, содержащей, способ, серебра, размером, полимерной, частицы

Текст:

...лазерного излучения высокой интенсивности 108-109 Вт/см 2 образуется эрозионный лазерный факел, который состоит из паров,плазмы и жидкокапельной фазы материала мишени. При этом в факеле содержатся мелкие(40-50 нм) жидкокапельные частицы 4, 5, сформированные за счет конденсационного механизма 5, 6. Данные частицы в силу своей безынерционности увлекаются парами металла и движутся перпендикулярно поверхности металлической мишени. Если на пути...

Способ создания окисной пленки на поверхности полупроводниковой либо металлической подложки

Загрузка...

Номер патента: 14296

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Жорник Виктор Иванович, Петлицкая Татьяна Владимировна, Ковалева Светлана Анатольевна, Пилипенко Владимир Александрович, Витязь Петр Александрович

МПК: C25D 11/02, B82B 3/00

Метки: способ, окисной, либо, создания, подложки, полупроводниковой, пленки, поверхности, металлической

Текст:

...например монокристаллического кремния, эпитаксиальные пленки кремния, а также поликристаллический кремний, алюминий и др. Сущность изобретения поясняется прилагаемыми фигурами. Фиг. 1 - блок-схема для реализации предлагаемого способа на основе атомно-силового микроскопа (АСМ). Фиг. 2 - АСМ 3 - изображение топографии поверхности монокристаллического кремния КДБ-12 (111) с локальной окисной пленкой, полученной после первого этапа сканирования...

Способ определения нелинейных показателя преломления и коэффициента поглощения тонкой пленки

Загрузка...

Номер патента: 14043

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Хомченко Александр Васильевич, Сотский Александр Борисович, Сотская Людмила Ивановна, Глазунов Евгений Валерьевич, Шульга Александр Васильевич

МПК: G01N 21/55

Метки: способ, тонкой, коэффициента, определения, поглощения, показателя, преломления, нелинейных, пленки

Текст:

...характеризующийся тем, что в нелинейной тонкопленочной структуре возбуждают волноводную моду ТЕ - поляризации при неизменной мощностипадающего светового пучка радиуса 0 посредством призменного устройства связи, регистрируют пространственное распределение интенсивности отраженного светового пучка, по результатам анализа зависимости координат минимума интенсивности одного двумерного спектра интенсивности определяют 2 и 2 посредством...

Способ контроля постоянства физико-химических свойств тонкой пленки по ее объему

Загрузка...

Номер патента: 13751

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Худолей Андрей Леонидович, Чижик Сергей Антонович, Кузнецова Татьяна Анатольевна

МПК: G01N 13/10

Метки: пленки, свойств, способ, физико-химических, постоянства, контроля, объему, тонкой

Текст:

...способа является необходимость использования комбинированного прибора, состоящего, по меньшей мере, из двух прибо 2 13751 1 2010.10.30 ров - атомно-силового микроскопа и дополнительного прибора для аналитических измерений поверхности с контролем атмосферы компьютерными средствами. Задачей настоящего изобретения является упрощение контроля постоянства физикохимических свойств тонкой пленки путем его выполнения только на атомно-силовом...

Способ получения устойчивой к термоокислению полиэтиленовой пленки или монолита

Загрузка...

Номер патента: 13554

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Воробьева Елена Валерьевна, Лин Дмитрий Григорьевич

МПК: C08K 13/00, C08L 23/00

Метки: пленки, монолита, получения, или, способ, полиэтиленовой, устойчивой, термоокислению

Текст:

...температуре 1502 С и времени выдержки в прессе в течение 90120 секунд, предварительно порошок -фенилнафтиламина-2 смешивают с дисперсной медью и термообрабатывают на воздухе при температуре 145155 С в течение 7-17 часов, к термообработанной смеси добавляют органический растворитель, отделяют медь фильтрованием, испаряют растворитель и смешивают полученный 2-фенилнафтиламин-2 с полиэтиленом при следующем соотношении...

Способ получения тонкой пленки Ba1xSrxTiO3

Загрузка...

Номер патента: 13507

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Романюк Виктор Леонидович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: получения, тонкой, способ, ba1xsrxtio3, пленки

Текст:

...импульсное лазерное напыление на кремниевую подложку пленки 1-3 из материала мишени. Новым, по мнению авторов, является то, что импульсное лазерное напыление осуществляют лазером, работающим в режиме свободной генерации, с длиной волны 1,06 нм, длительностью импульса 10-3 с и энергией импульса 150-160 Дж, причем во время напыления давление составляет 200,5 Па и температура подложки 2002 С. На фиг. 1 представлена рентгенограмма пленки...

Способ получения тонкой пленки феррита стронция SrFeO3-(

Загрузка...

Номер патента: 13505

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Голосов Дмитрий Анатольевич, Каланда Николай Александрович, Гурский Леонид Ильич

МПК: H01F 41/14

Метки: способ, srfeo3, стронция, тонкой, получения, феррита, пленки

Текст:

...кристаллизации пленки от парциального давления инертных газов, при которых осуществляется напыление пленки. Задачей настоящего изобретения является упрощение и удешевление способа получения тонких пленок феррита стронция, обеспечение возможности проведения синтеза в условиях контроля процесса получения пленок 3-, улучшения их магнитных, магниторезистивных характеристик, уменьшение экономических затрат (отсутствие дополнительного отжига) и...

Способ получения полимерной электретной пленки

Загрузка...

Номер патента: 13328

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Сыцко Валентина Ефимовна, Гончарова Екатерина Петровна, Гольдаде Виктор Антонович, Пинчук Леонид Семенович, Короткий Максим Васильевич

МПК: H01G 7/00, B29C 49/08

Метки: получения, полимерной, электретной, способ, пленки

Текст:

...На участке от формообразователя до линии кристаллизации рукава осуществляют обработку коронным разрядом при постоянном токе, обеспечивающую напряженность поляэлектретной пленки, кВ/м, соответствующую выражению 07,5105 - 450,где 20350 мкм - толщина пленки. Сущность изобретения состоит, во-первых, в том, что операцию электрической поляризации пленки осуществляют в процессе ее изготовления самым высокопроизводительным методом экструзии с...

Устройство для снятия защитной пленки с посевов овощных культур

Загрузка...

Номер патента: 12168

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Агейчик Валерий Александрович, Агейчик Михаил Валерьевич, Шило Иван Николаевич

МПК: A01G 13/00

Метки: устройство, культур, овощных, защитной, посевов, снятия, пленки

Текст:

...5, механизма наматывания пленки 6 в виде планчатого барабана, консольно закрепленного на боковой стойке, содержащей в основании шарнир с вертикальной осью и имеющей вследствие этого неподвижную нижнюю 7 и подвижную верхнюю 8 части. К верхней части 8 боковой стойки крепится привод механизма наматывания пленки в виде гидромотора 9 и цепной передачи 10 (т.е. механизм наматывания пленки консольно закреплен на раме со стороны привода). К...

Устройство для снятия защитной пленки с посевов овощных культур

Загрузка...

Номер патента: 12159

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Шило Иван Николаевич, Агейчик Валерий Александрович, Агейчик Михаил Валерьевич

МПК: A01G 13/00

Метки: овощных, пленки, снятия, защитной, культур, устройство, посевов

Текст:

...в виде шаровых сегментов с упирающимися в них концами продольных планок. На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, вид сбоку на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1 на фиг. 3 - разрез В-В на фиг. 2 на фиг. 4 - разрез Д-Д на фиг. 3. Устройство для снятия защитной пленки с посевов овощных культур агрегатируется транспортным средством, например трактором (не показан), и включает (фиг. 1) раму 1 с закрепленными на ней последовательно направляющим...

Способ осаждения пленки полуизолирующего поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 12058

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Наливайко Олег Юрьевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: C23C 16/455, H01L 21/02, B05D 5/12...

Метки: полуизолирующего, пленки, осаждения, способ, поликристаллического, кремния

Текст:

...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...

Способ получения однородной аморфной магнитомягкой пленки сплава кобальт-фосфор-рений

Загрузка...

Номер патента: 11985

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Точицкий Тадеуш Антонович, Шадров Владимир Григорьевич, Немцевич Людмила Васильевна

МПК: H01F 10/12, C25D 5/00, C25D 3/56...

Метки: способ, сплава, однородной, кобальт-фосфор-рений, пленки, аморфной, магнитомягкой, получения

Текст:

...интенсивному перемешиванию электролита в прикатодном слое под действием магнитогидродинамических сил. Более того, возникновение конвекционных потоков электролита может оказывать влияние на процессы восстановления водорода, фосфора и кобальта. Следствием этого является увеличение размеров ячеек,сужения и сокращение значительного числа каналов сетки, а также более равномерное распределение атомов металлов и металлоида в объеме ячеек. Уменьшение...

Способ повышения эффективности излучения пленки органического полупроводника

Загрузка...

Номер патента: 11684

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Осипов Константин Александрович, Гурский Александр Леонидович, Яблонский Геннадий Петрович, Луценко Евгений Викторович, Павловский Вячеслав Николаевич, Хойкен Михаель

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00

Метки: способ, пленки, органического, эффективности, полупроводника, излучения, повышения

Текст:

...Способ повышения эффективности люминесценции органических полупроводниковых пленок рассмотрим на примере термического отжига органического полупроводника,(1-) - ,(1,1-)-4,4- (-). Заявленный способ проиллюстрирован чертежами 2 11684 1 2009.02.28 Фиг. 1 - схематическое изображение стенда для термической обработки пленок органических полупроводников. Фиг. 2 - график зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) органического...

Способ получения тонкой пленки соединения Cu(InxZn1-x)(SeyS1-у)2

Загрузка...

Номер патента: 11399

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Иванов Василий Алексеевич, Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: тонкой, получения, пленки, способ, соединения, cu(inxzn1-x)(seys1-у)2

Текст:

...методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементов базового слоя халькогениды цинка и пленки металлов (С, ) - с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжиг полученной структуры в парах селена и серы (селенизация-сульфидизация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре 250 С происходит...

Способ выращивания монокристаллической пленки Y3Al5O12:Nd3+

Загрузка...

Номер патента: 11436

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Лугинец Александр Михайлович, Кравцов Андрей Валерьевич, Колесова Ирина Михайловна, Каланда Николай Александрович, Гурецкий Сергей Арсеньевич

МПК: C30B 9/00, C30B 7/00, C30B 15/00...

Метки: выращивания, y3al5o12:nd3+, монокристаллической, пленки, способ

Текст:

...поэтапное наплавление раствора-расплава с его последующим гомогенизированием при 1250-1300 С. Монокристаллическую затравку из 3 А 5 О 12 опускают в тигель до ее касания поверхности нагретого раствора-расплава при 945-1020 С, содержащего оксиды РО, ВаО, 2 О 3 и А 2 О 3 на основе растворителя Р/В 2 О 3 в соотношении 11/1 моль/моль и кристаллообразующих А 2 О 3/2 О 3 в соотношении, находящемся в диапазоне 1-1,6 моль/моль. Подложку реверсивно...

Способ получения аморфной магнитомягкой пленки сплава кобальт-фосфор

Загрузка...

Номер патента: 11368

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Грабчиков Сергей Степанович, Потужная Ольга Ивановна

МПК: C25D 5/00, C25D 3/56

Метки: сплава, аморфной, кобальт-фосфор, магнитомягкой, способ, получения, пленки

Текст:

...с размерами в плоскости пленки от нескольких 100 А до 1000 А, перпендикулярно плоскости пленки - до нескольких мкм 6. Данный тип микроструктуры не позволяет достигнуть высоких магнитомягких характеристик.Положительный эффект достигается за счет того, что полученные по предлагаемому способу пленки сплавов кобальт-фосфор обладают более высокооднородной сеточной микроструктурой по сравнению со структурой прототипа.На фиг. 1 представлены...

Способ формирования пленки соединения Cu2ZnSn(Se,S)4

Загрузка...

Номер патента: 11393

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Зарецкая Елена Петровна

МПК: H01L 31/18

Метки: способ, пленки, cu2znsn(se,s)4, формирования, соединения

Текст:

...2(,)4 пленки. Способ получения 2(,)4 тонких пленок включает следующую последовательность операций формирование на исходной подложке (или на подложке с проводящим контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементов базового слоя (С, ), (либо их бинарных селенидов и/или сульфидов) с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжиг полученной структуры в парах серы и селена...

Способ получения тонкой пленки Cu(In,Ga)(S,Se)2

Загрузка...

Номер патента: 11392

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Тиванов Михаил Сергеевич, Зарецкая Елена Петровна, Гременок Валерий Феликсович, Залесский Валерий Борисович

МПК: H01L 31/18

Метки: тонкой, cu(in,ga)(s,se)2, получения, пленки, способ

Текст:

...для синтеза однофазной (,)(,)2 пленки. Способ получения (,)(,)2 тонких пленок включает следующую последовательность операций формируют на исходной подложке (или на подложке с проводящим контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементы базового слоя и/или их бинарные селениды, и/или сульфиды с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжигают полученную структуру...

Способ получения ультрадисперсной магнитной пленки сплава кобальт-фосфор

Загрузка...

Номер патента: 10861

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Немцевич Людмила Васильевна, Шадров Владимир Григорьевич, Точицкий Тадеуш Антонович

МПК: C25D 3/56

Метки: получения, пленки, ультрадисперсной, способ, магнитной, сплава, кобальт-фосфор

Текст:

...структуры кобальта (с/а 1.620 5), разделенные один от другого тонкими слабомагнитными прослойками. Использование нового режима электролитиче 2 10861 1 2008.06.30 ского осаждения позволило формировать магнитотвердый материал с высокой дисперсностью. Пленки сплавов Со-Р, полученные по способу 3 обладают гетерогенной аморфнокристаллической блочной структурой и при увеличении концентрации гипофосфита натрия одноводного (222) в электролите более...

Способ формирования сервовитной пленки на трущихся поверхностях

Загрузка...

Номер патента: 10316

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Чигринова Наталья Михайловна, Аратский Павел Борисович, Чигринов Виталий Евгеньевич, Капсаров Александр Григорьевич, Чигринов Вадим Витальевич, Бельский Сергей Ефграфович

МПК: B23H 5/00

Метки: способ, сервовитной, формирования, пленки, трущихся, поверхностях

Текст:

...высокочастотных колебаний, оснащенный отделочным ультразвуковым инструментом, установленным в следе расходуемого электрода на расстоянии , в результате чего осуществляется удержание, уплотнение абразивонасыщенных слоев, транспорт абразива в глубину создаваемого покрытия, классификация абразивных фракций во впадинах микрорельефа и отделка формируемой поверхности, обеспечивающая ее повышенную чистоту. При этом расстояниемежду центром...

Способ нанесения пленки молибдена на полупроводниковые подложки

Загрузка...

Номер патента: 9957

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Баранов Валентин Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: C23C 14/35, C23C 14/34

Метки: нанесения, способ, подложки, полупроводниковые, пленки, молибдена

Текст:

...подложке и ухудшению стабильности ее структуры и воспроизводимости электрофизических свойств, снижению выхода годных ИСМЭ. Мощность магнетронного разряда однозначно определяет скорость нанесения пленки,а, следовательно, ее структуру и электрофизические свойства. При мощности распыления менее 0,7 кВт наблюдается увеличение растягивающих механических напряжений, что приводит к ухудшению адгезии пленок, а, следовательно, стабильности их...

Устройство для снятия защитной пленки

Загрузка...

Номер патента: U 3722

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Шило Иван Николаевич, Агейчик Валерий Александрович, Агейчик Михаил Валерьевич

МПК: A01G 13/02

Метки: защитной, пленки, устройство, снятия

Текст:

...наматывания пленки. Устройство для снятия защитной пленки агрегатируется с трактором и состоит из рамы 1, направляющего элемента 2, механизма очистки пленки в виде ротора 3, опорной площадки 4, вала со встречной винтовой навивкой 5, механизма наматывания пленки 6 в виде планчатого барабана, консольно закрепленного на боковой стойке, содержащей в основании шарнир с вертикальной осью и имеющей вследствие этого неподвижную нижнюю 7 и...

Способ нанесения полипиромеллитимидной пленки на полупроводниковую структуру

Загрузка...

Номер патента: 8979

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/31, H01L 21/28

Метки: структуру, способ, пленки, полупроводниковую, нанесения, полипиромеллитимидной

Текст:

...положительную роль. Однако химическое взаимодействие ПАК с алюминием заметно сильнее,протекает при более низкой температуре и оксид в данном случае играет отрицательнуюроль. Кроме того, он проявляет основные свойства И при температуре выше 400 С, используемой для рекристаллизации металлических пленок и формирования контактов межсоединений, разрушает полиимид в области контакта (на границе раздела), вступая с ним в химическую реакцию....