Патенты с меткой «плазменный»

Номер патента: 16792

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Шараховский Александр Иванович, Шараховский Леонид Иванович

МПК: C10G 15/00, C10J 3/18

Метки: плазменный, встречными, струями, реактор

Текст:

...межэлектронной вставки (далее МЭВ), изготовленной из низкоуглеродистой конструкционной стали без применения в ней цветных металлов, на водяном паре и воздухе тепловые потери в катод составили 2,5 от мощности разряда, при токах 80-120 А и напряжениях 410-220 В соответственно. Катодный плазмотрон данного типа с гафниевой тероэмиссионной вставкой на катоде успешно работал длительное время в стационарном режиме при подаче в него всего 2 г/с...

Номер патента: 15662

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Залесский Виталий Геннадьевич, Груздев Владимир Алексеевич, Русецкий Игорь Станиславович

МПК: H01J 3/00

Метки: электронов, плазменный, источник

Текст:

...плазмообразующего газа. Под катодом 2 размещен дополнительный электрически изолированный электрод 6, имеющий отверстие 7 - эмиссионный канал. Под дополнительным электродом 6 установлен ускоряющий электрод 8 с отверстием 9 для прохождения электронного пучка. В отражательном катоде 2 имеется отверстие 10. Диаметр эмиссионного канала 7 меньше диаметра отверстия 10 в отражательном катоде 2. Все элементы устройства, за исключением анода,...

Номер патента: U 4357

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Кухарчук Игорь Григорьевич, Долголенко Григорий Васильевич, Никончук Александр Николаевич, Бублиевский Александр Федорович, Горбунов Андрей Васильевич, Галиновский Антон Александрович, Ермолаева Елена Михайловна, Коваль Виталий Александрович, Баранышин Евгений Александрович

МПК: H05H 1/26, B23K 10/00, H05H 1/24...

Метки: взрывчатых, веществ, реактор, основе, жидкого, пестицидов, плазменный, сырья, переработки

Текст:

...установлена форсунка, выполненная в виде пневматического распылителя. Кроме того, электродуговой плазмотрон постоянного тока выполнен с двумя электродами и одним газовым кольцом и генерирует струю воздушной плазмы со среднемассовой температурой на выходе из плазмотрона в диапазоне 3000-4000 К, корневой угол раскрытия факела распыла капель жидкого сырья пневматического распылителя составляет 0,20,4 радиана, длина дополнительно введенной...

Номер патента: 9264

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Селифанов Олег Владимирович, Селифанов Сергей Олегович, Точицкий Эдуард Иванович

МПК: H05H 1/48, C23C 14/24, H05H 1/24...

Метки: технологический, ускоритель, импульсный, вакуумно-дуговой, плазменный

Текст:

...Отсутствие научно-технических публикаций, касающихся вышеуказанных отличительных признаков технологического импульсного вакуумно-дугового плазменного ускорителя, подтверждает новизну предлагаемого изобретения. Вышеуказанная форма выполнения внутренней поверхности кольцевого изолятора при имеющем место отсутствии заметных следов ее повреждения в процессе достаточно продолжительной эксплуатации ускорителя позволяет эффективно использовать...

Номер патента: 7573

Опубликовано: 30.12.2005

Авторы: Залесский Виталий Геннадьевич, Груздев Владимир Алексеевич

МПК: H01J 3/02

Метки: электронов, источник, плазменный

Текст:

...в область повышенных значений и, тем самым, значительное увеличение области технологического применения источника. Поставленная задача решается тем, что в плазменном источнике электронов, включающем размещенные по одной оси два катода, главный анод и ускоряющий электрод, а также эмиссионный канал и постоянные магниты, в отличие от прототипа имеется вспомогательный анод, расположенный под внешним катодом, главный анод расположен между 2...

Номер патента: U 469

Опубликовано: 30.03.2002

Авторы: Залесский Виталий Геннадьевич, Голубев Юрий Петрович, Груздев Владимир Алексеевич

МПК: H01J 3/04

Метки: пучком, электронов, большого, плазменный, источник, сечения

Текст:

...состоящем из газоразрядной камеры, которая включает в себя два катода, анод и постоянные магниты,и из формирователя-расширителя с эмиттерным сеточным электродом, в отличие от прототипа эмиттерный электрод выполнен в виде двух эквипотенциальных сеток с расстоянием между ними, равным 0,8-2 размера ячейки сетки, т.е. в источнике применена новая двухсеточная схема стабилизации эмитирующей плазменной поверхности. На фигуре представлен заявляемый...

Номер патента: U 220

Опубликовано: 30.12.2000

Авторы: Залесский Виталий Геннадьевич, Груздев Владимир Алексеевич

МПК: H01J 3/04

Метки: электронов, плазменный, источник

Текст:

...при сравнительно невысоких ускоряющих напряжениях и усугубляется с повышением давления. Основной задачей полезной модели является расширение диапазона рабочих давлений, в котором параметры электронного пучка остаются устойчивыми, в область повышенных значений и тем самым значительное увеличение области технологического применения источника. Поставленная задача решается тем, что в плазменном источнике электронов, включающем размещенные...