Патенты с меткой «пластина»

Двухслойная режущая пластина

Загрузка...

Номер патента: 16844

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Аниченко Николай Георгиевич, Ракицкая Людмила Иосифовна, Игнатенко Олег Владимирович

МПК: B23B 27/16, C22C 29/16

Метки: двухслойная, пластина, режущая

Текст:

...пластины значение 1 лежит в пределах от 1,2 до 0,1. Если слой сверхтвердого материала выполнен из кубического нитрида бора , а подложка из карбида вольфрама , силы напряжения, возникающие при нагревании до температуры 900 С, будут 68 кг/мм 2 для 11,2 и 122,5 кг/мм 2 для 10,1. В случае режущей пластины, изготовленной в соответствии с предлагаемой конструкцией,значение 1 находится в пределах от 5 до 20, и соответственно, силы напряжения,...

Полупроводниковая кремниевая пластина

Загрузка...

Номер патента: 16227

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 21/322

Метки: кремниевая, пластина, полупроводниковая

Текст:

...пленке а- препятствуют эпитаксиальной рекристаллизации поли- и способствуют уменьшению размеров его зерен. В результате суммарная площадь межзеренных границ, определяющая эффективность геттерирования, возрастает. Использование промежуточного слоя - в составе заявляемой пластины позволяет увеличить толщину исходного слоя оксида кремния до 2,5 нм, что обеспечивает возможность проведения ее химической отмывки в процессе изготовления, делает...

Динамическая пластина для временного блокирования зон роста длинных трубчатых костей нижних конечностей у детей младшего возраста

Загрузка...

Номер патента: U 8215

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Сердюченко Сергей Николаевич, Соколовский Олег Анатольевич

МПК: A61B 17/56

Метки: роста, динамическая, пластина, детей, длинных, конечностей, блокирования, младшего, возраста, зон, костей, временного, нижних, трубчатых

Текст:

...которой направлена предлагаемая полезная модель, - динамическое блокирование зон роста длинных трубчатых костей нижних конечностей при использовании у детей младшего возраста. Поставленная задача решается с помощью предлагаемого устройства для временного блокирования зон роста длинных трубчатых костей нижних конечностей в виде титановой пластины, имеющей овальную форму, с отверстиями для винтов по краям, которая снабжена ребрами,...

Полупроводниковая кремниевая пластина

Загрузка...

Номер патента: 15744

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322

Метки: пластина, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...оксид титана или тантала легко растворяется в силициде, в результате чего барьер для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера в виде оксидной пленки исчезает. Эти силициды создают наименьшие механические напряжения в получаемой пластине. Кроме этого, рассматриваемые силициды образуют самоформирующиеся слои. Это значит, что они не растворяются во всем объеме полупроводниковой подложки,а существуют только в виде локализованного...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15754

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: ориентации, 001, кремниевая, пластина, полупроводниковая

Текст:

...второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов),глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых некоторым выбранным вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15746

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: 001, кремниевая, пластина, полупроводниковая, ориентации

Текст:

...различного размера и фрактальный характер их взаимного расположения обеспечивает одновременное наличие дефектов различного размера или уровня. Эти уровни существуют не независимо друг от друга, а активно взаимодействуют друг с другом с образованием новых элементов дислокационной структуры за счет явления самоформирования. Их взаимодействие обусловлено, с одной стороны, взаимодействием полей механических напряжений, а с другой стороны, тем, что...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15741

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: кремниевая, 001, пластина, ориентации, полупроводниковая

Текст:

...от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных окон и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым этапом...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15740

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: кремниевая, полупроводниковая, 001, пластина, ориентации

Текст:

...(т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых некоторым выбранным вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15468

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: полупроводниковая, 111, ориентации, кремниевая, пластина

Текст:

...нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к первичному тетраэдру и т.д. Высота тетраэдров каждый раз уменьшается в 2 раза. При этом вершины тетраэдров одного уров 5 15468 1...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15467

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: полупроводниковая, кремниевая, 111, пластина, ориентации

Текст:

...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15359

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: ориентации, полупроводниковая, пластина, кремниевая, 111

Текст:

...1 ) и (01 1 ) под действием термомеханических напряжений в области дефектов на торце пластины, скользят по направлению к центру пластины. На своем пути они встречают дислокации, генерируемые контролируемыми нарушениями и расположенные в плоскостях (110), (11 1 ), (101), (1 1 1),(011), ( 1 11) , и блокируются ими с образованием дислокационных полупетель, закрепленных одним концом на торце пластины, а другим - на обратной стороне пластины....

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15358

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: кремниевая, полупроводниковая, пластина, ориентации, 001

Текст:

...пути встречают дислокации, расположенные в одной из плоскостей (101), (10 1 ) , (011) и (0 1 1) , и блокируются ими с образованием дислокационных полупетель, закрепленных одним концом на торце пластины, а другим - на обратной стороне пластины. Скольжение дислокаций переходит в другую кристаллографическую плоскость, рост линии скольжения прекращается. В итоге рабочая поверхность пластины сохраняет высокое первоначальное качество. На поверхности...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15260

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластина, полупроводниковая, ориентации, 111, кремниевая

Текст:

...гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения (110), находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15305

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластина, полупроводниковая, кремниевая, 111, ориентации

Текст:

...в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости (111). Это приводит к самоформированию вторичных тетраэдров,...

Полупроводниковая кремниевая пластина

Загрузка...

Номер патента: U 6967

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 23/00

Метки: пластина, кремниевая, полупроводниковая

Текст:

...между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -ОН. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 25 до нескольких ангстрем. Слой 2 толщиной несколько ангстрем, как и в случае прототипа, уже не является 3 69672011.02.28 препятствием для диффузии неконтролируемых примесей из объема кремниевой подложки в поликристаллическую пленку. Наличие групп - в объеме пленок - и...

Полупроводниковая кремниевая пластина

Загрузка...

Номер патента: U 6965

Опубликовано: 28.02.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 23/00

Метки: полупроводниковая, кремниевая, пластина

Текст:

...силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются высокой адгезией к поверхности кремниевой подложки, в том числе окисленной. В процессе формирования геттера они взаимодействуют с оксидом кремния, образовавшимся на поверхности подложки в результате хранения или химической отмывки, и восстанавливают его до кремния. Образовавшийся оксид титана или тантала легко растворяется в силициде,в результате чего...

Пластина для остеосинтеза

Загрузка...

Номер патента: U 6880

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Минько Дмитрий Вацлавович, Барьяш Виктор Васильевич

МПК: A61F 2/42

Метки: остеосинтеза, пластина

Текст:

...отверстий под элементы фиксации и под элементы компрессии составляет 0-30 , а размер пор - 0-50 мкм. На фиг. 1 изображен вид сверху предложенной пластины для остеосинтеза, на фиг. 2 продольный разрез пластины, на фиг. 3 - увеличенный фрагмент градиентно-пористой структуры пластины. Пластина для остеосинтеза (фиг. 1, 2) имеет наружную поверхность 1, опорную поверхность 2 и боковую поверхность 3. Оси отверстий под элементы фиксации 4 и под...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: U 6677

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: 001, ориентации, пластина, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность таких вновь образованных окон можно рассматривать как новый, второй уровень элементов, который приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникнове 5 66772010.10.30 ния, определяемой размерами соответствующих им...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: U 6676

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: 001, ориентации, полупроводниковая, пластина, кремниевая

Текст:

...к данному элементу приводит к возникновению нового элемента (окна в случае выбора в качестве первичного элемента островка и, соответственно, островка в случае выбора окна) с размером стороны, равным 1/3. При этом образуется новый, второй, уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: U 6675

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластина, полупроводниковая, 001, кремниевая, ориентации

Текст:

...При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ 34-2. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается....

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: U 6674

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: ориентации, 001, полупроводниковая, кремниевая, пластина

Текст:

...новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры окна в 3 раза меньше размеров островка, глубина проникновения генерируемых им дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых вновь образованным элементом(окном), также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: U 6343

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевая, пластина, ориентации, 111, полупроводниковая

Текст:

...меньше по отношению к первичному тетраэдру и т.д. Высота тетраэдров каждый раз уменьшается в 2 раза. При этом вершины тетраэдров одного уровня находятся на одной и той же высоте и лежат в плоскости (111), которая также является плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры - октаэдра. Его можно рассматривать также как фигуру, образованную в результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: U 6339

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: 111, пластина, ориентации, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов двух типов - окон и островков приводит к тому, что конечная структура состоит только из элементов минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: U 6338

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: 111, полупроводниковая, кремниевая, ориентации, пластина

Текст:

...состоит только из элементов минимального размера, элементы бльших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: U 6337

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: кремниевая, 111, пластина, ориентации, полупроводниковая

Текст:

...тетраэдров одного уровня находятся на одной и той же высоте и лежат в плоскости (111), которая также является плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры - октаэдра. Его можно рассматривать так же,как фигуру, образованную в результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого 5 63372010.06.30 тетраэдра совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит...

Многогранная пластина из твердого сплава

Загрузка...

Номер патента: U 6261

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Шеменков Владимир Михайлович

МПК: B23B 27/00

Метки: твердого, пластина, сплава, многогранная

Текст:

...имеет ряд недостатков, а именно эффективность применения износостойкого покрытия в условиях прерывистого резания низка, так как происходит его растрескивание и скалывание, а также усложняется процесс последующей утилизации вследствие использования в качестве покрытия химических элементов, не входящих в состав материала подложки. Задачей полезной модели является повышение поверхностной твердости и износостойкости сменной многогранной пластины...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: U 6166

Опубликовано: 30.04.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: 111, полупроводниковая, пластина, ориентации, кремниевая

Текст:

...моменты перпендикулярны линиям нарушений. Эти плоскости наклонены к поверхности пластины и пересекаются на некотором расстоянии от ее поверхности опять-таки в плоскости( 1 1 1 ) (или в плоскости (111), что то же самое), которая также является плоскостью скольжения. Пересечение рассматриваемых плоскостей скольжения приводит к блокированию дислокаций, скользящих в пересекающихся плоскостях с образованием дислокационных полупетель, закрепленных...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: U 6148

Опубликовано: 30.04.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковая, ориентации, 001, пластина, кремниевая

Текст:

...процесса генерации дислокаций в плоскостях (101), (1 0 1 ), (011) и ( 0 1 1 ), которые наклонены к поверхности под углом 45. Генерация дислокаций именно в этих плоскостях в данном случае энергетически наиболее выгодна и обусловлена тем, что возникающие от механических нарушений изгибающие моменты перпендикулярны линиям нарушений. Плоскости (101) и ( 1 0 1 ), (011) и ( 0 1 1 ) попарно перпендикулярны друг другу,поэтому генерируемые в...

Компрессирующая пластина для остеосинтеза трубчатых костей

Загрузка...

Номер патента: 12598

Опубликовано: 30.12.2009

Автор: Герасимчик Владимир Викентьевич

МПК: A61B 17/58

Метки: трубчатых, остеосинтеза, костей, пластина, компрессирующая

Текст:

...отломка кости и дистальную часть для фиксации дистального отломка кости, при этом 2 12598 1 2009.12.30 дистальная часть снабжена элементом стопорного механизма и направляющим элементом, выполненным в форме канала с возможностью взаимодействия с дистальным концом проксимальной части, а дистальный конец проксимальной части снабжен блокирующим приспособлением, выполненным в виде цилиндрического стержня, на одном конце снабженного наружной...

Режущая пластина

Загрузка...

Номер патента: 11725

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Ракицкая Людмила Иосифовна, Аниченко Николай Георгиевич

МПК: B32B 7/02, B23B 27/14

Метки: режущая, пластина

Текст:

...признаком прототипа и заявляемого объекта является наличие в режущей пластине подложки с нанесенным на нее слоем сверхтвердого материала, состоящим из алмаза и КНБ. Задачей, решаемой данным изобретением, является повышение эксплуатационных свойств режущих пластин, то есть долговечности инструмента. Поставленная задача достигается тем, что режущая пластина состоит из подложки из тугоплавкого материала с нанесенным на нее слоем сверхтвердого...

Облицовочная пластина пресс-форм

Загрузка...

Номер патента: U 3339

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Трепашко Юрий Иванович, Бетеня Григорий Филиппович, Анискович Геннадий Иосифович, Чаховский Александр Корнелиевич, Литовчик Дмитрий Петрович

МПК: B30B 15/02, B28B 3/00

Метки: облицовочная, пресс-форм, пластина

Текст:

...и под действием ударных нагрузок ломаются из-за их хрупкости, а при малой твердости могут изгибаться и терять свою формуимеют низкую износостойкость при работе в условиях абразивного износа (наполнение кермической массой и формовка изделий), т.к. максимальная твердость, которую можно получить на пластине, составляет 54 НКСэиспользуемые технологии упрочнения для указанных сталей трудоемкие и не экологичные.Задача полезной модели - устранение...

Неорганическая пластина для изготовления пигментов, способ изготовления неорганических пигментов, пигмент, покрытие, включающее пигмент, подложка с покрытием и документ с защитой, отпечатанный с использованием покрытия

Загрузка...

Номер патента: 8254

Опубликовано: 30.08.2006

Автор: undefined

МПК: G06K 19/06, B42D 15/10

Метки: отпечатанный, неорганическая, включающее, покрытия, покрытие, пигментов, неорганических, покрытием, пластина, способ, защитой, документ, изготовления, пигмент, использованием, подложка

Текст:

...т.д. Полупрозрачность металлических слоев зависит от их толщины. Обычно толщина полупрозрачного слоя составляет от 5 до 10 нм. Неорганическая пластина, изменяющая цвет в зависимости от угла зрения, изготовляется, предпочтительно, на несущем материале, таком как эластичное полотно, например ПЭТ. В большинстве случаев первый полупрозрачный слой наносят на эластичное полотно. После последовательного размещения всех слоев многослойное покрытие...

Полупроводниковая кремниевая пластина

Загрузка...

Номер патента: U 1188

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевая, пластина, полупроводниковая

Текст:

...10 1 или 01 1 , являющихся наиболее выгодными направлениями с точки зрения хрупкого разрушения кремния. Каждому из этих направлений абразивного воздействия соответствуют два возможных перпендикулярных им и взаимно противоположных направления подачи инструмента. В связи с тем, что три направления абразивного воздействия абсолютно идентичны, рассмотрим одно из них, а именно направление 1 1 0. При абразивном воздействии в направлении 1 1 0...

Высокоэффективная теплопередающая пластина теплообменного аппарата

Загрузка...

Номер патента: U 1148

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Марковец Леонид Борисович, Асташонок Григорий Николаевич

МПК: F28F 3/00

Метки: пластина, высокоэффективная, теплообменного, теплопередающая, аппарата

Текст:

...в местах примыкания пластин (фиг. 2). Так устроены теплопередающие пластины всех известных теплообменных аппаратов. Стенки каналов пластины имеют гладкую поверхность. Многочисленные исследования показали, что далее при турбулентном течении жидкости на поверхности гладких стенок остается тонкий (как бы прилипший к ним) ламинарный слой, который существенно снижает коэффициент теплоотдачи. Это является главным недостатком всех известных...

Накостная пластина

Загрузка...

Номер патента: 1215

Опубликовано: 14.06.1996

Автор: Артюшкевич Александр Сергеевич

МПК: A61B 17/58, A61C 8/00

Метки: накостная, пластина

Текст:

...своей конструкции устройство позволяет надежно фиксировать отломки нижней челюсти в области тела и симфиза путем нейтрализации переменных деформаций растяжения и сжатия,возникающих при функциональных нагрузках с наружной и внутренней поверхности челюсти за счет моно- и бикортикштьного остеосинтеза. Применение устройства не требует отслойки слизисто-надкосничното лоскута с язычной поверхности нижней челюсти и сохраняет, таким образом,...