Патенты с меткой «пластин»

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/311

Метки: способ, изготовлении, кремния, поликристаллического, интегральных, микросхем, реставрации, пленкой, пластин

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, B08B 3/02, G05D 23/00...

Метки: аэрозольной, травления, химической, пленки, очистке, способ, полупроводниковых, диоксида, пластин, кремния

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 21/30

Метки: способ, поверхности, удаления, фоторезиста, аэрозольного, полимерных, загрязнений, после, плазмохимического, травления, полупроводниковых, кремниевых, пластин

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...

Номер патента: 16540

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Осоко Сергей Анатольевич, Мещерякова Мария Михайловна, Игнатович Людмила Владимировна, Шишов Андрей Витальевич

МПК: B27M 3/06, B27M 3/04

Метки: лиственных, пород, декоративных, изготовления, способ, шпона, древесины, мягких, пластин, лущеного

Текст:

...на водной основе листов шпона в различные цвета, при этом температура красителя равна 50-60 С, а время выдержки в ванне составляет 2-6 часов, наносят вальцами на шпон, влажность которого равна 20-30 , клей на основе меламиноформальдегидных или фенолформальдегидных малотоксичных смол, набирают пакет, чередуя различно окрашенные листы шпона как одной породы, так и разных пород древесины с соблюдением различной ориентации волокон листов...

Номер патента: 16480

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/44, B08B 3/08

Метки: основе, алюминия, кремниевых, струйной, способ, полупроводниковых, очистки, поверхности, металлизированной, пластин, разводкой

Текст:

...водой в течение менее 60 с при скорости вращения менее 50 об./мин поверхность недостаточно гидрофилизируется, что приводит к подтраву поверхности алюминия и снижениювыхода ИМС. При предварительной обработке пластин деионизированной водой в течение более 180 секунд и скорости более 150 об./мин наблюдается коррозия алюминия и выход годных снижается. Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и 2, где на фиг. 1 представлено значительное и...

Номер патента: 16138

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Логвина Екатерина Владимировна, Артюшевский Олег Гаврилович, Логвин Владимир Александрович

МПК: F24H 3/08, F28F 9/26

Метки: осуществления, устройство, способ, пластин, крепления, конвектора

Текст:

...отверстия трубчатой заготовки. Для эффективной работы конвектора необходимо обеспечить надежный контакт пластин(ребер) с трубой, которая устанавливается через отверстия в пластинах. Трубы, используемые для изготовления конвекторов по ГОСТ 3262-75 Трубы стальные водогазопроводные, в зависимости от условного прохода имеют предельные отклонения при диаметре 4 до 40 мм 05 , тогда как максимальный оптимальный относительный натяг для дорнова 0 ния...

Номер патента: 15745

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/322

Метки: полупроводниковых, геттерирующее, покрытие, пластин, кремниевых

Текст:

...еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 2,5 нм до значений не более...

Номер патента: 15747

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: ориентации, функционального, кремниевых, полупроводниковых, пластин, 001, покрытия, формирования, способ

Текст:

...по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им окон, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков слоя 34 по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию...

Номер патента: 15753

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: пластин, формирования, 001, функционального, покрытия, кремниевых, ориентации, способ, полупроводниковых

Текст:

...в качестве первичного элемента островка и соответственно островка в случае выбора окна) с размером стороны, равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е....

Номер патента: 15599

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: изготовления, ориентации, способ, пластин, 001, полупроводниковых, кремния

Текст:

...с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей...

Номер патента: 15593

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: изготовления, способ, кремния, пластин, ориентации, полупроводниковых, 001

Текст:

...упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им окон, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь...

Номер патента: 15592

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, способ, полупроводниковых, изготовления, пластин, ориентации, 001

Текст:

...центральной части на диоксид кремния) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым уровнем формирования элементов рисунка возникает все новый уровень дислокационной структуры. Одновременное наличие элементов рисунка различного размера и фрактальный характер их...

Номер патента: 15321

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 16/22

Метки: полупроводниковых, пластин, формирования, способ, кремниевых, покрытия, геттерирующего

Текст:

...перед нанесением слоя поликристаллического кремния дополнительно проводят осаждение пленки гидрогенизированного аморфного кремния толщиной 10-100 нм а также тем, что осаждение пленок гидрогенизированного аморфного кремния и слоя поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с...

Номер патента: 15320

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: C23C 14/34, H01L 21/322

Метки: изготовления, кремния, способ, полупроводниковых, пластин

Текст:

...для эпитаксиальной рекристаллизации поликристаллического кремния (поли-). В то же время они не являются барьером для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера, поскольку имеют одинаковую с ними химическую природу - неконтролируемые примеси существуют в кремнии преимущественно в виде силицидов. Выбор из всей совокупности силицидов именно силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются...

Номер патента: 15319

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 8/02

Метки: пластин, способ, изготовления, кремния, полупроводниковых

Текст:

...в течение 30-150 с, далее в плазме аргона в течение 10-60 с, а затем в плазме кислорода в течение времени, необходимого для получения пленки требуемой толщины. Сущность заявляемого технического решения заключается в полном удалении оксида кремния, образовавшегося в результате проведения химобработки и при хранении пластин на воздухе, и последующем окислении чистой поверхности кремния в плазме кислорода. Процессы химической отмывки...

Номер патента: 15476

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: формирования, полупроводниковых, покрытия, кремниевых, функционального, пластин, способ, ориентации, 001

Текст:

...в 3 раза меньше размеров первичных элементов, глубина проникновения генерируемых ими 5 15476 1 2012.02.28 дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность таких вновь образованных окон в нитриде кремния (или островков диоксида кремния, что то же самое) можно рассматривать как...

Номер патента: 15475

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: полупроводниковых, кремниевых, пластин, 001, покрытия, способ, формирования, функционального, ориентации

Текст:

...и 2) с размером сторонына 9 равных частей квадратной формы и замена центральной части на контрастную по отношению к данному элементу приводят к возникновению нового элемента (34 в случае выбора в качестве первичного элемента 2 и, соответственно, 2 в случае выбора 34) с размером стороны, равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение но 5 15475 1 2012.02.28...

Номер патента: 15474

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: функциональное, полупроводниковых, пластин, покрытие, кремниевых, 001, ориентации

Текст:

...равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно...

Номер патента: 15473

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: функциональное, 001, кремниевых, ориентации, полупроводниковых, покрытие, пластин

Текст:

...второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения,...

Номер патента: 15463

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: функциональное, 001, кремниевых, покрытие, ориентации, пластин, полупроводниковых

Текст:

...на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных окон и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым этапом формирования элементов покрытия возникает все новый уровень дислокационной структуры. Фрактальный характер рисунка в слое 34 обеспечивает...

Номер патента: 15470

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: пластин, полупроводниковых, покрытие, функциональное, кремниевых, 001, ориентации

Текст:

...разделение оставшихся восьми частей островков слоя 34 по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и замена центральной части на дополнительный диоксид кремния) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым этапом формирования элементов...

Номер патента: 15464

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: 001, ориентации, способ, изготовления, кремния, пластин, полупроводниковых

Текст:

...образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения...

Номер патента: 15080

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, покрытие, 111, ориентации, пластин, кремниевых, функциональное

Текст:

...формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка покрытия. При первом разделении первичных элементов покрытия на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором...

Номер патента: 15079

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, ориентации, пластин, 111, кремниевых, покрытие, функциональное

Текст:

...совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основа 5 15079 1 2011.12.30 нию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е....

Номер патента: 15075

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: изготовления, ориентации, кремния, полупроводниковых, 111, способ, пластин

Текст:

...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы 5 15075 1 2011.12.30 меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше...

Номер патента: 15192

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, кремния, пластин, изготовления, способ, ориентации, полупроводниковых

Текст:

...первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно,что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит...

Номер патента: 15074

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, ориентации, кремния, полупроводниковых, способ, изготовления, пластин

Текст:

...что то же самое, при соблюдении заявляемой ориентации углов элементов) кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элемента, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...

Номер патента: 15190

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, 111, изготовления, пластин, полупроводниковых, ориентации, способ

Текст:

...находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование 5 15190 1 2011.12.30 второго тетраэдра и октаэдра...

Номер патента: 15078

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, 111, способ, формирования, пластин, покрытия, ориентации, кремниевых, функционального

Текст:

...были контрастными по отношению к первичному. Если первичным элементом является островок, в него вписывают только окна. В эти окна новые элементы рисунка не вписывают. И наоборот, если первичным элементом является окно, в него последовательно вписывают только островки нитрида кремния, которые на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное...

Номер патента: U 7204

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Коротеев Артур Олегович, Киршина Наталья Васильевна, Цумарев Юрий Алексеевич

МПК: B23K 33/00

Метки: соединение, пластин, сварное

Текст:

...полезной модели, скосы у соединяемых деталей в области перекрытия выполнены так, что плоскость соприкосновения упомянутых соединяемых деталей наклонена по отношению к наружным поверхностям пластин. Благодаря тому, что у соединяемых деталей в области перекрытия выполнены скосы таким образом, чтобы плоскость соприкосновения упомянутых соединяемых деталей была наклонена по отношению к наружным поверхностям пластин, в сварном соединении...

Номер патента: U 7034

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Малышев Виктор Степанович, Комаров Фадей Фадеевич, Пилько Владимир Владимирович

МПК: B32B 37/10

Метки: устройство, пластин, сжатия

Текст:

...пластин,отличающихся от идеальной плоскости на величину, равную пределу упругой деформации материала пластины, возрастает площадь соприкосновения соединяемых поверхностей, исключается наличие в зазоре между пластинами замкнутых прослоек газов и жидкостей. Сущность полезной модели поясняется чертежом. Устройство включает рабочую камеру 1 с размещенным в ней подогреваемым столом 2, герметичную крышку 3 с упругой термостойкой...

Номер патента: U 6966

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластин, покрытие, полупроводниковых, кремниевых, геттерирующее

Текст:

...примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых примесей, поскольку характеризуется еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия...

Номер патента: U 6787

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Ковальчук Геннадий Филиппович, Цыбульская Людмила Сергеевна, Гайдук Илья Леонидович, Васильев Валерий Лукич, Гаевская Татьяна Васильевна

МПК: B28D 5/00, H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, диск, разделения, корпусной, пластин, алмазосодержащий

Текст:

...форму корпуса у основания лезвия (фиг. 1). Недостатком такой конструкции режущего диска является то, что в процессе разделения полупроводниковой пластины по ее периферийной части накапливаются осколки малого размера, которые под воздействием сил резания повреждают планарную сторону кристаллов, что приводит к уменьшению выхода годных, к снижению стойкости алмазного режущего диска, вплоть до поломки лезвия. Задачей, на решение которой...

Номер патента: U 6869

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Цумарев Юрий Алексеевич, Шмурадко Валерий Трофимович, Коротеев Артур Олегович

МПК: B23K 33/00

Метки: соединение, швами, прорезными, сварное, пластин

Текст:

...по отношению к наружным поверхностям пластин. Благодаря тому что у соединяемых деталей в области перекрытия выполнены скосы таким образом, чтобы плоскость соприкосновения упомянутых соединяемых деталей была наклонена по отношению к наружным поверхностям пластин, в сварном соединении уменьшается величина эксцентриситета рабочей нагрузки. Соответствующим образом уменьшается и величина изгибающего момента, что улучшает условия работы...

Номер патента: U 6682

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: функциональное, кремниевых, ориентации, покрытие, 001, пластин, полупроводниковых

Текст:

...рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых...

Номер патента: U 6681

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, пластин, покрытие, ориентации, функциональное, кремниевых, 001

Текст:

...плоскостей скольжения, генерируемых вновь образован 5 66812010.10.30 ным элементом (окном), также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных окон приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами...

Номер патента: U 6680

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевых, покрытие, пластин, ориентации, 001, полупроводниковых, функциональное

Текст:

...сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры вновь образованных элементов в 3 раза меньше размеров первичных элементов, глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольже 5 66802010.10.30 ния, генерируемых вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность таких...

Номер патента: U 6679

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевых, 001, пластин, ориентации, полупроводниковых, покрытие, функциональное

Текст:

...элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генериру 5 66792010.10.30 емых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения,...

Номер патента: U 6452

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Алексеев Павел Владимирович, Губич Леонид Иосифович

МПК: B08B 3/00

Метки: очистки, установка, пластин, преимущественно, полупроводниковых, изделий, поверхности

Текст:

...планшайба для размещения очищаемой пластины установлена с возможностью вращения в горизонтальной плоскости на валу электродвигателя сопло подачи жидкости и/или газа установлено с возможностью углового перемещения относительно поверхности очищаемой пластины, снабжено нагревательным элементом. На фигуре представлен вид сбоку установки для очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, в разрезе. Установка для очистки...

Номер патента: U 6412

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Лученок Алексей Романович, Коротеев Артур Олегович, Цумарев Юрий Алексеевич

МПК: B23K 33/00

Метки: сварное, пластин, нахлесточное, соединение

Текст:

...при этом углы скосов каждой из деталей выполнены одинаковыми. Благодаря тому что соприкасающиеся плоскости соединяемых деталей выполнены скошенными по всей их толщине, а углы скосов каждой из деталей выполнены одинаковыми, в сварном соединении уменьшается величина эксцентриситета рабочей нагрузки. Соответствующим образом уменьшается и величина изгибающего момента, что улучшает условия работы соединения под нагрузкой и повышает его...