Патенты с меткой «омического»

Номер патента: 15439

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Труханов Алексей Валентинович, Стогний Александр Иванович, Пашкевич Михаил Викторович

МПК: B82B 3/00, H01L 33/00, H01L 21/02...

Метки: галлия, омического, слою, прозрачного, p-gan, нитрида, эпитаксиальному, изготовления, способ, контакта

Текст:

..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...

Номер патента: 13808

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович, Колос Светлана Валентиновна

МПК: H01L 23/48, C22C 19/05

Метки: материал, кремнию, омического, контакта, тонкопленочного

Текст:

...ванадий 0,5-1,2 алюминий 0,5-1,5 никель остальное. Сущность заявляемого технического решения заключается в обеспечении химического взаимодействия между формируемой пленкой и полупроводниковой подложкой. Полупроводниковая пластина при хранении на воздухе тут же окисляется с образованием оксида кремния толщиной около 2 нм. Эта тонкая пленка химически достаточно инертна и препятствует взаимодействию никеля и кремния для образования...

Номер патента: 13804

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00

Метки: омического, способ, прозрачного, контакта, эпитаксиальному, изготовления, p-gan, слою

Текст:

...контактной структуры к - достигается по сравнению с прототипом тем, что при нанесении и последующем удалении дополнительных слоев оксида алюминия происходит преимущественное заполнение пустот (проколов), образовавшихся при росте пленки, диэлектрическим материалом, близкого по свойствам к соединениям нитридов третьей группы элементов, без его постороннего присутствия на плоских (бездефектных) участках поверхности, т.е. осуществляется...

Номер патента: 13504

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Данильчик Александр Викторович, Стогний Александр Иванович, Яблонский Геннадий Петрович, Новицкий Николай Николаевич, Луценко Евгений Викторович, Павловский Вячеслав Николаевич, Шуленков Алексей Серафимович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/02

Метки: p-gan, омического, эпитаксиальному, контакта, способ, слою, прозрачного, изготовления

Текст:

...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...

Номер патента: 8569

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Яблонский Геннадий Петрович, Шинеллер Бернд, Стогний Александр Иванович, Шуленков Алексей Серафимович, Луценко Евгений Викторович, Хойкен Михаель

МПК: H01L 33/00, H01L 21/283, H01L 21/28...

Метки: p-gan, омического, слою, способ, изготовления, эпитаксиальному, прозрачного, контакта

Текст:

...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...