Патенты с меткой «металлизации»

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Подковщиков Николай Николаевич, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: способ, обратной, металлизации, прибора, кристалла, формирования, стороны, полупроводникового

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Номер патента: 17627

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Выговский Станислав Вячеславович, Солодуха Виталий Александрович, Рубцевич Иван Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C04B 41/51

Метки: металлизации, изоляторов, алюмооксидных, керамических, способ

Текст:

...температурой от 40 до 50 С. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При вжигании металлизации при температуре ниже 1640 С и барботировании азота с водородом при температуре воды менее 40 С повышается пористость металлизации на границе с керамикой и образуется пограничный слой неравномерной толщины, что приводит к снижению вакуумной плотности паяных...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: системы, полупроводниковых, металлизации, изготовлении, состав, удаления, фоторезиста, приборов

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Номер патента: 15742

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, способ, изготовления, приборов, полупроводниковых, системы

Текст:

...к неоправданно высокому расходу реактивов на проведение данного процесса. Задачей настоящего изобретения является снижение удельного расхода реактивов за счет повышения срока годности состава. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов, включающем формирование на полупроводниковой пластине полиимидной пленки, формирование фоторезистивной маски, формирование топологического...

Номер патента: 15327

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Игнатов Борис Иванович, Непокойчицкий Анатолий Григорьевич, Францкевич Константин Викторович, Асташенко Сергей Георгиевич

МПК: C04B 37/02

Метки: феррит-гранатов, металлизации, способ, термовакуумной

Текст:

...при одностороннем поверхностном подводе тепла. Напыление титана и молибдена осуществляется из вольфрамового испарителя. Напыление меди производится из молибденового испарителя. Массовое соотношение навесок титана и молибдена принято 25, массовое соотношение меди и молибдена принято 11. Для получения равновесной структуры металлического покрытия проводят диффузионный отжиг при температуре от 575 до 675 К в течение от 8 до 10 минут....

Номер патента: 14381

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Выговский Станислав Вячеславович, Глухманчук Владимир Владимирович, Керенцев Анатолий Федорович, Добриян Татьяна Сергеевна, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C04B 41/80, C04B 41/88

Метки: алюмооксидных, изоляторов, керамических, способ, металлизации

Текст:

...алюмооксидных керамических изоляторов в среде водорода и азота, вжигание металлизации, совмещенное с окончательным обжигом алюмооксидных керамических изоляторов, осуществляют при температуре не ниже 1610 С с периодом толкания 20-45 мин. Сопоставительный анализ предлагаемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов отличается от известного тем, что вжигание металлизации,...

Номер патента: 13466

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 23/52, H01L 21/02

Метки: способ, металлизации, полупроводниковых, приборов, системы, изготовления, кремниевых

Текст:

...структуры после травления алюминия. Недостатком прототипа является то, что барьерный слой формируется не только на поверхности межуровневого диэлектрика, но и непосредственно в контактных окнах. Поскольку он обладает сравнительно высоким электрическим сопротивлением по сравнению с металлом и имеет электронный тип проводимости, это приводит к увеличению переходного сопротивления контактов, особенно к -областям, что снижает качество системы...

Номер патента: 12573

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Асташенко Сергей Георгиевич, Игнатов Борис Иванович, Непокойчицкий Анатолий Григорьевич, Францкевич Константин Викторович

МПК: C04B 41/88, B23K 1/20

Метки: металлизации, ферритовой, детали, способ

Текст:

...покрытий, так как изза периодических срывов стабильности электрического разряда между перемещающимся электродом и оксидом поверхность становится бугристой. Кроме того, под действием разряда происходит плавление меди, а образовавшийся слой после остывания ввиду различия коэффициента термического расширения меди и оксида имеет низкую адгезию к основе. Все вышеперечисленные методы направлены на изыскание путей получения качественных...

Номер патента: 11169

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводникового, изготовления, металлизации, системы, способ, прибора

Текст:

...пределах приводят к постоянному перераспределению механических напряжений в структуре и возникновению все новых разрывов гидрооксидной пленки. При этом с каждым новым циклом прекращается рост бугорков, возникших при проведении предыдущего цикла, и начинается рост новых бугорков. Однако, поскольку длительность каждого цикла довольно мала, бугорки не успевают вырасти большими. Таким образом, кристаллизация пленки и формирование омических...

Номер патента: 11167

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: системы, прибора, полупроводникового, кремниевого, металлизации, способ, изготовления

Текст:

...используют частично имидизированные пленки. Требуемая адгезия достигается химическим взаимодействием ПАК с алюминием с образованием химической связи между ними в соответствии с реакцией Продукт реакции можно классифицировать как соль. Ее образование сопровождается возникновением положительных ионов алюминия на границе раздела металл - ПИ. Наличие таких ионов, даже связанных в химическое соединение, не может способствовать повышению...

Номер патента: 10921

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Портнов Лев Яковлевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: металлизации, системы, способ, полупроводникового, изготовления, прибора

Текст:

...проводят путем трехкратного - пятнадцатикратного воздействия импульсами магнитного поля энергией 0,5-10 кДж каждый. Сущность заявляемого технического решения заключается в селективном высокоэнергетическом воздействии на металлическую пленку при магнитно-импульсной обработке,что приводит к ее быстрой рекристаллизации без возникновения дефектов. Импульсное магнитное поле, взаимодействуя с полупроводниковой структурой, обусловливает...

Номер патента: 10527

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02, H01L 23/52...

Метки: полупроводниковых, металлизации, кремниевых, системы, приборов, способ, изготовления

Текст:

...к снижению ВНО. Происходит разрыв токоведущей дорожки и отказ прибора.Использование сплавов алюминия дает заметный положительный эффект за счет снижения концентрации электрически активных дефектов, однако не является радикальным методом, поскольку не сводит влияние дефектов к нулю. Поэтому системы металлизациис использованием сплавов алюминия также характеризуются наличием значительной электромиграции.Наиболее близким К изобретению, его...

Номер патента: 9585

Опубликовано: 30.08.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: системы, металлизации, способ, изготовления, полупроводниковых, приборов, кремниевых

Текст:

...пленки, в том числе и в составе рассматриваемой системы, зависит от глубины. На границе с барьерным слоем поликристаллического или аморфного кремния металлическая пленка является мелкокристаллической. Это обусловлено как особенностями конденсации пленки на подложке при ее вакуумном напылении,так и последующим их взаимодействием. Более высокая концентрация кремния в металлической пленке со стороны подложки приводит к меньшему размеру...

Номер патента: 9677

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02

Метки: металлизации, обратной, кремниевой, формирования, стороны, способ, пластины

Текст:

...кремний) придает буферному слою дополнительную устойчивость к процессам электромиграции и шипообразования, которые могут происходить во время пайки кристалла, а также в процессе эксплуатации ИСМЭ. Кроме того, нанесение сплавов алюминия в качестве материала буферного слоя позволяет ограничить взаимную диффузию кремния и алюминия повысить стойкость металлизации к воздействию повышенной температуры. Утонение кремниевой пластины со...

Номер патента: 7756

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02, C23C 14/00, H01L 21/28...

Метки: системы, схем, изготовления, металлизации, способ, интегральных

Текст:

...процесс проводят после УФ-облучения фоторезиста в 0,9 растворе гидрооксида калия, применяемом для проявления фоторезиста. При этом по окончании удаления фоторезиста происходит контакт поверхности полиимидной пленки с раствором щелочи и протекает первая стадия гидролиза. Химическая реакция взаимодействия гидрооксида калия и полиимида представлена ниже Наличие на поверхности полиимидной пленки солей полиамидокислоты отрицательно...

Номер патента: U 1588

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Буйкус Кястас Вито

МПК: B05B 7/22

Метки: металлизации, электродуговой, устройство

Текст:

...результат достигается тем, что в устройстве для электродуговой металлизации, содержащем проволочные электроды, направляющие, распылительное сопло,токоподводящие элементы, помещенные в два корпуса и прижатые к соответствующим электродам, направляющие и корпусы подключены к источнику тока, каждый токоподводящий элемент состоит из отдельных щеток, каждая из которых электрически соединена с соответствующим корпусом и выполнена с возможностью...

Номер патента: U 1499

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Буйкус Кястас Вито

МПК: B23K 9/00

Метки: втулок, металлизации, центробежной, станок

Текст:

...разрез А-А. Станок для центробежной металлизации втулок содержит станину 1, приводную бабку 2, обойму 3, электрододержатели 4 с электродами 5, механизм подачи проволоки 6, направляющую проволоки 7, присадочную проволоку 8, суппорт 9, продольную штангу 10,направляющую 11, поперечную штангу 12, подшипник скольжения 13, держатель 14,фиксаторы 15 и 16, систему 17 управления суппортом. Обойма 3 содержит лапы 18, оси 19 и болты 20. Система 17...

Номер патента: U 1448

Опубликовано: 30.06.2004

Автор: Буйкус Кястас Вито

МПК: B05B 7/22

Метки: металлизации, электродуговой, устройство

Текст:

...нагретого потока газа. Поставленная задача решается тем, что в устройстве для электродуговой металлизации, содержащем два расположенных под углом канала для направления плавящихся электродов, между которыми расположено сопло для подачи нагретого газа, камеру, выполненную с выходным распылительным соплом, соосным соплу для подачи нагретого потока газа, а каналы для направления плавящихся электродов и сопло для подачи нагретого потока...

Номер патента: 5967

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Буйкус Кястас Вито, Прядко Александр Сергеевич, Изоитко Владимир Михайлович

МПК: B05B 7/22

Метки: устройство, электродуговой, металлизации

Текст:

...материала шихты- коэффициент конвективной теплоотдачи Тс - температура газа в камере- коэффициент учета нагрева оболочки электрода посредством теплопроводности от внутренних стенок направляющей втулки, нагретой газом камеры- коэффициент учета количества отверстий в направляющей втулке- сила тока- удельное сопротивление материала оболочки- эффективный к.п.д.- коэффициент учета удельного сопротивления материала шихты- отношение...

Номер патента: 5600

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Подденежный Евгений Николаевич, Проневич Игорь Иванович, Мельниченко Игорь Михайлович

МПК: C25D 5/54

Метки: металлизации, подслоя, керамики, получения, гальванической, способ, электропроводного

Текст:

...ниже оптимальной концентрации) слой имел неоднородность по площади и толщине и не был сплошным. Кроме того, при этом существенно возрастало удельное электросопротивление слоя. Полученный электропроводный сплошной слой обладает высокой прочностью, высокой адгезией к подложке и высокой электропроводностью. Последнее обеспечивает возможность нанесения на него меди, никеля или серебра электрохимическим способом, т.е. использование его в качестве...

Номер патента: U 699

Опубликовано: 30.12.2002

Авторы: Изоитко Владимир Михайлович, Буйкус Кястас Вито

МПК: B05B 7/22

Метки: устройство, электродуговой, металлизации

Текст:

...частиц, движущихся по оси распыляющей струи. Устройство содержит камеру 1, внутри которой находится сопло 2, расположенное между направляющими 3 электродов 4. Сопло 2 соединено с камерой сгорания 5, в которую подаются по каналу 6 топливо, а по каналу 7 воздух. Камера 1 выполнена с выходным распылительным соплом 8, соосным соплу 2, в плоскости выходного отверстия которого расположена точка пересечения осей электродов 4. Направляющие 3...

Номер патента: 3345

Опубликовано: 30.06.2000

Авторы: Проневич Игорь Иванович, Мельниченко Игорь Михайлович, Подденежный Евгений Николаевич

МПК: C04B 41/88

Метки: способ, металлизации, получения, электропроводной, плитки, масса

Текст:

...при следующем соотношении компонентов, в мас.порошок алюминия 1095 жидкое натриевое или жидкое калиевое стекло 590. Кроме того, масса дополнительно содержит воду в количестве 80-120 мас.ч. на 100 мас.ч. порошка алюминия. Заявляемый способ и масса связаны единым изобретательским замыслом, при этом масса является веществом, используемым в способе. Сущность изобретения заключается в следующем. При обжиге слоя реагентов, состоящего из порошка...

Номер патента: 2823

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Пилипенко Владимир Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Чигирь Григорий Григорьевич, Пономарь Владимир Николаевич

МПК: H01L 21/324

Метки: схем, приборов, создания, металлизации, интегральных, полупроводниковых, способ

Текст:

...поверхности плнок алюминия после таких термообработок является практически отсутствие бугров и плнки остаются стабильными по структуре при проведении последующих операций фотолитографии высота бугров на плнках алюминия, измеренная на растровом электронном микроскопе после термообработки в предлагаемых режимах, проведения операций плазмохимического травления алюминия и удаление фоторезистора не превышает 0,10-0,15 мкм высота бугров на...

Номер патента: 1135

Опубликовано: 14.06.1996

Авторы: Марченко Игорь Викторович, Самойлов Владимир Васильевич, Баринов Владимир Николаевич, Аршавский Василий Иванович

МПК: C04B 41/88

Метки: пьезокерамических, металлизации, заготовок, способ, элементов

Текст:

...медного электрода, вышеуказанный технический результат достигается тем, что предварительно в едином технологическом цикле с вакуумным напылением проводят активирование поверхНОСТИ КСРЗМИЗШ ПУТЕМ ее ОЧИСТКИ В плазме высокочастотного разряда в среде аргона, а на основной слой медного электрода дополнительно наиыляют защитный слой ншцаля.В данном случае повышение прочности сцепления металла с керамикой, снижение трудоемкости и стоимости процесса...

Номер патента: 1011

Опубликовано: 15.12.1995

Авторы: Федорова Г. М., Елисеева Л. И., Чкалова В. Н., Харламова Л. П., Самойлов В. В.

МПК: H01B 1/02

Метки: металлизации, необожженной, керамики, электропроводящая, способ, получения, конденсаторной, паста

Текст:

...обеспечивается тем, что она дополнительно содержит олеиновую кислоту, бензиловый спирт и дибутилфталат, а токопроводящий компонент образован ингредиентами из ряда Аз, Рт, Рс 1, сплав А - Рс 1,М, Со, при этом компоненты содержатся в следующем соотношении, мас.порошок токопроводшцего компонента 52,0 62,0а в способе получения электропроводящей пасты для металлизации необожженной конденсаторной керамики, при котором порошок...

Номер патента: 1008

Опубликовано: 15.12.1995

Авторы: Чкалова В. Н., Федорова Г. М., Елесеева Л. И., Самойлов В. В., Щукин С. Я.

МПК: H01B 1/02

Метки: паста, получения, металлизации, конденсаторной, керамики, электродная, способ, необожженной

Текст:

...керамическую добавку, стабилизирующую добавку и органическое связующее,включающее этилцедшюлозу, скипидар и олеиновую кислоту, вышеуказанный технический результат достигается тем, что токопроводящий компонент содержит порошок смеси или сплава серебра и палладия, керамическая добавка включает спек титаната стронция или титаната бария или их смесь, стабилизирующая добавка содержит один ингредиент или смесь штгредиентов из ряда оксид...

Номер патента: 829

Опубликовано: 15.08.1995

Авторы: Коломайнен В. В., Широков М. Ф., Макарова Н. Г., Головина К. И., Самойлов В. В., Семочкин В. И., Демчук И. Н.

МПК: H01B 1/02

Метки: конденсаторов, паста, печати, преимущественно, трафаретной, металлизации, методом, керамики, токопроводящая, однослойных, пластин, обожженной

Текст:

...годных надет путмс оптимизации фонетически. печатных н тещ логически свойств пасты при одновременном сщехщ е. стошоотн п повншешп производительности работы. .Сущность изобретения еантпочается в том, что в заявленной токопрц вопящей пасте для металлизации обогащнной трешки. прешуществешо пда тив однослойных конденсаторов методом трафаретной печати, содержащей мс кодпсперсное серебро. стекпофрпттудтэтидщещщгхову н сосновое масло, воща...

Номер патента: 645

Опубликовано: 30.06.1995

Авторы: Ежовский И. К., Александрович Т. Ф.

МПК: H01B 1/02

Метки: висмутсодержащей, необожженной, паста, металлизации, токопроводящая, керамики

Текст:

...необожженных заготовок многослойных конденсаторов и ограничивает достижение более высокого технического результата при формировании контактного узла многослойных конденсаторов.Предлагаемая токопроводящая паста для металлизации контактным методом необожженной висмутсодержащей керамики позволяет устранить вышеуказанные недостатки и обесПВЧИВЗВТ ПОВЫШЕНИЕ ПРОЧНОСТИ СЦЕПЛЕНИЯ наносимого покрытия с керамикой и качества контактного узла путем...

Номер патента: 273

Опубликовано: 30.12.1994

Автор: Головина К. И.

МПК: H01B 1/02

Метки: паста, необожженной, керамики, металлизации, электропроводящая

Текст:

...и платиной. например 48 60 мас. порошка Ро или его сплава или смеси с Рт. смешивают с 40 52 мас. органичеСКОГОЗВЯЗУЮЩВГО. ВВОДЯТ ВРЕМЕННЫЙ рас творитепь (ацетон) в количестве 30 - 50 мас. к количеству загружаемых компонентов пасты и диспергируют в течение 48 - 72 ч до достижения размеров агрегатов не более 5 мкм. После этого из полученной суспензии удаляют (испаряют) временный растворительм обрабатывают суспензию на 3-х вапковой...

Номер патента: 240

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Попов Ю. П., Дударчик А. И., Лабунов В. А., Михайлова Л. Н., Мозалев А. М., Ерема В. В., Сурганов В. Ф., Захарчук А. С.

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, способ, интегральных, изготовления, микросхем

Текст:

...масок из 130 НМ И 160 НМ ПРИ ПОМОЩИ Ф 0 Т 0 ЛИТ 0вспомогательной пленки ВМ и недопус- графин ФОПМИРОБЭЛИ МЗСКУ ИЗ Фоторетимое возрастание непланарности ме ЗИСТЭ На Участках контактных окон и таллизации Нижняя граница диапазона Га 3 хМЧеСК Удаляли ОТКРЫТЫЕ к предотвращает при плотном аноди 10 участки защитной пленки ВН. После ровании сквозное электрохимическое снятия ФОТОРЕЗИСТЭ ПРОБОДИПИ-СКВОЗНОВ прокисление защитной пленки ВМ. При...