Патенты с меткой «магнетронного»
Мозаичная мишень для ионно-плазменного магнетронного нанесения многокомпонентных пленочных покрытий и способ изготовления мишени
Номер патента: 13826
Опубликовано: 30.12.2010
Авторы: Агеев Виталий Александрович, Копылов Андрей Владимирович, Вершина Алексей Константинович
МПК: H01J 23/00, C23C 14/35
Метки: мишени, мишень, изготовления, мозаичная, пленочных, ионно-плазменного, магнетронного, нанесения, многокомпонентных, способ, покрытий
Текст:
...уровнем напряженности магнитного поля. Поставленная задача решается тем, что в мозаичной мишени для ионно-плазменного магнетронного нанесения многокомпонентных пленочных покрытий, содержащей плоскую матрицу, закрепленную на охлаждаемом основании, и размещенные на матрице в зоне эрозии мишени равномерно вдоль проекции силовых линий магнитного поля вставки, выполненные в виде концентрических колец или прямоугольных рамок из напыляемых...
Катод для магнетронного нанесения многокомпонентных покрытий
Номер патента: U 5501
Опубликовано: 30.08.2009
Авторы: Вершина Алексей Константинович, Агеев Виталий Александрович, Копылов Андрей Владимирович
МПК: C23C 14/35, H01J 23/02
Метки: нанесения, покрытий, магнетронного, многокомпонентных, катод
Текст:
...(коэффициентов распыления) со значением напряженности магнитного поля на поверхности катода, что достигается размещением вставок из разнородных материалов в зоне эрозии матрицы в областях с различным уровнем напряженности магнитного поля. Поставленная задача решается за счет того, что в катоде для магнетронного нанесения многокомпонентных покрытий, состоящем из выполненной в виде диска или прямоугольной пластины плоской матрицы,...
Установка для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий методом магнетронного распыления
Номер патента: U 918
Опубликовано: 30.06.2003
Авторы: Завадский Сергей Михайлович, Свадковский Игорь Витальевич, Голосов Дмитрий Анатольевич, Достанко Анатолий Павлович
МПК: C23C 14/34
Метки: покрытий, тонкопленочных, многослойных, магнетронного, установка, распыления, методом, нанесения
Текст:
...система расположена с внутренней стороны фланца, а ионный источник - с внешней стороны фланца. Это позволяет обеспечить нанесение тонкопленочных структур с заданной однородностью свойств по поверхности подложки при ограниченных габаритах фланцев Ионный источник включается перед нанесением очередного слоя и обеспечивает стимуляцию разряда магнетрона, что позволяет добиться одновременного функционирования магнетронной...