Патенты с меткой «легирования»

Номер патента: 17834

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Поко Ольга Александровна, Купченко Владимир Геннадьевич, Майонов Александр Владимирович, Купченко Геннадий Владимирович, Азаркова Екатерина Александровна

МПК: C22C 16/00, C22C 1/03

Метки: лигатура, сплавов, платиновых, легирования

Текст:

...Поставленная задача решается тем, что лигатура для легирования платиновых сплавов, содержащая цирконий, дополнительно содержит растворенный в ней кислород в количестве 25-29 ат. . Сущность заявляемого технического решения заключается в предварительном насыщении сплава кислородом, что позволяет снизить энергию активации процесса окисления,сократить время экспозиции промежуточного продукта в окислительной атмосфере и в итоге сократить...

Номер патента: U 9306

Опубликовано: 30.06.2013

Автор: Ушеренко Юлия Сергеевна

МПК: B23K 20/08

Метки: легирования, динамического, устройство

Текст:

...алюминиевого сплава-12, устанавливается защитная маска из конструкционной стали с толщиной 5-20 мм. Выбор конусного металлического контейнера с поверхностью в форме крупной резьбы,с отношением внешнего диаметра резьбы к внешнему диаметру цилиндра или конуса 1,1-1,35 раза обусловлен как минимальным повреждением обрабатываемой поверхности,так и наибольшей равномерностью распределения вводимых частиц в металлической заготовке. Защитная маска из...

Номер патента: U 8228

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Чигринова Наталья Михайловна, Чигринов Вадим Витальевич, Хохряков Сергей Александрович

МПК: B23H 7/16

Метки: стабилизации, электроискрового, процесса, устройство, интенсификации, легирования

Текст:

...при воздействии на него ультразвукового преобразователя на фиг. 4 - изображение периодичности электроискровых импульсов в процессе паузы. Предлагаемое в данной полезной модели устройство содержит (фиг. 1) ультразвуковой генератор 1 для питания ультразвукового преобразователя 5, формирователь электроискровых разрядов 2, генератор модулирующих импульсов 3, формирующий частотновременные интервалы для акустического и электроискрового...

Номер патента: U 7080

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Овчинников Владимир Ильич, Шмурадко Валерий Трофимович

МПК: B23K 20/00, C23C 14/32

Метки: легирования, устройство, взрывом

Текст:

...хордой окружности, описывающей внутреннюю поверхность регулирующей опоры, причем величина хорды составляет 1/6-1/12 от длины окружности, а элементы опоры скреплены между собой попарно. На фиг. 4 показан контейнер, который имеет в продольном сечении две полости и форму, образуемую при вращении вокруг оси симметрии линии, описываемой уравнением кубической параболы 0,073 - 0,06226,16, ограниченной по высоте плоскостью на 0,3-0,5 от расстояния...

Номер патента: U 5025

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Тихонов Павел Вениаминович, Константинов Валерий Михайлович

МПК: B23H 11/00

Метки: легирования, инструмент-электрод, электроискрового

Текст:

...того, затруднена обработка внутренних поверхностей из-за больших габаритов применяемого оборудования. Задачей полезной модели является повышение производительности электроискрового легирования и расширение области применения за счет возможности обработки внутренних поверхностей. Поставленная задача решается за счет того, что инструмент-электрод содержит вал, на котором неподвижно закреплены две шайбы тарельчатой формы основаниями друг к...

Номер патента: 10929

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Кисель Виктор Эдвардович, Постнова Лариса Ивановна, Щербицкий Виктор Георгиевич, Кулешов Николай Васильевич, Сорокина Ирина Тиграновна, Левченко Владимир Иванович

МПК: C30B 33/00, C30B 31/00, C30B 29/10...

Метки: способ, селенида, цинка, кристаллов, хромом, легирования

Текст:

...исходном нелегированном материале и введенные на стадии диффузии структурные дефекты. При этом вследствие того, что в процессе отжига в парах цинка устраняются не только введенные,но и присутствующие в исходном материале дефекты, в качестве последнего может быть использован недорогойс относительно большими оптическими потерями. Кроме того, разделение в предлагаемом способе стадий диффузионного легирования и отжига позволяет оптимизировать...

Номер патента: 10818

Опубликовано: 30.06.2008

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: структуры, полупроводниковой, дозы, способ, ионного, легирования, определения

Текст:

...см-3 и 1,041019 см-3 3, 10, т.е. все функции 11, 12, 13 описывают реакцию невырожденногона ионное облучение. Резистивный 1 и переходный 4 слои могут быть получены любым традиционным способом - эпитаксия осаждение поликристаллического полупроводника с одновременным или последующим его легированием до уровня не ниже (2-3)10 см-3 ионная имплантация. В последнем случае структура -(-) не имеет резкой границы, которая тогда условно...

Номер патента: 9861

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Кардаполова Маргарита Анатольевна, Девойно Олег Георгиевич, Дьяченко Ольга Владимировна

МПК: B23K 26/18, C23C 24/00

Метки: железа, обмазки, состав, основе, покрытий, лазерного, легирования

Текст:

...ведущей к уменьшению адгезионной прочности и уменьшению износостойкости в условиях сухого трения. Уменьшение содержания борида тантала ниже 10 ведет к увеличению зерна и, следовательно, к ухудшению износостойкости. При увеличении выше 15 борида тантала приводит к выгоранию обмазки и уменьшению адгезионной прочности и величины износа. Уменьшение в обмазке количества диборида молибдена ниже 35 ведет к уменьшению износостойкости получаемого...

Номер патента: 9036

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Сухман Илья Дмитриевич, Капсаров Александр Григорьевич, Чигринова Наталья Михайловна, Чигринов Виталий Евгеньевич

МПК: B23H 7/16

Метки: легирования, электроискрового, инструмент, многоэлектродный

Текст:

...например,ультразвуковой вибратор, связанный с электрододержателем электроды расположены разновысотно относительно обрабатываемой поверхности детали посредством установки плоскости их закрепления под углом к этой поверхности, причем контактная поверхность рабочего торца каждого последующего электрода отстоит от контактной поверхности предыдущего электрода на толщину образованного им слоя, при этом амплитуда А колебаний источника механических...

Номер патента: 8327

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Чивель Юрий Александрович, Чивель Владимир Юрьевич

МПК: B23K 26/00

Метки: устройство, легирования, наплавки, лазерной

Текст:

...Кроме того, при малых диаметрах центрального максимума бесселева пучка трудно обеспечить полное поглощение излучения в струе порошка, и также имеет место снижение КПД процесса. Задачей данного изобретения является создание устройства лазерной наплавки и легирования, которое обеспечивало бы уменьшение длины области фокусировки бесселева пучка и увеличение поглощения лазерного излучения в струе порошка, что обеспечивало бы повышение КПД...

Номер патента: 8326

Опубликовано: 30.08.2006

Автор: Чивель Юрий Александрович

МПК: B23K 26/00

Метки: легирования, устройство, наплавки, лазерного

Текст:

...что обуславливает большую длину области фокусировки бесселева пучка и,как следствие, снижение интенсивности излучения в области порошковой струи и снижение КПД процесса и точности изготовления изделия. Задачей данного изобретения является создание устройства лазерного легирования и наплавки, которое обеспечивало бы уменьшение длины области фокусировки бесселева пучка и обеспечивало бы повышение интенсивности излучения в области струи,...

Номер патента: U 2150

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Алексеенко Александр Анатольевич, Бойко Андрей Андреевич, Россол Александр Иванович, Подденежный Евгений Николаевич

МПК: C03B 8/02

Метки: халькогенидами, легирования, материалов, галогенами, устройство

Текст:

...равномерно проникать через поры заготовки. Вакуумный пост, содержащий непосредственно вакуумный насос, два поглотителя, в один из которых помещен раствор щелочи, и регулирующие краны, предназначен для создания и контроля в камерах давления 10-15 Па, поддержания такого давления в процессе легирования при нагреве и охлаждении камер, нейтрализации токсичных продуктов реакции, предотвращения последствий и возможных нештатных ситуаций (выход из...

Номер патента: 7055

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Эндерс Владимир Владимирович, Онищук Виталий Прохорович, Дюдкин Дмитрий Александрович, Кушнарев Николай Николаевич, Шевченко Александр Данилович, Бать Сергей Юрьевич, Филиппов Вадим Владимирович, Стеблов Анвер Борисович, Кисиленко Владимир Васильевич, Паршиков Анатолий Николаевич

МПК: C21C 7/00

Метки: внепечного, способ, титаном, стали, легирования

Текст:

...в диапазоне 4,010,0 г/т-с.Приведенные выще признаки являются необходимыми и достаточными для всех случаев, на которые распространяется область изобретения.Между существенными признаками и техническим результатом - достижение стабильно высокой степени усвоения титана и стабильного получения его содержания в узких заданных пределах - существует причинно-следственная связь, которая объясняется следующим образом. При вводе титансодержащей...

Номер патента: 6931

Опубликовано: 30.03.2005

Автор: Чивель Юрий Александрович

МПК: B23K 26/00

Метки: способ, наплавки, лазерного, легирования, устройство, осуществления

Текст:

...участок поверхности.Благодаря боковому подводу лазерного излучения к тонкой струе наносимого материала практически исключается как взаимная экранировка частиц, так И поверхности частицами,увеличивается время пребывания материала в зоне нагрева И соответственно КПД процесса Икоэффициент использования материала. Точность нанесения материала определяется диаметром пятна фокусировки на поверхности изделия И характерными размерами наносимого...

Номер патента: U 1494

Опубликовано: 30.09.2004

Авторы: Тихонов Павел Вениаминович, Константинов Валерий Михайлович, Шимин Владимир Николаевич

МПК: B23H 11/00

Метки: инструмент-электрод, электроискрового, легирования

Текст:

...оболочки материал, из которого выполнены элементы конструкции, сердцевины и диффузионной оболочки. Наличие в диффузионной оболочке легирующих элементов позволяет в процессе легирования насыщать ими легируемую поверхность, что приводит к повышению физикомеханических свойств поверхностного слоя. Наличие сердцевины обусловлено особенностями протекания диффузионного легирования. Для каждого последующего прироста глубины легирования...

Номер патента: 5321

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Телеш Евгений Владимирович

МПК: H01L 21/266

Метки: маска, ионного, легирования, галлия, арсенида

Текст:

...сквозь него и внедряются в подложку из арсенида галлия 1. В процессе ионной имплантации к слою 2 подсоединяется заземление, что обеспечивает эффективное снятие положительного заряда и, соответственно, получение резких границ легированных областей. Кроме того, наличие защитного слоя 2 позволяет осуществлять внедрение ионов при температурах до 400-500 С, что будет способствовать формированию профиля залегания примеси, близкому к Гауссову, без...