Патенты с меткой «кристаллов»

Слоистая система с по меньшей мере одним слоем смешанных кристаллов многокомпонентного оксида

Загрузка...

Номер патента: 18017

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: ВОЛЬРАБ, Кристиан, РАММ, Юрген, АНТЕ, Майкл, ВИДРИГ, Бено

МПК: C23C 14/32, C23C 14/08

Метки: слоем, смешанных, меньшей, кристаллов, одним, система, многокомпонентного, оксида, мере, слоистая

Текст:

...Для как можно более простого и воспроизводимого способа выгодно выбирать технологические параметры так, чтобы состав металлов слоя смешанных кристаллов после нормирования на полное содержание металлов в отношении соответствующих долей металла отличался от содержания металлов в мишени не более чем на 10, предпочтительно не более, чем на 5, в частности, не более, чем на 3 . Это удается достичь, например, удержанием указанных в экспериментальных...

Устройство для выращивания кристаллов

Загрузка...

Номер патента: U 9126

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Кашевич Ирина Федоровна, Мозжаров Сергей Евгеньевич, Шут Виктор Николаевич

МПК: C30B 7/04

Метки: кристаллов, устройство, выращивания

Текст:

...по составу кристаллизующимися жидкостями. При этом один отвод крана соединен со входом насоса, а два других - с трубками, помещенными в кристаллизующиеся жидкости. Программное управление обеспечивает работу насоса и механизма поворота крана и воронки по определенному алгоритму. Сопоставительный анализ предлагаемого устройства с прототипом показывает, что оно отличается от прототипа введением воронки, трехходового крана, механизма поворота...

Объемный лазер на свободных электронах на основе фотонных кристаллов с изменяющимся в пространстве периодом

Загрузка...

Номер патента: U 9012

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Пефтиев Владимир Павлович, Гуринович Александра Анатольевна, Барышевский Владимир Григорьевич

МПК: H01J 25/00, H01S 3/10

Метки: электронах, кристаллов, фотонных, периодом, свободных, изменяющимся, объемный, лазер, пространстве, основе

Текст:

...в пространстве периодами, в окрестности точкидостигается условие -кратного вырождения корней дисперсионного уравнения, описывающего связь между волновым числом дифрагирующего в кристалле фотона с частотой фотона в отсутствие электронного пучка, причем в окрестности точкив присутствии электронного пучка зависимость мнимой части решения дисперсионного уравнения от плотности электронного пучка определяется выражением (3) 13(3)(,),где( ) ( ,) -...

Способ термической обработки шихты для выращивания кристаллов селенида цинка

Загрузка...

Номер патента: 16033

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Постнова Лариса Ивановна, Барсукова Екатерина Леонидовна, Якимович Владимир Никифорович, Левченко Владимир Иванович

МПК: C30B 29/48, C30B 23/00

Метки: селенида, обработки, выращивания, способ, термической, цинка, кристаллов, шихты

Текст:

...температуры и отпаивают. Недостатком прототипа является необходимость использования взрывоопасного оборудования и дорогостоящих средств безопасности, что приводит к высокой себестоимости выпускаемой продукции. Задачей настоящего изобретения является разработка простого, исключающего использование взрывоопасного водорода и сложного технологического оборудования способа повышения эффективности термической обработки исходной шихты. Поставленная...

1,4-Бис[1-(4-гидрокси-3-карбокси)фенилазо]бензол и его металлсодержащие производные в качестве пленочного материала для фотоориентации жидких кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 15591

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Малашко Павел Митрофанович, Арико Надежда Григорьевна, Агабеков Владимир Енокович, Муравский Александр Анатольевич, Толстик Алексей Леонидович

МПК: G02F 1/1337, C09K 19/56, C09B 31/062...

Метки: кристаллов, качестве, пленочного, производные, 1,4-бис[1-(4-гидрокси-3-карбокси)фенилазо]бензол, металлсодержащие, материала, жидких, фотоориентации

Текст:

...света,- длина волны. Следовательно, при поглощении фотона реализуется возможность локальной фотодиссоциации связей одной молекулы, что приводит к высвобождению молекулы в ближнем порядке, до момента спонтанного образования новой 3 15591 1 2012.04.30 межмолекулярной связи, и активации вращательной диффузии молекулы в среднем поле фиксированного окружения, приводящей к статистическому формированию ориентирующей анизотропии. При этом...

Установка для изучения электрооптических свойств нематических жидких кристаллов

Загрузка...

Номер патента: U 7217

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Ворсин Николай Николаевич, Косарев Валерий Михайлович

МПК: G02F 1/00

Метки: электрооптических, нематических, свойств, жидких, кристаллов, изучения, установка

Текст:

...полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи светового потока. К тому же поляроидные пленки, используемые в ЖКЯ, не обладают поляризующими свойствами в ближней ИК-области спектра 3. Поэтому в случае использования в качестве источника света лампочки накаливания в световой пучок приходилось вводить тепловой светофильтр, который не пропускает излучение в ближней ИК-области. На противолежащей источнику света стороне жидкокристаллической...

Устройство для выращивания кристаллов

Загрузка...

Номер патента: U 6573

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Кашевич Ирина Федоровна, Мозжаров Сергей Евгеньевич, Шут Виктор Николаевич

МПК: C30B 7/00, C30B 35/00

Метки: устройство, кристаллов, выращивания

Текст:

...механизм погружения кристаллодержателя с прикрепленным к нему кристаллом в раствор и перемещения кристаллодержателя по кругу в горизонтальной плоскости, а сосуд с кристаллизующейся жидкостью выполнен в виде емкости, разделенной перегородками на четыре отдельных секции, попарно заполненные различной по составу кристаллизующейся жидкостью. Программное управление обеспечивает движение кристаллодержателя по определенному алгоритму. Сущность...

Установка для обработки кристаллов алмаза

Загрузка...

Номер патента: 13372

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Киселев Михаил Григорьевич, Колесников Василий Сергеевич, Корзун Павел Олегович, Дроздов Алексей Владимирович

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, кристаллов, обработки, установка

Текст:

...элемента с переменной жесткостью, а также за счет варьирования массами составных частей стрелы можно дополнительно расширить диапазон подаваемых в зону обработки колебаний. Такое более гибкое регулирование позволяет уменьшить вероятность сколов на заключительном этапе распиловки. Кроме того, такая конструкция позволяет реализовать резонансный режим работы системы стрела-заготовка-распиловочный диск, который характеризуется увеличенной...

Устройство для выращивания кристаллов

Загрузка...

Номер патента: U 5048

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Мозжаров Сергей Евгеньевич, Шут Виктор Николаевич

МПК: C30B 35/00, C30B 7/00

Метки: выращивания, устройство, кристаллов

Текст:

...направлена полезная модель, является создание устройства для выращивания кристаллов, обеспечивающего возможность выращивания из раствора кристаллов с закономерно неоднородным составом. Причем закон распределения примеси может быть определен заранее и изменен (при необходимости) во время роста кристалла, что предопределяет расширение технических возможностей устройства. Поставленная техническая задача решается тем, что при использовании...

Полиимидная композиция для защиты кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11322

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Жарская Тамара Александровна, Глоба Анастасия Ивановна, Крутько Эльвира Тихоновна, Глоба Иван Иванович, Галиева Жаннета Николаевна

МПК: C08L 79/00

Метки: кристаллов, полиимидная, композиция, схем, полупроводниковых, интегральных, защиты, приборов

Текст:

...влияние на теплофизические характеристики покрытия, благодаря чему достигается меньшая разница между коэффициентами термического расширения материалов, из которых изготовлены функциональные элементы кристалла, и защитного покрытия, обеспечивая меньшую вероятность повреждения микроэлементов структуры по причине несогласованности этих характеристик. Экспериментально установлено, что эффект снижения усадки защитного покрытия и повышения выхода...

Способ легирования хромом кристаллов селенида цинка

Загрузка...

Номер патента: 10929

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Щербицкий Виктор Георгиевич, Постнова Лариса Ивановна, Кисель Виктор Эдвардович, Кулешов Николай Васильевич, Левченко Владимир Иванович, Сорокина Ирина Тиграновна

МПК: C30B 29/10, C30B 31/00, C30B 33/00...

Метки: селенида, кристаллов, способ, цинка, хромом, легирования

Текст:

...исходном нелегированном материале и введенные на стадии диффузии структурные дефекты. При этом вследствие того, что в процессе отжига в парах цинка устраняются не только введенные,но и присутствующие в исходном материале дефекты, в качестве последнего может быть использован недорогойс относительно большими оптическими потерями. Кроме того, разделение в предлагаемом способе стадий диффузионного легирования и отжига позволяет оптимизировать...

Способ получения гранул, имеющих структуру коллоидных кристаллов, из микро- или нанопорошка

Загрузка...

Номер патента: 10559

Опубликовано: 30.04.2008

Автор: Новиков Владимир Прокофьевич

МПК: B82B 3/00, B01J 2/00

Метки: способ, структуру, нанопорошка, имеющих, гранул, или, коллоидных, микро, кристаллов, получения

Текст:

...Таким образом, высохший осадок содержит две визуально различимые фракции - кристаллы неорганической компоненты и пористые агрегаты, состоящие из коллоидных частиц. Такое распределение компонентов в гетерогенной системе, как правило, соответствует минимуму свободной энергии, связанное с уменьшением поверхностной энергии раздела фаз и энергией упругих напряжений между твердыми компонентами. Нами обнаружено, что в тех случаях, когда...

Установка для обработки кристаллов алмаза

Загрузка...

Номер патента: 8617

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Дроздов Алексей Владимирович, Киселев Михаил Григорьевич

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов, алмаза, обработки, установка

Текст:

...шайба для возбуждения вибрационных колебаний. Кроме того, электродвигатель постоянного тока снабжен механизмом изменения его положения относительно стрелы. Такая конструкция позволяет ввести колебания в зону распиливания, что способствует повышению производительности и качества поверхностей распиливаемого кристалла. Положительное влияние вибрационных колебаний заключается в том, что периодически изменяющиеся частотные возмущения...

Установка для обработки кристаллов алмаза

Загрузка...

Номер патента: 8393

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Зайцев Валентин Алексеевич, Дроздов Алексей Владимирович, Киселев Михаил Григорьевич, Старовойтов Александр Семенович

МПК: B28D 5/00

Метки: установка, кристаллов, алмаза, обработки

Текст:

...и качества поверхностей распиливаемого кристалла. Положительное влияние вибрационных колебаний заключается в том, что периодически изменяющиеся частотные возмущения вызывают перемещение стрелы, а вместе с ней и распиливаемого кристалла в радиальном направлении распиловочного диска, а это, в свою очередь, способствует более интенсивному съему обрабатываемого материала за счет активизации алмазных зерен, закрепленных в распиловочном диске....

Способ выращивания кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 8269

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Зубец Александр Владимирович, Климкович Людмила Леонидовна

МПК: C30B 7/14

Метки: способ, кристаллов, выращивания

Текст:

...используют подбираемую эмпирически для каждого процесса пористую перегородку между сообщающимися сосудами из специального материала, которую встраивают в сосуд. Она же является основанием для роста кристаллов. Перегородка разделяет поток подаваемого реагента на большое количество автономных, градиентных, несмешивающихся потоков,приводящих к зарождению и росту множества кристаллов. Это способствует зарастанию перегородки и приводит к...

Способ сортировки ферромагнитных кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 7293

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Ломако Инна Дмитриевна, Адашкевич Сергей Владимирович, Стельмах Вячеслав Фомич, Троянчук Игорь Олегович

МПК: G01N 27/72, G01N 22/02, G01N 27/78...

Метки: ферромагнитных, кристаллов, способ, сортировки

Текст:

...и ориентационно-неоднородные структуры с существенно различными магнитными и оптическими свойствами. Предлагаемый способ основан на том, что условия возбуждения и параметры спиновых волн, характерные для одной выделенной ориентации ферромагнитного кристалла,содержат только количественные критерии сортировки и дают информацию лишь об одной группе сорта, характеризующей общую дефектность кристалла для данной ориентации. Для 2 7293 1...

Устройство для обработки кристаллов алмаза

Загрузка...

Номер патента: 1447

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Киселев Михаил Григорьевич, Галенюк Галина Анатольевна, Минченя Владимир Тимофеевич

МПК: B28D 5/00, B28D 5/04

Метки: устройство, кристаллов, алмаза, обработки

Текст:

...кристалла, ультразвуковой преобразователь,винт, установленный на опоре и связанной со стрелой, шарнирно закрепленной на стойке,ультразвуковой преобразователь расположенный соосно с винтом, при этом винт снабжен механизмом противодействия самоотвинчива нию, а оправки для крепления кристалла смонтированы в стреле. Опора выполнена из неметаллического упругого материала с акустическими свойствами, близкими к свойствам волновода ультразвукового...