Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 18017

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: ВИДРИГ, Бено, ВОЛЬРАБ, Кристиан, РАММ, Юрген, АНТЕ, Майкл

МПК: C23C 14/32, C23C 14/08

Метки: система, меньшей, слоистая, одним, мере, смешанных, многокомпонентного, оксида, слоем, кристаллов

Текст:

...Для как можно более простого и воспроизводимого способа выгодно выбирать технологические параметры так, чтобы состав металлов слоя смешанных кристаллов после нормирования на полное содержание металлов в отношении соответствующих долей металла отличался от содержания металлов в мишени не более чем на 10, предпочтительно не более, чем на 5, в частности, не более, чем на 3 . Это удается достичь, например, удержанием указанных в экспериментальных...

Номер патента: U 9126

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Шут Виктор Николаевич, Мозжаров Сергей Евгеньевич, Кашевич Ирина Федоровна

МПК: C30B 7/04

Метки: выращивания, устройство, кристаллов

Текст:

...по составу кристаллизующимися жидкостями. При этом один отвод крана соединен со входом насоса, а два других - с трубками, помещенными в кристаллизующиеся жидкости. Программное управление обеспечивает работу насоса и механизма поворота крана и воронки по определенному алгоритму. Сопоставительный анализ предлагаемого устройства с прототипом показывает, что оно отличается от прототипа введением воронки, трехходового крана, механизма поворота...

Номер патента: U 9012

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Барышевский Владимир Григорьевич, Пефтиев Владимир Павлович, Гуринович Александра Анатольевна

МПК: H01J 25/00, H01S 3/10

Метки: лазер, кристаллов, свободных, электронах, объемный, пространстве, фотонных, основе, изменяющимся, периодом

Текст:

...в пространстве периодами, в окрестности точкидостигается условие -кратного вырождения корней дисперсионного уравнения, описывающего связь между волновым числом дифрагирующего в кристалле фотона с частотой фотона в отсутствие электронного пучка, причем в окрестности точкив присутствии электронного пучка зависимость мнимой части решения дисперсионного уравнения от плотности электронного пучка определяется выражением (3) 13(3)(,),где( ) ( ,) -...

Номер патента: 16033

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Барсукова Екатерина Леонидовна, Постнова Лариса Ивановна, Левченко Владимир Иванович, Якимович Владимир Никифорович

МПК: C30B 29/48, C30B 23/00

Метки: шихты, выращивания, термической, цинка, способ, обработки, кристаллов, селенида

Текст:

...температуры и отпаивают. Недостатком прототипа является необходимость использования взрывоопасного оборудования и дорогостоящих средств безопасности, что приводит к высокой себестоимости выпускаемой продукции. Задачей настоящего изобретения является разработка простого, исключающего использование взрывоопасного водорода и сложного технологического оборудования способа повышения эффективности термической обработки исходной шихты. Поставленная...

Номер патента: 15591

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Малашко Павел Митрофанович, Арико Надежда Григорьевна, Муравский Александр Анатольевич, Толстик Алексей Леонидович, Агабеков Владимир Енокович

МПК: C09K 19/56, G02F 1/1337, C09B 31/062...

Метки: 1,4-бис[1-(4-гидрокси-3-карбокси)фенилазо]бензол, кристаллов, качестве, жидких, фотоориентации, пленочного, металлсодержащие, материала, производные

Текст:

...света,- длина волны. Следовательно, при поглощении фотона реализуется возможность локальной фотодиссоциации связей одной молекулы, что приводит к высвобождению молекулы в ближнем порядке, до момента спонтанного образования новой 3 15591 1 2012.04.30 межмолекулярной связи, и активации вращательной диффузии молекулы в среднем поле фиксированного окружения, приводящей к статистическому формированию ориентирующей анизотропии. При этом...

Номер патента: U 7217

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Косарев Валерий Михайлович, Ворсин Николай Николаевич

МПК: G02F 1/00

Метки: свойств, изучения, жидких, установка, кристаллов, электрооптических, нематических

Текст:

...полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи светового потока. К тому же поляроидные пленки, используемые в ЖКЯ, не обладают поляризующими свойствами в ближней ИК-области спектра 3. Поэтому в случае использования в качестве источника света лампочки накаливания в световой пучок приходилось вводить тепловой светофильтр, который не пропускает излучение в ближней ИК-области. На противолежащей источнику света стороне жидкокристаллической...

Номер патента: U 6573

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Кашевич Ирина Федоровна, Мозжаров Сергей Евгеньевич, Шут Виктор Николаевич

МПК: C30B 7/00, C30B 35/00

Метки: выращивания, устройство, кристаллов

Текст:

...механизм погружения кристаллодержателя с прикрепленным к нему кристаллом в раствор и перемещения кристаллодержателя по кругу в горизонтальной плоскости, а сосуд с кристаллизующейся жидкостью выполнен в виде емкости, разделенной перегородками на четыре отдельных секции, попарно заполненные различной по составу кристаллизующейся жидкостью. Программное управление обеспечивает движение кристаллодержателя по определенному алгоритму. Сущность...

Номер патента: 13372

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Колесников Василий Сергеевич, Корзун Павел Олегович, Киселев Михаил Григорьевич, Дроздов Алексей Владимирович

МПК: B28D 5/00

Метки: установка, кристаллов, обработки, алмаза

Текст:

...элемента с переменной жесткостью, а также за счет варьирования массами составных частей стрелы можно дополнительно расширить диапазон подаваемых в зону обработки колебаний. Такое более гибкое регулирование позволяет уменьшить вероятность сколов на заключительном этапе распиловки. Кроме того, такая конструкция позволяет реализовать резонансный режим работы системы стрела-заготовка-распиловочный диск, который характеризуется увеличенной...

Номер патента: U 5048

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Мозжаров Сергей Евгеньевич, Шут Виктор Николаевич

МПК: C30B 7/00, C30B 35/00

Метки: выращивания, кристаллов, устройство

Текст:

...направлена полезная модель, является создание устройства для выращивания кристаллов, обеспечивающего возможность выращивания из раствора кристаллов с закономерно неоднородным составом. Причем закон распределения примеси может быть определен заранее и изменен (при необходимости) во время роста кристалла, что предопределяет расширение технических возможностей устройства. Поставленная техническая задача решается тем, что при использовании...

Номер патента: 11322

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Крутько Эльвира Тихоновна, Жарская Тамара Александровна, Глоба Анастасия Ивановна, Галиева Жаннета Николаевна, Глоба Иван Иванович

МПК: C08L 79/00

Метки: защиты, полиимидная, композиция, полупроводниковых, схем, кристаллов, приборов, интегральных

Текст:

...влияние на теплофизические характеристики покрытия, благодаря чему достигается меньшая разница между коэффициентами термического расширения материалов, из которых изготовлены функциональные элементы кристалла, и защитного покрытия, обеспечивая меньшую вероятность повреждения микроэлементов структуры по причине несогласованности этих характеристик. Экспериментально установлено, что эффект снижения усадки защитного покрытия и повышения выхода...

Номер патента: 10929

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Кисель Виктор Эдвардович, Постнова Лариса Ивановна, Левченко Владимир Иванович, Сорокина Ирина Тиграновна, Щербицкий Виктор Георгиевич, Кулешов Николай Васильевич

МПК: C30B 29/10, C30B 31/00, C30B 33/00...

Метки: способ, кристаллов, селенида, цинка, хромом, легирования

Текст:

...исходном нелегированном материале и введенные на стадии диффузии структурные дефекты. При этом вследствие того, что в процессе отжига в парах цинка устраняются не только введенные,но и присутствующие в исходном материале дефекты, в качестве последнего может быть использован недорогойс относительно большими оптическими потерями. Кроме того, разделение в предлагаемом способе стадий диффузионного легирования и отжига позволяет оптимизировать...

Номер патента: 10559

Опубликовано: 30.04.2008

Автор: Новиков Владимир Прокофьевич

МПК: B01J 2/00, B82B 3/00

Метки: гранул, коллоидных, микро, структуру, кристаллов, способ, нанопорошка, или, имеющих, получения

Текст:

...Таким образом, высохший осадок содержит две визуально различимые фракции - кристаллы неорганической компоненты и пористые агрегаты, состоящие из коллоидных частиц. Такое распределение компонентов в гетерогенной системе, как правило, соответствует минимуму свободной энергии, связанное с уменьшением поверхностной энергии раздела фаз и энергией упругих напряжений между твердыми компонентами. Нами обнаружено, что в тех случаях, когда...

Номер патента: 8617

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Дроздов Алексей Владимирович, Киселев Михаил Григорьевич

МПК: B28D 5/00

Метки: установка, кристаллов, обработки, алмаза

Текст:

...шайба для возбуждения вибрационных колебаний. Кроме того, электродвигатель постоянного тока снабжен механизмом изменения его положения относительно стрелы. Такая конструкция позволяет ввести колебания в зону распиливания, что способствует повышению производительности и качества поверхностей распиливаемого кристалла. Положительное влияние вибрационных колебаний заключается в том, что периодически изменяющиеся частотные возмущения...

Номер патента: 8393

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Дроздов Алексей Владимирович, Старовойтов Александр Семенович, Киселев Михаил Григорьевич, Зайцев Валентин Алексеевич

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, обработки, установка, кристаллов

Текст:

...и качества поверхностей распиливаемого кристалла. Положительное влияние вибрационных колебаний заключается в том, что периодически изменяющиеся частотные возмущения вызывают перемещение стрелы, а вместе с ней и распиливаемого кристалла в радиальном направлении распиловочного диска, а это, в свою очередь, способствует более интенсивному съему обрабатываемого материала за счет активизации алмазных зерен, закрепленных в распиловочном диске....

Номер патента: 8269

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Климкович Людмила Леонидовна, Зубец Александр Владимирович

МПК: C30B 7/14

Метки: выращивания, способ, кристаллов

Текст:

...используют подбираемую эмпирически для каждого процесса пористую перегородку между сообщающимися сосудами из специального материала, которую встраивают в сосуд. Она же является основанием для роста кристаллов. Перегородка разделяет поток подаваемого реагента на большое количество автономных, градиентных, несмешивающихся потоков,приводящих к зарождению и росту множества кристаллов. Это способствует зарастанию перегородки и приводит к...

Номер патента: 7293

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Стельмах Вячеслав Фомич, Адашкевич Сергей Владимирович, Троянчук Игорь Олегович, Ломако Инна Дмитриевна

МПК: G01N 27/78, G01N 22/02, G01N 27/72...

Метки: сортировки, кристаллов, способ, ферромагнитных

Текст:

...и ориентационно-неоднородные структуры с существенно различными магнитными и оптическими свойствами. Предлагаемый способ основан на том, что условия возбуждения и параметры спиновых волн, характерные для одной выделенной ориентации ферромагнитного кристалла,содержат только количественные критерии сортировки и дают информацию лишь об одной группе сорта, характеризующей общую дефектность кристалла для данной ориентации. Для 2 7293 1...

Номер патента: 1447

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Минченя Владимир Тимофеевич, Киселев Михаил Григорьевич, Галенюк Галина Анатольевна

МПК: B28D 5/00, B28D 5/04

Метки: обработки, кристаллов, алмаза, устройство

Текст:

...кристалла, ультразвуковой преобразователь,винт, установленный на опоре и связанной со стрелой, шарнирно закрепленной на стойке,ультразвуковой преобразователь расположенный соосно с винтом, при этом винт снабжен механизмом противодействия самоотвинчива нию, а оправки для крепления кристалла смонтированы в стреле. Опора выполнена из неметаллического упругого материала с акустическими свойствами, близкими к свойствам волновода ультразвукового...