Патенты с меткой «кристаллодержателю»

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: способ, полупроводникового, кремниевого, кристаллодержателю, присоединения, кристалла, прибора

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Номер патента: 12022

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: присоединения, полупроводникового, кремниевого, способ, прибора, кристаллодержателю, кристалла

Текст:

...кремниевого кристалла к кристаллодержателю ПП, повышает выход годных ИСМЭ, а также упрощает технологию изготовления кристалла полупроводникового прибора, так как не требуется наносить многослойную припоеобразующую композицию на обратную сторону кристалла. Выбор отношения массы дозы припоя к произведению площади кристалла и плотности припоя из диапазона (1,0-1,96), где- необходимая толщина паяного соединения,объясняется следующим образом....

Номер патента: 8885

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Зубович Анатолий Николаевич, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Тарасиков Михаил Васильевич

МПК: H01L 21/60, H01L 21/58

Метки: кристаллодержателю, присоединения, кристалла, кремниевого, полупроводникового, прибора, способ

Текст:

...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...

Номер патента: 8759

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Портнов Лев Яковлевич, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/60, H01L 21/58

Метки: полупроводникового, прибора, кристалла, способ, присоединения, кристаллодержателю, кремниевого

Текст:

...требований технологического процесса сборки. С другой стороны, для получения качественного присоединения кристалла к кристаллодержателю полупроводникового при ВУ 8759 С 12006.12.30бора И достижения высокого выхода годных приборов необходимо обеспечить полное и равномерное растекание припоя по паяемой поверхности кремниевого кристалла и кристаллодержателя во время присоединения, а также согласовать их термические коэффициенть 1 линейного...