Патенты с меткой «кремния»

Номер патента: 18444

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Цивако Алексей Александрович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: B08B 3/02, H01L 21/02

Метки: плазмохимического, поликристаллического, фоторезиста, после, удаления, кремния, способ, травления

Текст:

...обработкой в течение 3-7 мин выполняют аэрозольную обработку в смеси, содержащей аммиак, перекись водорода и нагретую от 80 до 90 С деионизованную воду при следующих расходах компонентов, л/мин аммиак 0,125-0,250 перекись водорода 0,2-0,3 вода деионизованная 1,3-2,0. Использования идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. 18444 1 2014.08.30 При обработке пластин в...

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/311

Метки: поликристаллического, кремния, изготовлении, реставрации, интегральных, способ, микросхем, пленкой, пластин

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Номер патента: 18320

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Алисиенок Ольга Александровна, Юхно Елена Казимировна, Жарский Иван Михайлович, Мурашкевич Анна Николаевна

МПК: B82Y 40/00, C04B 38/06, B01J 21/06...

Метки: кремния, композита, основе, нанооксидов, получения, способ, титана

Текст:

...1(0,25 - 1) прокалка промежуточного продукта при температурах 550-600 С, обеспечивающая полное удаление структурообразователя при сохранении развитой удельной поверхности продукта и частичную кристаллизацию титансодержащего компонента, который чаще всего является носителем активных каталитических центров и при использовании такого композита в качестве фотокатализатора должен быть кристаллическим. Сущность предлагаемого изобретения...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Трусов Виктор Леонидович, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Пшеничный Евгений Николаевич

МПК: C23C 16/30, H01L 21/205, C23C 16/56...

Метки: легированных, фосфором, пленок, способ, осаждения, кремния

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Номер патента: 18057

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: быстродействующих, кремния, изготовления, тиристоров, способ, основе

Текст:

...структуры при этом защищают экраном,непроницаемым для электронов. Новым, по мнению автора, является то, что подвергают локальному облучению электронами область структуры под катодным электродом через отверстия в экране диаметром от 0,7 до 1,1 мм, которые равномерно распределены по площади экрана и расположены друг от друга на расстоянии от 0,8 до 1,2 мм, причем область поверхностной фаски тиристорной структуры при этом защищена...

Номер патента: 18107

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович, Оджаев Владимир Борисович, Садовский Павел Кириллович, Челядинский Алексей Романович, Васильев Юрий Борисович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/322

Метки: способ, кремния, пластине, слоя, формирования, геттерного

Текст:

...транзистора от тока коллектора. Для формирования геттерного слоя пластины кремния -типа с удельным сопротивлением 10 Омсм имплантировались в нерабочую сторону ионамис энергией 60 кэВ и дозой 21015 см-2. После имплантации проводилась термообработка при температуре 850 С в течение 30 мин для электрической активации внедренной примеси. Измерения показали,что степень электрической активации сурьмы после отжига составила 21(слоевая...

Номер патента: 18135

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88

Метки: монокристаллического, контроля, способ, кремния, пластины, качества, поверхности

Текст:

...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...

Номер патента: U 9408

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Гайшун Владимир Евгеньевич, Косенок Янина Александровна, Беднюк Олег Николаевич, Плющ Борис Васильевич, Овчаров Александр Михайлович

МПК: C03B 8/02

Метки: кремния, диоксида, получения, устройство, геля

Текст:

...основание выполнено из гидрофильного проницаемого материала, а прилегающие к нему стенки выполнены из гидрофобного непроницаемого и нерастворимого в воде материала. Недостатком известного устройства является то, что в данном устройстве процесс гелеобразования происходит самопроизвольно. Получение из золя геля и его сушка требует больших затрат времени. Кроме того, в процессе получения геля происходят значительные усадки от геля к ксерогелю...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: G05D 23/00, H01L 21/02, B08B 3/02...

Метки: очистке, пленки, диоксида, кремния, аэрозольной, полупроводниковых, химической, способ, пластин, травления

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Бондаренко Виталий Парфирович, Клышко Алексей Александрович, Чубенко Евгений Борисович

МПК: C30B 29/10, H01L 21/02, C25D 9/08...

Метки: пленок, соединений, подложках, монокристаллического, способ, групп, бинарных, полупроводниковых, aіvbvі, или, aііbvі, кремния, формирования

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Номер патента: 16473

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/306

Метки: загрязнений, состав, кремния, удаления, поверхности, полимерных

Текст:

...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...

Номер патента: 16483

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Шолох Владимир Федорович, Шалупаев Сергей Викентьевич, Никитюк Юрий Валерьевич, Сердюков Анатолий Николаевич

МПК: C03B 33/09, C03B 33/02, B28D 5/00...

Метки: напряжений, разделения, способ, действием, кристаллического, резкой, кремния, термоупругих

Текст:

...перемещении лазерного пучка и кремния и локальное охлаждение зоны нагрева хладагентом,перед выбором интенсивности нагрева определяют значение модуля Юнга , ГПа, в 2 16483 1 2012.10.30 направлении, перпендикулярном плоскости разделения, интенсивность нагрева выбирают пропорционально модулю Юнга , ГПа, в направлении, перпендикулярном плоскости разделения, причем соотношение скорости относительного перемещения лазерного пучка и кремния , м/с, и...

Номер патента: 16226

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Петлицкий Александр Николаевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/322

Метки: кремния, изготовления, полупроводниковой, пластины, способ

Текст:

...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...

Номер патента: 15599

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, пластин, способ, 001, ориентации, полупроводниковых, изготовления

Текст:

...с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей...

Номер патента: 15593

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, изготовления, 001, полупроводниковых, кремния, способ, ориентации

Текст:

...упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им окон, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь...

Номер патента: 15592

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, изготовления, пластин, кремния, полупроводниковых, способ, 001

Текст:

...центральной части на диоксид кремния) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым уровнем формирования элементов рисунка возникает все новый уровень дислокационной структуры. Одновременное наличие элементов рисунка различного размера и фрактальный характер их...

Номер патента: 15320

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 14/34

Метки: полупроводниковых, пластин, способ, кремния, изготовления

Текст:

...для эпитаксиальной рекристаллизации поликристаллического кремния (поли-). В то же время они не являются барьером для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера, поскольку имеют одинаковую с ними химическую природу - неконтролируемые примеси существуют в кремнии преимущественно в виде силицидов. Выбор из всей совокупности силицидов именно силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются...

Номер патента: 15319

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 8/02

Метки: пластин, кремния, изготовления, полупроводниковых, способ

Текст:

...в течение 30-150 с, далее в плазме аргона в течение 10-60 с, а затем в плазме кислорода в течение времени, необходимого для получения пленки требуемой толщины. Сущность заявляемого технического решения заключается в полном удалении оксида кремния, образовавшегося в результате проведения химобработки и при хранении пластин на воздухе, и последующем окислении чистой поверхности кремния в плазме кислорода. Процессы химической отмывки...

Номер патента: 15464

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластин, 001, изготовления, способ, полупроводниковых, кремния, ориентации

Текст:

...образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения...

Номер патента: 15295

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Телущенко Елена Анатольевна, Максименко Николай Филиппович, Степаненко Валерий Николаевич, Нагула Петр Константинович, Матюта Александр Сергеевич, Липай Владимир Анатольевич, Степаненко Николай Валерьевич

МПК: C01B 33/107

Метки: тетрафторида, устройство, способ, кремния, осуществления, получения, способа

Текст:

...Этот процесс делает очевидными безвозвратные потери энергии на предыдущее разложение 26, уменьшение выхода 4 и загрязнение остатка , который также является востребованным коммерческим продуктом. Весь выделяемый газ 4 поступает в один баллон-конденсатор, что заранее обуславливает получение конечного продукта с загрязняющими включениями. Первые порции тетрафторида кремния, получаемые в процессе термического разложения кремнефторида натрия,...

Номер патента: 15075

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, изготовления, кремния, 111, ориентации, пластин, способ

Текст:

...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы 5 15075 1 2011.12.30 меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше...

Номер патента: 15192

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, кремния, 111, ориентации, способ, полупроводниковых, изготовления

Текст:

...первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно,что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит...

Номер патента: 15074

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, полупроводниковых, изготовления, 111, пластин, способ, кремния

Текст:

...что то же самое, при соблюдении заявляемой ориентации углов элементов) кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элемента, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...

Номер патента: 15190

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, способ, кремния, изготовления, пластин, ориентации, 111

Текст:

...находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование 5 15190 1 2011.12.30 второго тетраэдра и октаэдра...

Номер патента: 14222

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Судник Лариса Владимировна, Урбанович Владимир Степанович, Беляев Андрей Васильевич, Жук Елена Владимировна

МПК: C04B 35/584

Метки: основе, изделий, способ, получения, кремния, керамических, нитрида, прочности, повышенной

Текст:

...мкм (удельная поверхность 6-9 м 2/г), с содержанием азота 36,5-39,5 мас. , -фазы 60-90 и примесей,мас.кислорода 0,3-1,0 свободного кремния 0,01-0,6 железа 0,1-0,2 углерода 0,01-0,4 кальция до 0,2. Полученные порошки формуют известными методами и подвергают термобарической или термической обработке. Из полученных порошков изготавливались образцы изделий из нитридокремниевого материала и исследовались механические характеристики. При содержании...

Номер патента: 14012

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Сморыго Олег Львович, Микуцкий Виталий Анатольевич, Ильющенко Александр Фёдорович

МПК: C23C 18/31

Метки: никелирования, порошкообразных, кремния, или, оксида, химического, алюминия, раствор, карбида

Текст:

...никель хлористый (6-водный) 100-150 г/л натрия гипофосфит 150-250 г/л натрий лимоннокислый 30-50 г/л 3 20-40 мл/л кислота уксусная (1,058 г/см ) аммиак водный раствор (25 ) 200-330 мл/л вода остальное. Сущность изобретения состоит в следующем. Применение раствора химического никелирования с использованием в качестве основной соли хлорида никеля, заменой фторсодержащей соли и органического стабилизатора на комплексообразователи (кислоту...

Номер патента: 13932

Опубликовано: 30.12.2010

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00

Метки: силовых, способ, радиационно-термической, основе, диодов, обработки, кремния

Текст:

...кроме последней, ступени облучения. Сущность изобретения заключается в том, что при ступенчатом наборе дозы электронного облучения с последующей дополнительной термообработкой после каждого шага облучения происходит более эффективное, чем при непрерывном облучении и однократном отжиге, накопление рекомбинационного центра (или центров), контролирующих время жизни ННЗ. Возможной причиной такой особенности ступенчатой РТО является то,что...

Номер патента: 13255

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: ЛОРЦ, Вольфганг, ШЕФЛЕР, Йохен, ПЕРЛЕТ, Габриэль

МПК: A01N 25/04, A01N 59/00

Метки: инсектицидная, гидрофобный, диоксид, дисперсия, кремния, содержащая

Текст:

...затратами вследствие повышенной вязкости однородной водной фазы (с желирующим агентом в качестве добавки). С помощью операций деаэрирования до или во время диспергирования можно удалить, по меньшей мере, большую часть диспергированного воздуха. В принципе, является подходящей любая методика диспергирования, проведение которой возможно до деаэрирования диспергируемого порошка и которая во время диспергирования предотвращает...

Номер патента: 12994

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Гурин Павел Михайлович, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: быстродействующих, изготовления, способ, кремния, основе, тиристоров

Текст:

...пробега электронов в материале экрана, и с расположением отверстий, соответствующим расположению отверстий шаблона для нанесения на кремниевую пластину контактов к управляющему электроду, подвергают воздействию тормозного гаммаизлучения весь объем структуры. Сущность способа состоит в следующем. В случае формирования в четырехслойной приборной структуре зоны повышенной рекомбинации (ЗПР) цилиндрической формы 5,когда ЗПР совпадает с...

Номер патента: 12847

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Фомихина Ирина Викторовна, Ковалевский Виктор Николаевич, Григорьев Сергей Владимирович, Жук Андрей Евгеньевич, Витязь Петр Александрович, Ковалевская Анна Викторовна

МПК: C04B 35/65, C04B 35/565, C04B 35/626...

Метки: кремния, способ, материала, железа, изделия, получения, композиционного, основе, карбида

Текст:

...заготовку и подвергают ее реакционному спеканию в форме из материала с низким коэффициентом линейного термического расширения. Авторами установлено, что изготовление изделий из композиционных материалов,представляющих собой абразивные и железные порошки с покрытием кремнием и углеродом возможно за счет реакционного спекания в покрытии и уплотнение их в процессе температурного расширения частиц железного порошка при нагреве. В предлагаемом...

Номер патента: 12844

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Ковалевский Виктор Николаевич, Сачава Дмитрий Григорьевич, Ковалевская Анна Викторовна, Витязь Пётр Александрович, Фомихина Ирина Викторовна, Григорьев Сергей Владимирович

МПК: C04B 35/65, C04B 35/565, C04B 35/626...

Метки: композиционного, способ, кремния, получения, каркасной, карбида, материала, структурой

Текст:

...решается так, что в способе получения композиционного материала с каркасной структурой карбида кремния, при котором поверхность частиц порошков железа с частицами разного размера активируют в плазме тлеющего разряда, путем магнетронного распыления наносят на них тонкопленочное покрытие из смеси кремния и углерода, на тонкопленочное покрытие наносят слой алюминия толщиной 8-10 нм готовят шихту смешиванием полученных порошков, формуют и...

Номер патента: 12528

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Жук Елена Владимировна, Судник Лариса Владимировна

МПК: C09G 1/00

Метки: или, ферроабразивный, порошок, стекла, кремния, композиционный, полирования, высокотвердых

Текст:

...и микропористость поверхности режущих зерен. При этом снижается температура в зоне резания, коэффициент трения с обрабатываемой поверхностью, что приводит к повышению работоспособности материала. Содержание гидроксида алюминия ниже 30 объемных процентов понижает прочность композиции, снижает интенсивность съема обрабатываемого материала, снижает ферромагнитные свойства, а превышение количества гидроксида алюминия 40 об.приводит к расслоению...

Номер патента: 12117

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Злотников Александр Игоревич, Злотников Игорь Иванович, Мельников Игорь Георгиевич, Чен Марианна Игоревна

МПК: C01B 33/00

Метки: кремния, диоксида, получения, способ

Текст:

...кремния и их агломераты. При этом если при обычной тепловой обработке температурное поле движется от внешних краев материала к центру, то при микроволновом нагреве распределение тепловой энергии в материале оказывается противоположным - максимум температуры находится в середине тела. Это способствует разрыхлению диоксида кремния, уменьшению размера его частиц и увеличению удельной поверхности. Замораживать путем охлаждения влажного продукта...

Номер патента: 12058

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/02, C23C 16/455, B05D 5/12...

Метки: пленки, осаждения, кремния, способ, полуизолирующего, поликристаллического

Текст:

...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 21/02

Метки: пленок, поликристаллического, травления, состав, кремния

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Номер патента: 11712

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Мурашкевич Анна Николаевна, Лавицкая Анна Сергеевна

МПК: B01J 21/00

Метки: основе, способ, получения, кремния, титана, композита, оксидов

Текст:

...кремнийсодержащего компонента раствора натриевого или калиевого жидкого стекла (Ыа 2 О-п 51 О 2 или К 2 О-п 51 О 2), имеющего модуль п 1,6 3,0, или метасиликата натрия Ма 251 О 3-9 Н 2 Оотмывка продукта слабым раствором уксусной кислоты, имеющим температуру 4050 С и рН 3.Использование в качестве кремнийсодержащего компонента растворов щелочных силикатов позволяет уменьшить количество применяемого осадителя, поскольку эту функцию...

Номер патента: 11890

Опубликовано: 30.04.2009

Автор: Урбанович Владимир Степанович

МПК: C04B 35/584, B22F 3/14

Метки: способ, нитрида, керамического, материала, получения, кремния

Текст:

...контейнера вместе с нагревателем. Контейнер помещают в устройство высокого давления и подвергают сжатию до необходимого давления 1,5-2,9 ГПа. Затем исходную заготовку нагревают со скоростью 350-4500 С/мин до температуры спекания 1750-2200 С и выдерживают при ней в течение времени, необходимого для спекания материала. По окончании процесса спекания отключают нагрев, охлаждают образец, снижают давление до атмосферного со скоростью 1-25 ГПа/мин....

Номер патента: 11642

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, отбраковки, основе, стойкости, кремния, приборов, радиационной, способ

Текст:

...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...

Номер патента: 10664

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Пивцаев Виталий Васильевич, Оленченко Александр Васильевич, Терлецкий Сергей Валерьевич, Гуненков Валентин Юрьевич, Боровик Валерий Васильевич

МПК: C21C 7/06

Метки: стали, раскисления, содержанием, низким, низкоуглеродистой, кремния, способ

Текст:

...53 А 2 О 3, не менее чем за 5 минут до передачи плавки на машину непрерывного литья заготовок вводят 0,5-1,5 кг/т силикокальциевой проволоки, а продувку стали инертным газом начинают с момента выпуска стали в ковш, при этом расход инертного газа увеличивают по мере наполнения ковша с 30 до 150 л/мин. Выполнение порядка присадки материалов в ковше в процессе выпуска и внепечной обработки стали следующее. До наполнения 10 (10 тонн) ковша...

Номер патента: 10595

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: неосновных, жизни, заряда, способ, ядернолегированного, кремния, регулирования, полупроводниковых, быстродействующих, изготавливаемых, времени, базе, носителей, мощных, высоковольтных, приборах

Текст:

...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...