Патенты с меткой «кремния»
Способ удаления фоторезиста после плазмохимического травления поликристаллического кремния
Номер патента: 18444
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Цивако Алексей Александрович
МПК: B08B 3/02, H01L 21/02
Метки: способ, травления, кремния, поликристаллического, плазмохимического, после, удаления, фоторезиста
Текст:
...обработкой в течение 3-7 мин выполняют аэрозольную обработку в смеси, содержащей аммиак, перекись водорода и нагретую от 80 до 90 С деионизованную воду при следующих расходах компонентов, л/мин аммиак 0,125-0,250 перекись водорода 0,2-0,3 вода деионизованная 1,3-2,0. Использования идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. 18444 1 2014.08.30 При обработке пластин в...
Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем
Номер патента: 18443
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович
МПК: H01L 21/311
Метки: поликристаллического, пленкой, пластин, интегральных, кремния, способ, реставрации, изготовлении, микросхем
Текст:
...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....
Способ получения композита на основе нанооксидов титана и кремния
Номер патента: 18320
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Алисиенок Ольга Александровна, Юхно Елена Казимировна, Жарский Иван Михайлович, Мурашкевич Анна Николаевна
МПК: B82Y 40/00, B01J 21/06, C04B 38/06...
Метки: способ, основе, кремния, титана, получения, композита, нанооксидов
Текст:
...1(0,25 - 1) прокалка промежуточного продукта при температурах 550-600 С, обеспечивающая полное удаление структурообразователя при сохранении развитой удельной поверхности продукта и частичную кристаллизацию титансодержащего компонента, который чаще всего является носителем активных каталитических центров и при использовании такого композита в качестве фотокатализатора должен быть кристаллическим. Сущность предлагаемого изобретения...
Способ осаждения легированных фосфором пленок кремния
Номер патента: 18138
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Пшеничный Евгений Николаевич, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Трусов Виктор Леонидович, Солодуха Виталий Александрович
МПК: C23C 16/56, H01L 21/205, C23C 16/30...
Метки: кремния, легированных, осаждения, способ, фосфором, пленок
Текст:
...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...
Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния
Номер патента: 18057
Опубликовано: 30.04.2014
Автор: Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/02, H01L 29/66
Метки: изготовления, способ, тиристоров, основе, быстродействующих, кремния
Текст:
...структуры при этом защищают экраном,непроницаемым для электронов. Новым, по мнению автора, является то, что подвергают локальному облучению электронами область структуры под катодным электродом через отверстия в экране диаметром от 0,7 до 1,1 мм, которые равномерно распределены по площади экрана и расположены друг от друга на расстоянии от 0,8 до 1,2 мм, причем область поверхностной фаски тиристорной структуры при этом защищена...
Способ формирования геттерного слоя в пластине кремния
Номер патента: 18107
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Садовский Павел Кириллович, Васильев Юрий Борисович, Плебанович Владимир Иванович, Челядинский Алексей Романович, Белоус Анатолий Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Оджаев Владимир Борисович
МПК: H01L 21/322
Метки: кремния, способ, слоя, пластине, геттерного, формирования
Текст:
...транзистора от тока коллектора. Для формирования геттерного слоя пластины кремния -типа с удельным сопротивлением 10 Омсм имплантировались в нерабочую сторону ионамис энергией 60 кэВ и дозой 21015 см-2. После имплантации проводилась термообработка при температуре 850 С в течение 30 мин для электрической активации внедренной примеси. Измерения показали,что степень электрической активации сурьмы после отжига составила 21(слоевая...
Способ контроля качества поверхности пластины монокристаллического кремния
Номер патента: 18135
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович
МПК: H01L 21/66, G01N 21/88
Метки: качества, способ, пластины, кремния, контроля, поверхности, монокристаллического
Текст:
...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...
Устройство для получения геля диоксида кремния
Номер патента: U 9408
Опубликовано: 30.08.2013
Авторы: Косенок Янина Александровна, Гайшун Владимир Евгеньевич, Беднюк Олег Николаевич, Плющ Борис Васильевич, Овчаров Александр Михайлович
МПК: C03B 8/02
Метки: кремния, получения, диоксида, геля, устройство
Текст:
...основание выполнено из гидрофильного проницаемого материала, а прилегающие к нему стенки выполнены из гидрофобного непроницаемого и нерастворимого в воде материала. Недостатком известного устройства является то, что в данном устройстве процесс гелеобразования происходит самопроизвольно. Получение из золя геля и его сушка требует больших затрат времени. Кроме того, в процессе получения геля происходят значительные усадки от геля к ксерогелю...
Способ травления пленки диоксида кремния при аэрозольной химической очистке полупроводниковых пластин
Номер патента: 17333
Опубликовано: 30.08.2013
Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: B08B 3/02, G05D 23/00, H01L 21/02...
Метки: полупроводниковых, диоксида, пленки, аэрозольной, пластин, кремния, способ, очистке, травления, химической
Текст:
...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...
Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния
Номер патента: 17212
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Чубенко Евгений Борисович, Клышко Алексей Александрович, Бондаренко Виталий Парфирович
МПК: H01L 21/02, C25D 9/08, C30B 29/10...
Метки: полупроводниковых, aіvbvі, кремния, способ, aііbvі, формирования, подложках, монокристаллического, бинарных, или, пленок, групп, соединений
Текст:
...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...
Состав для удаления полимерных загрязнений с поверхности кремния
Номер патента: 16473
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Медведева Анна Борисовна
МПК: H01L 21/306
Метки: полимерных, состав, удаления, поверхности, загрязнений, кремния
Текст:
...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...
Способ разделения резкой кристаллического кремния под действием термоупругих напряжений
Номер патента: 16483
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Сердюков Анатолий Николаевич, Шалупаев Сергей Викентьевич, Шолох Владимир Федорович, Никитюк Юрий Валерьевич
МПК: C03B 33/02, C03B 33/09, B28D 5/00...
Метки: кристаллического, резкой, способ, разделения, кремния, действием, напряжений, термоупругих
Текст:
...перемещении лазерного пучка и кремния и локальное охлаждение зоны нагрева хладагентом,перед выбором интенсивности нагрева определяют значение модуля Юнга , ГПа, в 2 16483 1 2012.10.30 направлении, перпендикулярном плоскости разделения, интенсивность нагрева выбирают пропорционально модулю Юнга , ГПа, в направлении, перпендикулярном плоскости разделения, причем соотношение скорости относительного перемещения лазерного пучка и кремния , м/с, и...
Способ изготовления полупроводниковой пластины кремния
Номер патента: 16226
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/322
Метки: полупроводниковой, способ, пластины, изготовления, кремния
Текст:
...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...
Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)
Номер патента: 15599
Опубликовано: 30.04.2012
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: 001, полупроводниковых, кремния, способ, пластин, изготовления, ориентации
Текст:
...с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей...
Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)
Номер патента: 15593
Опубликовано: 30.04.2012
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: 001, пластин, полупроводниковых, ориентации, изготовления, способ, кремния
Текст:
...упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им окон, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь...
Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)
Номер патента: 15592
Опубликовано: 30.04.2012
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: изготовления, ориентации, способ, кремния, пластин, 001, полупроводниковых
Текст:
...центральной части на диоксид кремния) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым уровнем формирования элементов рисунка возникает все новый уровень дислокационной структуры. Одновременное наличие элементов рисунка различного размера и фрактальный характер их...
Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния
Номер патента: 15320
Опубликовано: 28.02.2012
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: C23C 14/34, H01L 21/322
Метки: полупроводниковых, пластин, изготовления, кремния, способ
Текст:
...для эпитаксиальной рекристаллизации поликристаллического кремния (поли-). В то же время они не являются барьером для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера, поскольку имеют одинаковую с ними химическую природу - неконтролируемые примеси существуют в кремнии преимущественно в виде силицидов. Выбор из всей совокупности силицидов именно силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются...
Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния
Номер патента: 15319
Опубликовано: 28.02.2012
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: C23C 8/02, H01L 21/322
Метки: изготовления, способ, пластин, кремния, полупроводниковых
Текст:
...в течение 30-150 с, далее в плазме аргона в течение 10-60 с, а затем в плазме кислорода в течение времени, необходимого для получения пленки требуемой толщины. Сущность заявляемого технического решения заключается в полном удалении оксида кремния, образовавшегося в результате проведения химобработки и при хранении пластин на воздухе, и последующем окислении чистой поверхности кремния в плазме кислорода. Процессы химической отмывки...
Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)
Номер патента: 15464
Опубликовано: 28.02.2012
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/02
Метки: изготовления, полупроводниковых, способ, 001, кремния, ориентации, пластин
Текст:
...образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения...
Способ получения тетрафторида кремния и устройство для осуществления способа
Номер патента: 15295
Опубликовано: 30.12.2011
Авторы: Нагула Петр Константинович, Липай Владимир Анатольевич, Степаненко Валерий Николаевич, Степаненко Николай Валерьевич, Телущенко Елена Анатольевна, Матюта Александр Сергеевич, Максименко Николай Филиппович
МПК: C01B 33/107
Метки: получения, устройство, способ, способа, тетрафторида, осуществления, кремния
Текст:
...Этот процесс делает очевидными безвозвратные потери энергии на предыдущее разложение 26, уменьшение выхода 4 и загрязнение остатка , который также является востребованным коммерческим продуктом. Весь выделяемый газ 4 поступает в один баллон-конденсатор, что заранее обуславливает получение конечного продукта с загрязняющими включениями. Первые порции тетрафторида кремния, получаемые в процессе термического разложения кремнефторида натрия,...
Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)
Номер патента: 15075
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: изготовления, пластин, ориентации, способ, полупроводниковых, 111, кремния
Текст:
...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы 5 15075 1 2011.12.30 меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше...
Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)
Номер патента: 15192
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: полупроводниковых, изготовления, способ, пластин, ориентации, 111, кремния
Текст:
...первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно,что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит...
Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)
Номер патента: 15074
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: полупроводниковых, 111, изготовления, способ, ориентации, пластин, кремния
Текст:
...что то же самое, при соблюдении заявляемой ориентации углов элементов) кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элемента, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...
Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)
Номер патента: 15190
Опубликовано: 30.12.2011
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/302
Метки: способ, пластин, изготовления, ориентации, полупроводниковых, 111, кремния
Текст:
...находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование 5 15190 1 2011.12.30 второго тетраэдра и октаэдра...
Способ получения керамических изделий на основе нитрида кремния повышенной прочности
Номер патента: 14222
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Беляев Андрей Васильевич, Судник Лариса Владимировна, Урбанович Владимир Степанович, Жук Елена Владимировна
МПК: C04B 35/584
Метки: кремния, изделий, способ, нитрида, прочности, повышенной, керамических, основе, получения
Текст:
...мкм (удельная поверхность 6-9 м 2/г), с содержанием азота 36,5-39,5 мас. , -фазы 60-90 и примесей,мас.кислорода 0,3-1,0 свободного кремния 0,01-0,6 железа 0,1-0,2 углерода 0,01-0,4 кальция до 0,2. Полученные порошки формуют известными методами и подвергают термобарической или термической обработке. Из полученных порошков изготавливались образцы изделий из нитридокремниевого материала и исследовались механические характеристики. При содержании...
Раствор для химического никелирования порошкообразных оксида алюминия или карбида кремния
Номер патента: 14012
Опубликовано: 28.02.2011
Авторы: Ильющенко Александр Фёдорович, Сморыго Олег Львович, Микуцкий Виталий Анатольевич
МПК: C23C 18/31
Метки: или, раствор, карбида, алюминия, порошкообразных, оксида, кремния, химического, никелирования
Текст:
...никель хлористый (6-водный) 100-150 г/л натрия гипофосфит 150-250 г/л натрий лимоннокислый 30-50 г/л 3 20-40 мл/л кислота уксусная (1,058 г/см ) аммиак водный раствор (25 ) 200-330 мл/л вода остальное. Сущность изобретения состоит в следующем. Применение раствора химического никелирования с использованием в качестве основной соли хлорида никеля, заменой фторсодержащей соли и органического стабилизатора на комплексообразователи (кислоту...
Способ радиационно-термической обработки силовых диодов на основе кремния
Номер патента: 13932
Опубликовано: 30.12.2010
Автор: Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/00
Метки: основе, кремния, силовых, радиационно-термической, способ, диодов, обработки
Текст:
...кроме последней, ступени облучения. Сущность изобретения заключается в том, что при ступенчатом наборе дозы электронного облучения с последующей дополнительной термообработкой после каждого шага облучения происходит более эффективное, чем при непрерывном облучении и однократном отжиге, накопление рекомбинационного центра (или центров), контролирующих время жизни ННЗ. Возможной причиной такой особенности ступенчатой РТО является то,что...
Инсектицидная дисперсия, содержащая гидрофобный диоксид кремния
Номер патента: 13255
Опубликовано: 30.06.2010
Авторы: ЛОРЦ, Вольфганг, ШЕФЛЕР, Йохен, ПЕРЛЕТ, Габриэль
МПК: A01N 59/00, A01N 25/04
Метки: кремния, инсектицидная, дисперсия, диоксид, гидрофобный, содержащая
Текст:
...затратами вследствие повышенной вязкости однородной водной фазы (с желирующим агентом в качестве добавки). С помощью операций деаэрирования до или во время диспергирования можно удалить, по меньшей мере, большую часть диспергированного воздуха. В принципе, является подходящей любая методика диспергирования, проведение которой возможно до деаэрирования диспергируемого порошка и которая во время диспергирования предотвращает...
Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния
Номер патента: 12994
Опубликовано: 30.04.2010
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Гурин Павел Михайлович, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 29/66, H01L 21/02
Метки: основе, кремния, быстродействующих, способ, изготовления, тиристоров
Текст:
...пробега электронов в материале экрана, и с расположением отверстий, соответствующим расположению отверстий шаблона для нанесения на кремниевую пластину контактов к управляющему электроду, подвергают воздействию тормозного гаммаизлучения весь объем структуры. Сущность способа состоит в следующем. В случае формирования в четырехслойной приборной структуре зоны повышенной рекомбинации (ЗПР) цилиндрической формы 5,когда ЗПР совпадает с...
Способ получения изделия из композиционного материала на основе карбида кремния и железа
Номер патента: 12847
Опубликовано: 28.02.2010
Авторы: Фомихина Ирина Викторовна, Жук Андрей Евгеньевич, Ковалевская Анна Викторовна, Витязь Петр Александрович, Григорьев Сергей Владимирович, Ковалевский Виктор Николаевич
МПК: C04B 35/626, C04B 35/565, C04B 35/65...
Метки: железа, кремния, основе, карбида, изделия, материала, способ, композиционного, получения
Текст:
...заготовку и подвергают ее реакционному спеканию в форме из материала с низким коэффициентом линейного термического расширения. Авторами установлено, что изготовление изделий из композиционных материалов,представляющих собой абразивные и железные порошки с покрытием кремнием и углеродом возможно за счет реакционного спекания в покрытии и уплотнение их в процессе температурного расширения частиц железного порошка при нагреве. В предлагаемом...
Способ получения композиционного материала с каркасной структурой карбида кремния
Номер патента: 12844
Опубликовано: 28.02.2010
Авторы: Григорьев Сергей Владимирович, Ковалевская Анна Викторовна, Фомихина Ирина Викторовна, Витязь Пётр Александрович, Ковалевский Виктор Николаевич, Сачава Дмитрий Григорьевич
МПК: C04B 35/65, C04B 35/565, C04B 35/626...
Метки: кремния, получения, структурой, карбида, композиционного, материала, способ, каркасной
Текст:
...решается так, что в способе получения композиционного материала с каркасной структурой карбида кремния, при котором поверхность частиц порошков железа с частицами разного размера активируют в плазме тлеющего разряда, путем магнетронного распыления наносят на них тонкопленочное покрытие из смеси кремния и углерода, на тонкопленочное покрытие наносят слой алюминия толщиной 8-10 нм готовят шихту смешиванием полученных порошков, формуют и...
Композиционный ферроабразивный порошок для полирования высокотвердых кремния или стекла
Номер патента: 12528
Опубликовано: 30.10.2009
Авторы: Судник Лариса Владимировна, Жук Елена Владимировна
МПК: C09G 1/00
Метки: кремния, ферроабразивный, композиционный, или, стекла, порошок, высокотвердых, полирования
Текст:
...и микропористость поверхности режущих зерен. При этом снижается температура в зоне резания, коэффициент трения с обрабатываемой поверхностью, что приводит к повышению работоспособности материала. Содержание гидроксида алюминия ниже 30 объемных процентов понижает прочность композиции, снижает интенсивность съема обрабатываемого материала, снижает ферромагнитные свойства, а превышение количества гидроксида алюминия 40 об.приводит к расслоению...
Способ получения диоксида кремния
Номер патента: 12117
Опубликовано: 30.08.2009
Авторы: Чен Марианна Игоревна, Злотников Игорь Иванович, Злотников Александр Игоревич, Мельников Игорь Георгиевич
МПК: C01B 33/00
Метки: получения, способ, диоксида, кремния
Текст:
...кремния и их агломераты. При этом если при обычной тепловой обработке температурное поле движется от внешних краев материала к центру, то при микроволновом нагреве распределение тепловой энергии в материале оказывается противоположным - максимум температуры находится в середине тела. Это способствует разрыхлению диоксида кремния, уменьшению размера его частиц и увеличению удельной поверхности. Замораживать путем охлаждения влажного продукта...
Способ осаждения пленки полуизолирующего поликристаллического кремния
Номер патента: 12058
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Емельянов Виктор Андреевич, Соловьев Ярослав Александрович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Наливайко Олег Юрьевич
МПК: C23C 16/455, H01L 21/02, B05D 5/12...
Метки: пленки, кремния, способ, осаждения, поликристаллического, полуизолирующего
Текст:
...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...
Состав для травления пленок поликристаллического кремния
Номер патента: 11821
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна
МПК: H01L 21/02
Метки: кремния, пленок, состав, поликристаллического, травления
Текст:
...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...
Способ получения композита на основе оксидов титана и кремния
Номер патента: 11712
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Лавицкая Анна Сергеевна, Мурашкевич Анна Николаевна
МПК: B01J 21/00
Метки: способ, композита, титана, оксидов, кремния, получения, основе
Текст:
...кремнийсодержащего компонента раствора натриевого или калиевого жидкого стекла (Ыа 2 О-п 51 О 2 или К 2 О-п 51 О 2), имеющего модуль п 1,6 3,0, или метасиликата натрия Ма 251 О 3-9 Н 2 Оотмывка продукта слабым раствором уксусной кислоты, имеющим температуру 4050 С и рН 3.Использование в качестве кремнийсодержащего компонента растворов щелочных силикатов позволяет уменьшить количество применяемого осадителя, поскольку эту функцию...
Способ получения керамического материала из нитрида кремния
Номер патента: 11890
Опубликовано: 30.04.2009
Автор: Урбанович Владимир Степанович
МПК: B22F 3/14, C04B 35/584
Метки: кремния, способ, нитрида, керамического, материала, получения
Текст:
...контейнера вместе с нагревателем. Контейнер помещают в устройство высокого давления и подвергают сжатию до необходимого давления 1,5-2,9 ГПа. Затем исходную заготовку нагревают со скоростью 350-4500 С/мин до температуры спекания 1750-2200 С и выдерживают при ней в течение времени, необходимого для спекания материала. По окончании процесса спекания отключают нагрев, охлаждают образец, снижают давление до атмосферного со скоростью 1-25 ГПа/мин....
Способ отбраковки полупроводниковых приборов на основе кремния по радиационной стойкости
Номер патента: 11642
Опубликовано: 28.02.2009
Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич
МПК: H01L 21/66, G01R 31/26
Метки: стойкости, приборов, кремния, полупроводниковых, радиационной, способ, отбраковки, основе
Текст:
...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...
Способ раскисления низкоуглеродистой стали с низким содержанием кремния
Номер патента: 10664
Опубликовано: 30.06.2008
Авторы: Гуненков Валентин Юрьевич, Пивцаев Виталий Васильевич, Терлецкий Сергей Валерьевич, Боровик Валерий Васильевич, Оленченко Александр Васильевич
МПК: C21C 7/06
Метки: кремния, низкоуглеродистой, низким, раскисления, стали, способ, содержанием
Текст:
...53 А 2 О 3, не менее чем за 5 минут до передачи плавки на машину непрерывного литья заготовок вводят 0,5-1,5 кг/т силикокальциевой проволоки, а продувку стали инертным газом начинают с момента выпуска стали в ковш, при этом расход инертного газа увеличивают по мере наполнения ковша с 30 до 150 л/мин. Выполнение порядка присадки материалов в ковше в процессе выпуска и внепечной обработки стали следующее. До наполнения 10 (10 тонн) ковша...
Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в мощных высоковольтных быстродействующих полупроводниковых приборах, изготавливаемых на базе ядернолегированного кремния
Номер патента: 10595
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич
МПК: H01L 21/02
Метки: полупроводниковых, изготавливаемых, способ, неосновных, регулирования, приборах, жизни, базе, кремния, быстродействующих, мощных, высоковольтных, ядернолегированного, времени, заряда, носителей
Текст:
...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...