Патенты с меткой «кремния»

Способ удаления фоторезиста после плазмохимического травления поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18444

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Цивако Алексей Александрович

МПК: B08B 3/02, H01L 21/02

Метки: кремния, фоторезиста, удаления, способ, травления, после, плазмохимического, поликристаллического

Текст:

...обработкой в течение 3-7 мин выполняют аэрозольную обработку в смеси, содержащей аммиак, перекись водорода и нагретую от 80 до 90 С деионизованную воду при следующих расходах компонентов, л/мин аммиак 0,125-0,250 перекись водорода 0,2-0,3 вода деионизованная 1,3-2,0. Использования идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. 18444 1 2014.08.30 При обработке пластин в...

Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/311

Метки: реставрации, пленкой, изготовлении, способ, интегральных, кремния, микросхем, пластин, поликристаллического

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Способ получения композита на основе нанооксидов титана и кремния

Загрузка...

Номер патента: 18320

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Мурашкевич Анна Николаевна, Юхно Елена Казимировна, Алисиенок Ольга Александровна, Жарский Иван Михайлович

МПК: B01J 21/06, B82Y 40/00, C04B 38/06...

Метки: кремния, нанооксидов, основе, композита, получения, титана, способ

Текст:

...1(0,25 - 1) прокалка промежуточного продукта при температурах 550-600 С, обеспечивающая полное удаление структурообразователя при сохранении развитой удельной поверхности продукта и частичную кристаллизацию титансодержащего компонента, который чаще всего является носителем активных каталитических центров и при использовании такого композита в качестве фотокатализатора должен быть кристаллическим. Сущность предлагаемого изобретения...

Способ осаждения легированных фосфором пленок кремния

Загрузка...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Пшеничный Евгений Николаевич, Трусов Виктор Леонидович, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович

МПК: C23C 16/30, C23C 16/56, H01L 21/205...

Метки: фосфором, способ, пленок, легированных, осаждения, кремния

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 18057

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: основе, тиристоров, кремния, изготовления, способ, быстродействующих

Текст:

...структуры при этом защищают экраном,непроницаемым для электронов. Новым, по мнению автора, является то, что подвергают локальному облучению электронами область структуры под катодным электродом через отверстия в экране диаметром от 0,7 до 1,1 мм, которые равномерно распределены по площади экрана и расположены друг от друга на расстоянии от 0,8 до 1,2 мм, причем область поверхностной фаски тиристорной структуры при этом защищена...

Способ формирования геттерного слоя в пластине кремния

Загрузка...

Номер патента: 18107

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Плебанович Владимир Иванович, Садовский Павел Кириллович, Васильев Юрий Борисович, Челядинский Алексей Романович, Оджаев Владимир Борисович

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерного, кремния, слоя, пластине, формирования, способ

Текст:

...транзистора от тока коллектора. Для формирования геттерного слоя пластины кремния -типа с удельным сопротивлением 10 Омсм имплантировались в нерабочую сторону ионамис энергией 60 кэВ и дозой 21015 см-2. После имплантации проводилась термообработка при температуре 850 С в течение 30 мин для электрической активации внедренной примеси. Измерения показали,что степень электрической активации сурьмы после отжига составила 21(слоевая...

Способ контроля качества поверхности пластины монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18135

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88

Метки: монокристаллического, пластины, способ, качества, кремния, контроля, поверхности

Текст:

...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...

Устройство для получения геля диоксида кремния

Загрузка...

Номер патента: U 9408

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Плющ Борис Васильевич, Гайшун Владимир Евгеньевич, Косенок Янина Александровна, Овчаров Александр Михайлович, Беднюк Олег Николаевич

МПК: C03B 8/02

Метки: диоксида, устройство, получения, геля, кремния

Текст:

...основание выполнено из гидрофильного проницаемого материала, а прилегающие к нему стенки выполнены из гидрофобного непроницаемого и нерастворимого в воде материала. Недостатком известного устройства является то, что в данном устройстве процесс гелеобразования происходит самопроизвольно. Получение из золя геля и его сушка требует больших затрат времени. Кроме того, в процессе получения геля происходят значительные усадки от геля к ксерогелю...

Способ травления пленки диоксида кремния при аэрозольной химической очистке полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: G05D 23/00, B08B 3/02, H01L 21/02...

Метки: химической, очистке, травления, пленки, способ, кремния, пластин, диоксида, полупроводниковых, аэрозольной

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Клышко Алексей Александрович, Чубенко Евгений Борисович, Бондаренко Виталий Парфирович

МПК: H01L 21/02, C30B 29/10, C25D 9/08...

Метки: формирования, пленок, aііbvі, монокристаллического, подложках, или, групп, соединений, кремния, полупроводниковых, aіvbvі, способ, бинарных

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Состав для удаления полимерных загрязнений с поверхности кремния

Загрузка...

Номер патента: 16473

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Медведева Анна Борисовна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, загрязнений, удаления, поверхности, полимерных, состав

Текст:

...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...

Способ разделения резкой кристаллического кремния под действием термоупругих напряжений

Загрузка...

Номер патента: 16483

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Шолох Владимир Федорович, Сердюков Анатолий Николаевич, Никитюк Юрий Валерьевич, Шалупаев Сергей Викентьевич

МПК: C03B 33/09, C03B 33/02, B28D 5/00...

Метки: резкой, кремния, разделения, термоупругих, кристаллического, действием, напряжений, способ

Текст:

...перемещении лазерного пучка и кремния и локальное охлаждение зоны нагрева хладагентом,перед выбором интенсивности нагрева определяют значение модуля Юнга , ГПа, в 2 16483 1 2012.10.30 направлении, перпендикулярном плоскости разделения, интенсивность нагрева выбирают пропорционально модулю Юнга , ГПа, в направлении, перпендикулярном плоскости разделения, причем соотношение скорости относительного перемещения лазерного пучка и кремния , м/с, и...

Способ изготовления полупроводниковой пластины кремния

Загрузка...

Номер патента: 16226

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/322

Метки: способ, полупроводниковой, изготовления, кремния, пластины

Текст:

...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15599

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: изготовления, способ, кремния, 001, пластин, полупроводниковых, ориентации

Текст:

...с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15593

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 001, ориентации, пластин, кремния, полупроводниковых, изготовления, способ

Текст:

...упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им окон, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15592

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, 001, изготовления, полупроводниковых, ориентации, способ, пластин

Текст:

...центральной части на диоксид кремния) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым уровнем формирования элементов рисунка возникает все новый уровень дислокационной структуры. Одновременное наличие элементов рисунка различного размера и фрактальный характер их...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния

Загрузка...

Номер патента: 15320

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 14/34

Метки: кремния, полупроводниковых, изготовления, пластин, способ

Текст:

...для эпитаксиальной рекристаллизации поликристаллического кремния (поли-). В то же время они не являются барьером для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера, поскольку имеют одинаковую с ними химическую природу - неконтролируемые примеси существуют в кремнии преимущественно в виде силицидов. Выбор из всей совокупности силицидов именно силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния

Загрузка...

Номер патента: 15319

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 8/02

Метки: изготовления, полупроводниковых, пластин, кремния, способ

Текст:

...в течение 30-150 с, далее в плазме аргона в течение 10-60 с, а затем в плазме кислорода в течение времени, необходимого для получения пленки требуемой толщины. Сущность заявляемого технического решения заключается в полном удалении оксида кремния, образовавшегося в результате проведения химобработки и при хранении пластин на воздухе, и последующем окислении чистой поверхности кремния в плазме кислорода. Процессы химической отмывки...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15464

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, ориентации, кремния, полупроводниковых, пластин, 001, способ

Текст:

...образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения...

Способ получения тетрафторида кремния и устройство для осуществления способа

Загрузка...

Номер патента: 15295

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Липай Владимир Анатольевич, Нагула Петр Константинович, Телущенко Елена Анатольевна, Матюта Александр Сергеевич, Максименко Николай Филиппович, Степаненко Валерий Николаевич, Степаненко Николай Валерьевич

МПК: C01B 33/107

Метки: способа, способ, получения, тетрафторида, кремния, устройство, осуществления

Текст:

...Этот процесс делает очевидными безвозвратные потери энергии на предыдущее разложение 26, уменьшение выхода 4 и загрязнение остатка , который также является востребованным коммерческим продуктом. Весь выделяемый газ 4 поступает в один баллон-конденсатор, что заранее обуславливает получение конечного продукта с загрязняющими включениями. Первые порции тетрафторида кремния, получаемые в процессе термического разложения кремнефторида натрия,...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15075

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, кремния, изготовления, ориентации, пластин, способ, 111

Текст:

...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы 5 15075 1 2011.12.30 меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15192

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: изготовления, 111, способ, пластин, кремния, полупроводниковых, ориентации

Текст:

...первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно,что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15074

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, пластин, изготовления, ориентации, способ, полупроводниковых, 111

Текст:

...что то же самое, при соблюдении заявляемой ориентации углов элементов) кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элемента, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15190

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, ориентации, кремния, пластин, способ, полупроводниковых, изготовления

Текст:

...находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование 5 15190 1 2011.12.30 второго тетраэдра и октаэдра...

Способ получения керамических изделий на основе нитрида кремния повышенной прочности

Загрузка...

Номер патента: 14222

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Судник Лариса Владимировна, Жук Елена Владимировна, Беляев Андрей Васильевич, Урбанович Владимир Степанович

МПК: C04B 35/584

Метки: кремния, основе, изделий, получения, керамических, нитрида, способ, прочности, повышенной

Текст:

...мкм (удельная поверхность 6-9 м 2/г), с содержанием азота 36,5-39,5 мас. , -фазы 60-90 и примесей,мас.кислорода 0,3-1,0 свободного кремния 0,01-0,6 железа 0,1-0,2 углерода 0,01-0,4 кальция до 0,2. Полученные порошки формуют известными методами и подвергают термобарической или термической обработке. Из полученных порошков изготавливались образцы изделий из нитридокремниевого материала и исследовались механические характеристики. При содержании...

Раствор для химического никелирования порошкообразных оксида алюминия или карбида кремния

Загрузка...

Номер патента: 14012

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Сморыго Олег Львович, Микуцкий Виталий Анатольевич, Ильющенко Александр Фёдорович

МПК: C23C 18/31

Метки: оксида, или, никелирования, карбида, алюминия, порошкообразных, раствор, химического, кремния

Текст:

...никель хлористый (6-водный) 100-150 г/л натрия гипофосфит 150-250 г/л натрий лимоннокислый 30-50 г/л 3 20-40 мл/л кислота уксусная (1,058 г/см ) аммиак водный раствор (25 ) 200-330 мл/л вода остальное. Сущность изобретения состоит в следующем. Применение раствора химического никелирования с использованием в качестве основной соли хлорида никеля, заменой фторсодержащей соли и органического стабилизатора на комплексообразователи (кислоту...

Способ радиационно-термической обработки силовых диодов на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 13932

Опубликовано: 30.12.2010

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00

Метки: кремния, силовых, обработки, основе, диодов, радиационно-термической, способ

Текст:

...кроме последней, ступени облучения. Сущность изобретения заключается в том, что при ступенчатом наборе дозы электронного облучения с последующей дополнительной термообработкой после каждого шага облучения происходит более эффективное, чем при непрерывном облучении и однократном отжиге, накопление рекомбинационного центра (или центров), контролирующих время жизни ННЗ. Возможной причиной такой особенности ступенчатой РТО является то,что...

Инсектицидная дисперсия, содержащая гидрофобный диоксид кремния

Загрузка...

Номер патента: 13255

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: ЛОРЦ, Вольфганг, ПЕРЛЕТ, Габриэль, ШЕФЛЕР, Йохен

МПК: A01N 25/04, A01N 59/00

Метки: инсектицидная, диоксид, гидрофобный, кремния, содержащая, дисперсия

Текст:

...затратами вследствие повышенной вязкости однородной водной фазы (с желирующим агентом в качестве добавки). С помощью операций деаэрирования до или во время диспергирования можно удалить, по меньшей мере, большую часть диспергированного воздуха. В принципе, является подходящей любая методика диспергирования, проведение которой возможно до деаэрирования диспергируемого порошка и которая во время диспергирования предотвращает...

Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 12994

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Гурин Павел Михайлович, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: изготовления, тиристоров, кремния, способ, быстродействующих, основе

Текст:

...пробега электронов в материале экрана, и с расположением отверстий, соответствующим расположению отверстий шаблона для нанесения на кремниевую пластину контактов к управляющему электроду, подвергают воздействию тормозного гаммаизлучения весь объем структуры. Сущность способа состоит в следующем. В случае формирования в четырехслойной приборной структуре зоны повышенной рекомбинации (ЗПР) цилиндрической формы 5,когда ЗПР совпадает с...

Способ получения изделия из композиционного материала на основе карбида кремния и железа

Загрузка...

Номер патента: 12847

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Ковалевская Анна Викторовна, Витязь Петр Александрович, Жук Андрей Евгеньевич, Фомихина Ирина Викторовна, Ковалевский Виктор Николаевич, Григорьев Сергей Владимирович

МПК: C04B 35/565, C04B 35/65, C04B 35/626...

Метки: способ, композиционного, основе, карбида, материала, получения, кремния, изделия, железа

Текст:

...заготовку и подвергают ее реакционному спеканию в форме из материала с низким коэффициентом линейного термического расширения. Авторами установлено, что изготовление изделий из композиционных материалов,представляющих собой абразивные и железные порошки с покрытием кремнием и углеродом возможно за счет реакционного спекания в покрытии и уплотнение их в процессе температурного расширения частиц железного порошка при нагреве. В предлагаемом...

Способ получения композиционного материала с каркасной структурой карбида кремния

Загрузка...

Номер патента: 12844

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Ковалевская Анна Викторовна, Фомихина Ирина Викторовна, Ковалевский Виктор Николаевич, Сачава Дмитрий Григорьевич, Григорьев Сергей Владимирович, Витязь Пётр Александрович

МПК: C04B 35/565, C04B 35/65, C04B 35/626...

Метки: получения, композиционного, кремния, способ, материала, карбида, структурой, каркасной

Текст:

...решается так, что в способе получения композиционного материала с каркасной структурой карбида кремния, при котором поверхность частиц порошков железа с частицами разного размера активируют в плазме тлеющего разряда, путем магнетронного распыления наносят на них тонкопленочное покрытие из смеси кремния и углерода, на тонкопленочное покрытие наносят слой алюминия толщиной 8-10 нм готовят шихту смешиванием полученных порошков, формуют и...

Композиционный ферроабразивный порошок для полирования высокотвердых кремния или стекла

Загрузка...

Номер патента: 12528

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Судник Лариса Владимировна, Жук Елена Владимировна

МПК: C09G 1/00

Метки: или, стекла, порошок, полирования, кремния, высокотвердых, композиционный, ферроабразивный

Текст:

...и микропористость поверхности режущих зерен. При этом снижается температура в зоне резания, коэффициент трения с обрабатываемой поверхностью, что приводит к повышению работоспособности материала. Содержание гидроксида алюминия ниже 30 объемных процентов понижает прочность композиции, снижает интенсивность съема обрабатываемого материала, снижает ферромагнитные свойства, а превышение количества гидроксида алюминия 40 об.приводит к расслоению...

Способ получения диоксида кремния

Загрузка...

Номер патента: 12117

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Чен Марианна Игоревна, Злотников Александр Игоревич, Мельников Игорь Георгиевич, Злотников Игорь Иванович

МПК: C01B 33/00

Метки: диоксида, способ, кремния, получения

Текст:

...кремния и их агломераты. При этом если при обычной тепловой обработке температурное поле движется от внешних краев материала к центру, то при микроволновом нагреве распределение тепловой энергии в материале оказывается противоположным - максимум температуры находится в середине тела. Это способствует разрыхлению диоксида кремния, уменьшению размера его частиц и увеличению удельной поверхности. Замораживать путем охлаждения влажного продукта...

Способ осаждения пленки полуизолирующего поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 12058

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович

МПК: H01L 21/02, B05D 5/12, C23C 16/455...

Метки: кремния, пленки, способ, полуизолирующего, поликристаллического, осаждения

Текст:

...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...

Состав для травления пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/02

Метки: состав, пленок, поликристаллического, кремния, травления

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Способ получения композита на основе оксидов титана и кремния

Загрузка...

Номер патента: 11712

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Лавицкая Анна Сергеевна, Мурашкевич Анна Николаевна

МПК: B01J 21/00

Метки: кремния, основе, способ, получения, оксидов, композита, титана

Текст:

...кремнийсодержащего компонента раствора натриевого или калиевого жидкого стекла (Ыа 2 О-п 51 О 2 или К 2 О-п 51 О 2), имеющего модуль п 1,6 3,0, или метасиликата натрия Ма 251 О 3-9 Н 2 Оотмывка продукта слабым раствором уксусной кислоты, имеющим температуру 4050 С и рН 3.Использование в качестве кремнийсодержащего компонента растворов щелочных силикатов позволяет уменьшить количество применяемого осадителя, поскольку эту функцию...

Способ получения керамического материала из нитрида кремния

Загрузка...

Номер патента: 11890

Опубликовано: 30.04.2009

Автор: Урбанович Владимир Степанович

МПК: B22F 3/14, C04B 35/584

Метки: нитрида, получения, кремния, материала, способ, керамического

Текст:

...контейнера вместе с нагревателем. Контейнер помещают в устройство высокого давления и подвергают сжатию до необходимого давления 1,5-2,9 ГПа. Затем исходную заготовку нагревают со скоростью 350-4500 С/мин до температуры спекания 1750-2200 С и выдерживают при ней в течение времени, необходимого для спекания материала. По окончании процесса спекания отключают нагрев, охлаждают образец, снижают давление до атмосферного со скоростью 1-25 ГПа/мин....

Способ отбраковки полупроводниковых приборов на основе кремния по радиационной стойкости

Загрузка...

Номер патента: 11642

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: основе, кремния, стойкости, полупроводниковых, радиационной, отбраковки, способ, приборов

Текст:

...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...

Способ раскисления низкоуглеродистой стали с низким содержанием кремния

Загрузка...

Номер патента: 10664

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Терлецкий Сергей Валерьевич, Пивцаев Виталий Васильевич, Оленченко Александр Васильевич, Боровик Валерий Васильевич, Гуненков Валентин Юрьевич

МПК: C21C 7/06

Метки: раскисления, содержанием, способ, кремния, низкоуглеродистой, стали, низким

Текст:

...53 А 2 О 3, не менее чем за 5 минут до передачи плавки на машину непрерывного литья заготовок вводят 0,5-1,5 кг/т силикокальциевой проволоки, а продувку стали инертным газом начинают с момента выпуска стали в ковш, при этом расход инертного газа увеличивают по мере наполнения ковша с 30 до 150 л/мин. Выполнение порядка присадки материалов в ковше в процессе выпуска и внепечной обработки стали следующее. До наполнения 10 (10 тонн) ковша...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в мощных высоковольтных быстродействующих полупроводниковых приборах, изготавливаемых на базе ядернолегированного кремния

Загрузка...

Номер патента: 10595

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: неосновных, кремния, жизни, способ, изготавливаемых, ядернолегированного, приборах, базе, регулирования, заряда, высоковольтных, времени, полупроводниковых, носителей, быстродействующих, мощных

Текст:

...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...