Патенты с меткой «кремниевой»

Номер патента: 18209

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Кузмицкий Антон Михайлович, Костюкевич Евгений Алексеевич, Асташинский Валентин Миронович

МПК: G01J 5/00

Метки: расплава, кремниевой, мишени, способ, поверхности, зоны, полупроводниковой, времени, существования, определения

Текст:

...потоками. 18209 1 2014.06.30 Поставленная задача решается тем, что в способе определения времени существования зоны расплава на поверхности полупроводниковой кремниевой мишени, при котором воздействуют на полупроводниковую мишень высокоэнергетическим плазменным потоком из магнитоплазменного компрессора с образованием над поверхностью мишени интенсивно излучающего ударно-сжатого слоя плазмы, регистрируют долю прошедшего через мишень...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Ефименко Сергей Афанасьевич, Малый Игорь Васильевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/77, H01L 27/04

Метки: микросхемы, изготовления, способ, кремниевой, интегральной

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Номер патента: 17444

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Кулак Анатолий Иосифович, Иванов Дмитрий Константинович, Иванова Юлия Александровна, Стрельцов Евгений Анатольевич

МПК: H01L 21/18, C25D 7/12, C25D 3/38...

Метки: пластины, фотоселективного, осаждения, меди, кремниевой, поверхность, p-типа, электрохимического, проводимости, способ

Текст:

...поддержания потенциала кремниевого электрода и для устойчивого поддержанияэлектролита, а увеличение содержания 33 более 0,7 моль/л ограничено растворимостью данного соединения в воде. Влияние концентрации компонентов и потенциалов на селективность процесса осаждения меди сопоставлено в таблице. Зависимость величины фототока, темнового тока осаждения меди на -кремний и степени селективности(отношение массы меди, осаждающейся под...

Номер патента: 17232

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Ходарина Людмила Петровна, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: H01L 21/66, G01L 1/25

Метки: кремниевой, остаточных, структуре, напряжений, способ, контроля, покрытие sio2–основа si

Текст:

...тонкой оболочки. По условию минимума свободной энергии край отделенной полоски покрытия должен был бы принять форму волны с осью симметрии,лежащей в срединной плоскости покрытия. Однако поскольку прогиб полоски возможен только в одну сторону (вверх от основы), то свободный край полоски изгибается по некоторой, как правило несимметричной, волнообразной кривой, смещенной вверх от основы. Волнообразный изгиб свободного края покрытия...

Номер патента: 16839

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Адашкевич Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Колос Владимир Владимирович, Чапланов Аркадий Михайлович, Маркевич Мария Ивановна, Стельмах Вячеслав Фомич

МПК: C23C 14/16, H01L 21/02

Метки: способ, подложке, титана, пленки, формирования, кремниевой, дисилицида

Текст:

...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...

Номер патента: U 8344

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Стельмах Вячеслав Фомич, Чапланов Аркадий Михайлович, Колос Владимир Владимирович, Маркевич Мария Ивановна, Адашкевич Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/44

Метки: подложке, устройство, титана, формирования, пленки, дисилицида, кремниевой

Текст:

...свойств пленки титана 2 совмещен с блоком перемещения кремниевой подложки 18. Устройство формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке(фиг. 1) работает следующим образом. Кремниевая подложка через элемент загрузки 13 поступает в блок нанесения пленки титана 1, где осуществляется, как в известном устройстве 3, операция нанесения на поверхность кремниевой подложки пленки титана, например, способом магнетронного напыления,...

Номер патента: 15194

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевой, полупроводниковой, пластины, покрытие, функциональное, 111, ориентации

Текст:

...тетраэдров,находящихся в двойниковой ориентации по отношению к первичным и обращенных вершиной в сторону нерабочей поверхности пластины. Пересечение совокупностей тетраэдров, образованных плоскостями скольжения 111 и 110, обеспечивает получение устойчивой взаимосвязанной структуры, состоящей из дислокаций и дефектов упаковки и управляемой параметрами рисунка покрытия. Дальнейшее разделение элементов рисунка в покрытии приводит к образованию...

Номер патента: 15193

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластины, покрытие, кремниевой, ориентации, функциональное, полупроводниковой, 111

Текст:

...элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка покрытия. При первом разделении...

Номер патента: 15294

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: кремниевой, способ, изготовления, структуры, ориентации, эпитаксиальной, 111

Текст:

...частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой...

Номер патента: 15077

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: кремниевой, ориентации, структуры, эпитаксиальной, способ, изготовления, 111

Текст:

...эпитаксиальной структуры ориентации (111) механические нарушения, в соответствии с заявляемым техническим решением, могут быть сформированы, по крайней мере, в одном из трех равнозначных кристаллографических направлений - 1 1 0 ,10 1 или 01 1. В случае формирования механических нарушений в двух или трех направлениях одновременно плотность генерируемой дислокационной структуры возрастает, эффективность захвата неконтролируемых примесей...

Номер патента: 15132

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: ориентации, кремниевой, способ, эпитаксиальной, изготовления, 001, структуры

Текст:

...направлений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно плотность дислокационной сетки в объеме подложки и эффективность захвата неконтролируемых примесей возрастают. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки), режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических...

Номер патента: 15059

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: способ, 111, кремниевой, ориентации, полупроводниковой, изготовления, пластины

Текст:

...эпитаксии и т.п. Если контролируемые нарушения выполнены вдоль одного из направлений типа 112, дислокации генерируются преимущественно в одной из соответствующих конкретно выбранному направлению плоскостей (1 1 0 ) , (10 1 ) и (01 1 ) , перпендикулярных плоскости (111), и при последующих операциях беспрепятственно достигают рабочей поверхности пластины, усиливая тем самым рост линий скольжения. Требования по шагу расположения линий...

Номер патента: 14926

Опубликовано: 30.10.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: кремниевой, ориентации, способ, пластины, изготовления, полупроводниковой, 001

Текст:

...направ 3 14926 1 2011.10.30 лений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно эффективность блокирования роста линий скольжения соответственно повышается. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки),режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических нарушений продиктованы...

Номер патента: 13528

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Русальская Тамара Георгиевна, Звонова Ольга Сергеевна, Табулина Людмила Васильевна, Баранов Игорь Ливерьевич

МПК: C25F 3/00, H01L 21/02

Метки: подложки, способ, травления, кремниевой

Текст:

...0,5-1,14, 1,01,75 и 0,07-0,14 СВ-1017, и подключают ее к электрической цепи с плотностью протекающего через подложку анодного тока в интервале 50-75 мА/см 2. При анодной обработке в электролитических растворах, содержащих плавиковую кислоту, на поверхности кремниевой подложки протекают следующие реакции электрохимическая реакция образования бифторида кремния(1)22 е 22 химическое восстановление кремния из бифторида кремния(3) 4226...

Номер патента: 11811

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Сякерский Валентин Степанович, Баранов Валентин Владимирович

МПК: H01L 29/00, H01L 49/02

Метки: тонкопленочный, кремниевой, микросхемы, интегральной, резистор, интегральный

Текст:

...сплава с низкотемпературным оксидом кремния. Формирование между резистивным слоем и межуровневым слоем диэлектрика слоя пентаоксида тантала толщиной 0,07-0,40 мкм, площадью, по меньшей мере,равной занимаемой резистивной пленкой, позволяет исключить взаимодействие резистивной пленки с материалом подложки и тем самым повысить надежность и стабильность параметров ИТР при термических воздействиях. При толщине слоя пентаоксида тантала менее...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: C09K 13/00, H01L 21/02

Метки: контроля, способ, полупроводниковой, качества, пластины, кремниевой, очистки, поверхности, химической, растворе, ph больше 7

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...

Номер патента: 10215

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Пономарь Владимир Николаевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/66, G01L 1/25

Метки: напряжений, пленка sio2–подложка si, кремниевой, способ, механических, структуре, контроля

Текст:

...плотность интерференционных линий вне зависимости от ориентации сторон сосредоточена в углах окна. В случае круглого окна в каждой его точке создаются равные условия формирования интерференционной картины, зависящие только от действительных значений напряжений в данном азимутальном направлении. Выбор радиального направления для определения относительного удлинения отделенной от подложки пленки обусловлен тем, что только это удлинение...

Номер патента: 9677

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: стороны, металлизации, способ, формирования, пластины, кремниевой, обратной

Текст:

...кремний) придает буферному слою дополнительную устойчивость к процессам электромиграции и шипообразования, которые могут происходить во время пайки кристалла, а также в процессе эксплуатации ИСМЭ. Кроме того, нанесение сплавов алюминия в качестве материала буферного слоя позволяет ограничить взаимную диффузию кремния и алюминия повысить стойкость металлизации к воздействию повышенной температуры. Утонение кремниевой пластины со...

Номер патента: 5907

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Пеньков Анатолий Петрович, Ануфриев Леонид Петрович, Чигирь Григорий Григорьевич, Ухов Виктор Анатольевич

МПК: H01L 21/66

Метки: измерения, пластины, поверхности, нарушенного, кремниевой, способ, глубины, полупроводниковой, слоя

Текст:

...слои,что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению нарушенного слоя. При использовании углов падения пучка ионов в диапазоне 10-45 увеличения нарушенного слоя и формирования микрорельефа на поверхности кремниевой пластины не наблюдается при выборе пучка ионов с атомным номером менее 7 (легкие ионы) наблюдается внедрение падающих ионов в поверхностные слои, что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению...