Патенты с меткой «контакта»
Способ определения размеров площадки контакта двух упругих тел, нагруженных внешней силой, для расчета на контактную прочность элементов высших кинематических пар
Номер патента: 16104
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Бородачев Николай Максимович, Комраков Владимир Викторович, Тариков Георгий Петрович
МПК: G06G 7/48
Метки: пар, способ, внешней, контактную, размеров, площадки, высших, нагруженных, прочность, контакта, тел, упругих, расчета, определения, кинематических, двух, элементов, силой
Текст:
...электрического поля. На токопроводящий элемент - аналог площадки контакта - необходимо подать переменный электрический потенциал (, ) в соответствии с правой частью уравнения (1). 3 16104 1 2012.08.30 Так как задать переменный электрический потенциал на сплошной токопроводящей пластине невозможно, то токопроводящий элемент выполняем в виде набора изолированных друг от друга токопроводящих пластин, являющихся аналогами...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою нитрида галлия p-GaN
Номер патента: 15439
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Труханов Алексей Валентинович, Пашкевич Михаил Викторович, Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович
МПК: H01L 21/02, B82B 3/00, H01L 33/00...
Метки: p-gan, слою, эпитаксиальному, галлия, нитрида, прозрачного, изготовления, способ, контакта, омического
Текст:
..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...
Способ определения фактической площади контакта пористого и компактного материалов
Номер патента: 15531
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Александров Валерий Михайлович, Шкурдюк Петр Алексеевич, Маркова Людмила Владимировна
МПК: G01N 15/08, G01N 1/32
Метки: площади, определения, контакта, материалов, пористого, компактного, фактической, способ
Текст:
...способа. Поставленная задача достигается тем, что в заявляемом способе определения фактической площади контакта пористого и компактного материалов, в котором спекают подложку из компактного материала с пластиной из пористого материала, изготавливают шлиф, после чего его поверхность со стороны компактной подложки обрабатывают травителем до момента выявления на ней границ, очерчивающих площади контакта частиц пористого материала с компактным,...
Материал для тонкопленочного омического контакта к кремнию
Номер патента: 13808
Опубликовано: 30.12.2010
Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Колос Светлана Валентиновна, Плебанович Владимир Иванович
МПК: C22C 19/05, H01L 23/48
Метки: омического, кремнию, контакта, материал, тонкопленочного
Текст:
...ванадий 0,5-1,2 алюминий 0,5-1,5 никель остальное. Сущность заявляемого технического решения заключается в обеспечении химического взаимодействия между формируемой пленкой и полупроводниковой подложкой. Полупроводниковая пластина при хранении на воздухе тут же окисляется с образованием оксида кремния толщиной около 2 нм. Эта тонкая пленка химически достаточно инертна и препятствует взаимодействию никеля и кремния для образования...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN
Номер патента: 13804
Опубликовано: 30.12.2010
Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович
МПК: H01L 33/00, H01L 21/02
Метки: омического, способ, контакта, p-gan, изготовления, эпитаксиальному, слою, прозрачного
Текст:
...контактной структуры к - достигается по сравнению с прототипом тем, что при нанесении и последующем удалении дополнительных слоев оксида алюминия происходит преимущественное заполнение пустот (проколов), образовавшихся при росте пленки, диэлектрическим материалом, близкого по свойствам к соединениям нитридов третьей группы элементов, без его постороннего присутствия на плоских (бездефектных) участках поверхности, т.е. осуществляется...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GаN
Номер патента: 13504
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Луценко Евгений Викторович, Шуленков Алексей Серафимович, Данильчик Александр Викторович, Стогний Александр Иванович, Яблонский Геннадий Петрович, Павловский Вячеслав Николаевич, Новицкий Николай Николаевич
МПК: H01L 21/02, H01L 33/00
Метки: контакта, омического, слою, изготовления, способ, эпитаксиальному, p-gan, прозрачного
Текст:
...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...
Способ определения зоны контакта
Номер патента: 9026
Опубликовано: 30.04.2007
Автор: Шилько Сергей Викторович
Метки: контакта, определения, способ, зоны
Текст:
...материал которой состоит из двух фаз 4 и 5, обеспечивая выполнение условий (1)-(3), и проводят повторное нагружение сопряжения. В соответствии с условиями (1) пластическое течение реализуется только в материале прокладки и отсутствует в телах сопряжения, что исключает необратимые изменения геометрии узла трения. В исходном пластически недеформированном состоянии контактная жесткость прокладки меньше контактной жесткости узла трения в...
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN
Номер патента: 8569
Опубликовано: 30.10.2006
Авторы: Луценко Евгений Викторович, Яблонский Геннадий Петрович, Шинеллер Бернд, Стогний Александр Иванович, Шуленков Алексей Серафимович, Хойкен Михаель
МПК: H01L 21/28, H01L 21/283, H01L 33/00...
Метки: изготовления, способ, p-gan, контакта, омического, прозрачного, эпитаксиальному, слою
Текст:
...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...
Контактно-сепарационное устройство для отделения жидкой фазы от газовой после их контакта
Номер патента: 8419
Опубликовано: 30.08.2006
Авторы: Марков Александр Владимирович, Марков Владимир Алексеевич, Перминов Евгений Викторович, Хмылко Людмила Ивановна
МПК: B01D 45/00, B01D 3/00
Метки: жидкой, отделения, контактно-сепарационное, после, устройство, газовой, контакта, фазы
Текст:
...всей боковой поверхности зоны сепарации. Однако, как показали исследования и реализация этого конструктивного решения с целью повышения эффективности разделения и устранения зарастания отверстий не привела к положительному результату. Задача изобретения - повышение эффективности отделения жидкой фазы, содержащей различные примеси твердой фазы от газовой (паровой) фазы, а также капель кристаллизующихся растворов и устранение нежелательного...
Способ определения области контакта
Номер патента: 8053
Опубликовано: 30.04.2006
Автор: Шилько Сергей Викторович
Метки: способ, контакта, области, определения
Текст:
...нагрузки формируется область контакта 3. При сжатии тел с различными механическими свойствами и кривизной поверхности, что характерно для подавляющего большинства сопряжений, имеет место локальное скольжение (проскальзывание) в краевых зонах контакта, как показано на фиг. 1. Проскальзывание происходит непрерывно в процессе сжатия и вызывает изнашивание контактной поверхности образца и контробразца, как показано на фиг. 2. Максимальная...
Способ определения области контакта
Номер патента: 8052
Опубликовано: 30.04.2006
Авторы: Шилько Сергей Викторович, Хиженок Вячеслав Федорович, Семенова Татьяна Владимировна
Метки: контакта, определения, способ, области
Текст:
...указанных задач достигается также тем, что прокладку выполняют в виде волнистой алюминиевой фольги. На фиг. 1 показано размещение прокладки в контакте на фиг. 2 показано локальное уплотнение прокладки при контактном деформировании на фиг. 3 приведены диаграммы вдавливания цилиндрического индентора в контртело из резины (модуль упругости Е 34 МПа) без прокладки (штриховая линия) и с прокладкой из гофрированной алюминиевой фольги (сплошная...