Патенты с меткой «изготовлении»

Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/311

Метки: способ, кремния, микросхем, поликристаллического, пластин, пленкой, реставрации, интегральных, изготовлении

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Способ удаления полимера в контактных окнах при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17503

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: B08B 3/12, H01L 21/02

Метки: микросхем, способ, интегральных, удаления, окнах, контактных, изготовлении, полимера

Текст:

...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...

Композиция для получения твердых планарных источников бора при изготовлении изделий микроэлектроники

Загрузка...

Номер патента: 15733

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/02

Метки: микроэлектроники, бора, изготовлении, твердых, изделий, композиция, получения, источников, планарных

Текст:

...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...

Состав для удаления фоторезиста при изготовлении системы металлизации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов, удаления, состав, металлизации, системы, фоторезиста, изготовлении

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Способ радиационной обработки приборных структур при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: способ, быстродействующих, радиационной, приборов, структур, приборных, обработки, полупроводниковых, изготовлении

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Способ подготовки вторичного волокна при изготовлении целлюлозосодержащего волокнистого материала

Загрузка...

Номер патента: 15335

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Жолнерович Наталья Викторовна, Черная Наталья Викторовна, Чубис Павел Анатольевич, Драпеза Андрей Анатольевич, Костюкевич Андрей Валентинович

МПК: D21C 5/02

Метки: изготовлении, материала, вторичного, способ, волокна, целлюлозосодержащего, волокнистого, подготовки

Текст:

...режим подготовки вторичного волокна (макулатурной массы) направлен на восстановление бумагообразующих свойств волокон и обесцвечивание макулатурных волокон за счет удаления с их поверхности частиц типографской краски и пигментов. Изобретение иллюстрируется следующими примерами его осуществления. Пример 1. Для лабораторных исследований используют вторичное волокно - макулатуру марки МС-7 Б (ГОСТ 10700-97). Подготовку макулатуры...

Устройство для получения негативной модели при изготовлении индивидуальных ортезов стоп

Загрузка...

Номер патента: U 7374

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Свириденок Анатолий Иванович, Шашура Люцина Иосифовна, Лашковский Владимир Владимирович

МПК: A61F 5/14

Метки: модели, ортезов, устройство, негативной, получения, стоп, изготовлении, индивидуальных

Текст:

...из сыпучего формовочного материала, заключенного в эластичную воздухонепроницаемую оболочку при вакуумном упрочении с индивидуальным учетом влияния формы внутренней опорной поверхности конкретной обуви на 2 73742011.06.30 анатомическую коррекцию свода стопы. Недостатком данного технического решения является то, что применение вакуума технически достаточно сложно и недостаточно точно для получения анатомических профилей стоп. Технической...

Способ модифицирования карбонатного наполнителя при изготовлении бумаги для печати

Загрузка...

Номер патента: 13858

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Темрук Владимир Игнатьевич, Пенкин Антон Анатольевич, Соловьева Тамара Владимировна

МПК: D21H 21/00, D21H 17/00

Метки: наполнителя, карбонатного, способ, печати, бумаги, изготовлении, модифицирования

Текст:

...с источником 5, в пределах 8-18 мкм. После проведения процесса модифицирования наполнителя устанавливают ту частоту вращения перемешивающего устройства, которая исключает оседание частиц суспензии модифицированного наполнителя, и осуществляют ее введение в бумажную массу самотеком в количестве, необходимом для достижения требуемого содержания наполнителя в бумаге. Емкости для модифицирования наполнителя 4 работают в поочередном режиме,то...

Способ планаризации микрорельефа при изготовлении интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 13309

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Родин Георгий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/70, H01L 21/02

Метки: схем, способ, микрорельефа, изготовлении, интегральных, планаризации

Текст:

...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...

Композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Мойсейчук Константин Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Бересневич Людмила Брониславовна, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: твердых, изготовлении, получения, бора, схем, полупроводниковых, источников, приборов, интегральных, композиция

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: бора, источников, изготовлении, твердых, полупроводниковых, микросхем, приборов, интегральных, диффузии, способ

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9993

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: заряда, времени, приборов, жизни, носителей, неосновных, способ, изготовлении, полупроводниковых, регулирования, быстродействующих

Текст:

...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...

Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Медведева Анна Борисовна

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: кремниевых, металло-кремнийорганических, изготовлении, микросхем, состав, удаления, остатков, интегральных, полимерных

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Пленкообразующая композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9140

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Мойсейчук Константин Леонидович, Бересневич Людмила Брониславовна, Ануфриев Леонид Петрович, Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/225

Метки: источников, изготовлении, получения, приборов, полупроводниковых, твердых, бора, композиция, пленкообразующая

Текст:

...следующим образом.В качестве растворителя избран н-бутиловый спирт, поскольку в нем легко растворим ТЭОС и образующиеся олигополимеры (продукты неполного гидролиза ТЭОС), а также вода. Кроме того, он менее летуч и обладает большой вязкостью, чем обычно применяемые в пленкообразующих композициях растворители (этиловый спирт).При содержании ТЭОС в композиции менее 25 мас. происходит быстрое осаждение взвешенного оксида бора за счет...

Металлическая проволока с обработанной поверхностью, используемая при изготовлении усиливающих конструкций изделий из эластомерных материалов, способ плакирования поверхности стального сердечника, содержащегося в проволоке (варианты), усиливающая констру

Загрузка...

Номер патента: 5095

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Пьетро КАВАЛЛОТТИ, Федерико ПАВАН

МПК: C25D 5/00, C23C 2/38, B29C 70/00...

Метки: варианты, констру, сердечника, изделий, используемая, плакирования, способ, содержащегося, эластомерных, усиливающих, обработанной, металлическая, поверхности, стального, конструкций, материалов, поверхностью, изготовлении, проволока, усиливающая, проволоке

Текст:

...в концентрации от 80 до 120 г/л сульфат аммония в концентрации от 60 до 90 г/л тиоцианат аммония в концентрации от 40 до 80 г/л. В первой электролитической ванне поддерживают температуру, выбираемую в диапазоне от 20 до 40 С, при значениях рН, лежащих в диапазоне от 4,5 до 5,5, предпочтительно 5,0. К первой электролитической ванне прикладывают катодный ток плотностью от 15 до 25 А/дм 2. Вторая электролитическая ванна содержит гептагидрат...

Способ сварки при изготовлении спирально навиваемой трубы и сварочная головка для выполнения способа

Загрузка...

Номер патента: 2553

Опубликовано: 30.12.1998

Автор: Бломквист Гуннар

МПК: B29C 65/40, B29C 53/56, B29C 65/72...

Метки: сварочная, способа, сварки, спирально, выполнения, головка, трубы, способ, изготовлении, навиваемой

Текст:

...бруска, а также нижнюю сварочную зону с отверстиями для подачи горячего воздуха и отверстиями для подачи сварочной массы для выполнения внутреннего сварного шва. Отверстия для подачи горячего воздуха расположены в плугообразной скошенной передней части верхней и нижней сварочных зон, при этом каждое отверстие для подачи сварочной массы снабжено расточкой для изменения ширины наносимых порций сварочной массы. Воздушные отверстия соединены...