Патенты с меткой «интегральных»

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/311

Метки: поликристаллического, микросхем, кремния, пленкой, пластин, изготовлении, реставрации, интегральных, способ

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Колос Владимир Владимирович, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 21/44, B08B 7/00

Метки: пленки, титана, силицида, способ, формирования, микросхем, интегральных, производства

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Номер патента: 17503

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02, B08B 3/12

Метки: изготовлении, микросхем, способ, полимера, контактных, интегральных, удаления, окнах

Текст:

...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Трусов Виктор Леонидович, Алиева Наталья Васильевна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Емельянов Виктор Андреевич, Хмыль Александр Александрович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 29/94

Метки: микросхем, конденсатор, интегральных

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Дудкин Александр Иванович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, твердых, интегральных, бора, приборов, создании, источников, изготовления, схем, способ, планарных

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Номер патента: 14648

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Ходарина Людмила Петровна, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: H01C 7/00, C22C 28/00

Метки: резистивных, тонкопленочных, интегральных, элементов, микросхем, материал

Текст:

...изобретения заключается в том, что заявляемому материалу для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем, содержащему хром, кобальт и кремний, вышеуказанный технический результат обеспечивается тем, что материал дополнительно содержит лантан при следующем соотношении компонентов,мас.хром - 8-12 кобальт - 5-9 кремний - 55-69 лантан - 18-24. В предлагаемом изобретении приемлемые для изготовления мишеней магнетронных...

Номер патента: 13309

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Родин Георгий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/70

Метки: микрорельефа, интегральных, планаризации, способ, схем, изготовлении

Текст:

...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...

Номер патента: U 5320

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Матвеев Андрей Константинович, Новиков Александр Кузьмич, Матвеев Константин Сергеевич, Голубев Алексей Николаевич, Бровко Сергей Владимирович, Пятов Владислав Владимирович

МПК: C08G 18/00

Метки: отходов, термомеханического, рециклинга, экструдер, полиуретанов, интегральных

Текст:

...состояние. Под действием температуры находящаяся в порах полиуретана влага испаряется и перемещается в сторону наименьшего сопротивления - к загрузочному бункеру. При этом пар проходит через засыпанный в бункер влажный материал и еще больше его увлажняет. Не имея возможности выхода, влага, при превышении определенного предела, начинает перемещаться к выходной фильере, насыщая композиционный материал, находящийся в межвитковом...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Бересневич Людмила Брониславовна, Мойсейчук Константин Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Кузик Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: интегральных, полупроводниковых, приборов, получения, изготовлении, источников, твердых, композиция, схем, бора

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Номер патента: 11322

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Глоба Анастасия Ивановна, Галиева Жаннета Николаевна, Жарская Тамара Александровна, Глоба Иван Иванович, Крутько Эльвира Тихоновна

МПК: C08L 79/00

Метки: композиция, приборов, кристаллов, интегральных, защиты, полупроводниковых, полиимидная, схем

Текст:

...влияние на теплофизические характеристики покрытия, благодаря чему достигается меньшая разница между коэффициентами термического расширения материалов, из которых изготовлены функциональные элементы кристалла, и защитного покрытия, обеспечивая меньшую вероятность повреждения микроэлементов структуры по причине несогласованности этих характеристик. Экспериментально установлено, что эффект снижения усадки защитного покрытия и повышения выхода...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, диффузии, интегральных, микросхем, полупроводниковых, способ, бора, твердых, источников, изготовлении

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Номер патента: 10429

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, способ, планарных, источников, бора, изготовления, создании, приборов, интегральных, твердых, схем

Текст:

...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: планарный, источник, бора, приборов, полупроводниковых, твердый, изготовления, схем, диффузии, интегральных

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: микросхем, удаления, интегральных, изготовлении, полимерных, металло-кремнийорганических, остатков, кремниевых, состав

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Номер патента: 9129

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Карпов Иван Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Малый Игорь Васильевич, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/94, H01L 29/92

Метки: интегральных, конденсатор, микросхем

Текст:

...защиты второго слоя конденсаторного диэлектрика на границе обкладки из легированного поликристаллического кремния, что обеспечивает дополнительную возможность использовать легированный слой поликристаллического кремния в качестве разводки. Кроме того, легированный слой поликристаллического кремния выполнен кристаллитным по толщине, где 2-4. У данного слоя легированного поликристаллического кремния и нижняя, и верхняя поверхности...

Номер патента: 9018

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Войтех Сергей Николаевич, Ануфриев Леонид Петрович, Шильцев Владимир Викторович, Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/94, H01L 29/92

Метки: конденсатор, интегральных, микросхем

Текст:

...и верхняя обкладка конденсатора сформированы из алюминия или его сплавов, а слой легированного поликристаллического кремния выполнен в виде буферного слоя толщиной 0,07-0,35 мкм, нанесенного на слой конденсаторного диэлектрика.Решение поставленной задачи обеспечивается следующим образом. Введение второго сильнолегированного скрытого слоя первого типа проводимости обеспечивает гарантированное разделение областей и уменьшение боковых...

Номер патента: 7756

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28, H01L 21/02, C23C 14/00...

Метки: металлизации, способ, изготовления, системы, интегральных, схем

Текст:

...процесс проводят после УФ-облучения фоторезиста в 0,9 растворе гидрооксида калия, применяемом для проявления фоторезиста. При этом по окончании удаления фоторезиста происходит контакт поверхности полиимидной пленки с раствором щелочи и протекает первая стадия гидролиза. Химическая реакция взаимодействия гидрооксида калия и полиимида представлена ниже Наличие на поверхности полиимидной пленки солей полиамидокислоты отрицательно...

Номер патента: 6943

Опубликовано: 30.03.2005

Авторы: Лыньков Леонид Михайлович, Болдышева Ирина Петровна, Прудник Александр Михайлович

МПК: H01L 21/76

Метки: изготовления, микросхем, межкомпонентной, изоляции, способ, интегральных

Текст:

...степень интеграции компонентов ИМС.Так, с разрешающей способностью литографии 3,6 мкм по цирконию, после операции гидрирования металла, толщиной 1 мкм зазор получается равным 1 мкм, что дает вь 1 игрь 1 ш 3 мкм на каждой разделительной канавке.Способ позволяет повысить степень интеграции компонентов интегральных схем, а также существенно снизить температуру обработки металла.На фиг. 1 (а-е) изображены отдельные этапы технологического процесса...

Номер патента: 6430

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/26, H01L 21/268

Метки: схем, способ, кремниевых, интегральных, мдп, изготовления

Текст:

...чем клтр кремния, то в пленке нитрида кремния на границе с оксидом возникают еще большие механические напряжения, чем в кремнии. По этой причине основная часть загрязняющей примеси из кремния и оксида кремния переходит в нитрид кремния, который затем удаляется. Этот переход происходит при термообработке, каковой является операция локального окисления кремния. Таким образом, нитрид кремния является своеобразным встроенным геттером для...

Номер патента: 6429

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/76, H01L 21/316

Метки: схем, изготовления, изоляции, межкомпонентной, способ, кмдп, интегральных

Текст:

...счет снижения дефектности подложки в области изолирующего перехода и уровней механических напряжений в ней. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающем формирование областей карманов в кремниевой подложке, нанесение нитридной маски, подлегирование подложки с активизацией примеси путем термообработки в атмосфере инертного газа для получения - охранных областей,...

Номер патента: 3700

Опубликовано: 30.12.2000

Авторы: Бордодынов Александр Петрович, Юшкевич Геннадий Иосифович

МПК: H01L 21/308

Метки: полупроводниковых, интегральных, схем, изготовления, способ

Текст:

...слое вне областей вскрытия окон в защитном проводящем и изолирующем слоях. Таким образом, второй проводящий слой формируется не только на защитном проводящем слое и на полупроводниковом слое (во вскрытых контактных окнах), а и на тонком изолирующем слое во вскрытых во время дополнительной фотолитографии окнах. Введение дополнительной операции позволит обеспечить гарантированно надежное соединение элементов металлической разводки с...

Номер патента: 2823

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Чигирь Григорий Григорьевич, Емельянов Виктор Андреевич, Пилипенко Владимир Александрович, Пономарь Владимир Николаевич

МПК: H01L 21/324

Метки: приборов, металлизации, интегральных, создания, схем, способ, полупроводниковых

Текст:

...поверхности плнок алюминия после таких термообработок является практически отсутствие бугров и плнки остаются стабильными по структуре при проведении последующих операций фотолитографии высота бугров на плнках алюминия, измеренная на растровом электронном микроскопе после термообработки в предлагаемых режимах, проведения операций плазмохимического травления алюминия и удаление фоторезистора не превышает 0,10-0,15 мкм высота бугров на...

Номер патента: 2639

Опубликовано: 30.03.1999

Авторы: Цыбулько Игорь Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Смаль Игорь Вацлавович, Довнар Николай Александрович, Красницкий Василий Яковлевич

МПК: H01L 27/10, H01L 29/92

Метки: накопительный, конденсатор, схем, элемента, памяти, интегральных

Текст:

...3, разделительную область 4 из диэлектрического материала повторяющую рельеф первой обкладки, вторую обкладку 5 из легированного поликремния, нижняя поверхность которой повторяет рельеф первой. Работа накопительного конденсатора идентична работе типового однотранзисторного элемента памяти динамического запоминающего устройства. В техническом решении по изобретению получается канавка с несколькими проводящими перегородками, что позволяет не...

Номер патента: 2336

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Чаусов Виктор Николаевич, Сасновский Владимир Арестархович, Гайдук Сергей Иванович, Балбуцкий Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/265

Метки: изготовления, способ, горизонтальных, р-п-р, схем, транзисторов, интегральных

Текст:

...и пленки двуокиси кремния СУМР ной толщиойсО 3 мкм. Методом ФОТОлитографии и травления пленки и слоя двуокиси кремния вскрыаются контактные отверстия к областям итеГР 8 ПЬ Ной схемы. Методом фотолитографии формируютфотореэнстнвную маску С Отверстием над областью контакта К КОЛ лектору прптранэистора. СЛУЖЗЩЕГО одновременно контактом к базовой Об 50ппантацией ионов фосфора с ЗНЕРГНЭЙ 30 кэВ и поверхностной концентрациейконтакта области базы...

Номер патента: 240

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Михайлова Л. Н., Дударчик А. И., Попов Ю. П., Мозалев А. М., Ерема В. В., Захарчук А. С., Лабунов В. А., Сурганов В. Ф.

МПК: H01L 21/28

Метки: изготовления, интегральных, металлизации, способ, микросхем

Текст:

...масок из 130 НМ И 160 НМ ПРИ ПОМОЩИ Ф 0 Т 0 ЛИТ 0вспомогательной пленки ВМ и недопус- графин ФОПМИРОБЭЛИ МЗСКУ ИЗ Фоторетимое возрастание непланарности ме ЗИСТЭ На Участках контактных окон и таллизации Нижняя граница диапазона Га 3 хМЧеСК Удаляли ОТКРЫТЫЕ к предотвращает при плотном аноди 10 участки защитной пленки ВН. После ровании сквозное электрохимическое снятия ФОТОРЕЗИСТЭ ПРОБОДИПИ-СКВОЗНОВ прокисление защитной пленки ВМ. При...