Патенты с меткой «интегральной»
Способ герметизации корпуса интегральной схемы
Номер патента: 18641
Опубликовано: 30.10.2014
Авторы: Зубович Анатолий Николаевич, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Довженко Александр Алексеевич, Керенцев Анатолий Федорович
МПК: H01L 21/56, H01L 31/0203
Метки: герметизации, корпуса, способ, схемы, интегральной
Текст:
...средой, а инертную среду в скафандре поддерживают с избыточным давлением не менее 0,2 кПа и точкой росы не выше 30 С. Благодаря ИК-нагреву в вакууме с остаточным давлением менее 60 кПа отмечается эффективное удаление влаги из основания корпуса с прихваченной крышкой. Увеличение остаточного давления инертного газа более 60 кПа приводит к снижению эффективности удаления влаги. Проведение ИК-нагрева в вакууме при температуре менее 110 С и времени...
Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы
Номер патента: 18136
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Малый Игорь Васильевич, Ефименко Сергей Афанасьевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Солодуха Виталий Александрович, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/77, H01L 27/04
Метки: микросхемы, изготовления, интегральной, кремниевой, способ
Текст:
...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...
Способ изготовления высокоомного полупроводникового резистора КМОП интегральной схемы
Номер патента: 16100
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Сорока Сергей Александрович, Лукашова Надежда Васильевна, Лемешевская Алла Михайловна, Сякерский Валентин Степанович
МПК: H01C 1/00, H01C 7/00, H01L 21/8238...
Метки: схемы, резистора, изготовления, высокоомного, полупроводникового, способ, кмоп, интегральной
Текст:
...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...
Металлизация интегральной схемы
Номер патента: 14851
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Шильцев Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 21/28, H01L 21/02, H01L 23/48...
Метки: металлизация, схемы, интегральной
Текст:
...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....
Способ оценки интегральной токсичности твердого или жидкого объекта окружающей среды
Номер патента: 13064
Опубликовано: 30.04.2010
Авторы: Соколов Сергей Михайлович, Мельникова Людмила Александровна, Котеленец Антонина Ивановна, Дудчик Наталья Владимировна
МПК: C12Q 1/02
Метки: оценки, среды, жидкого, способ, твердого, окружающей, токсичности, интегральной, объекта, или
Текст:
...тест-штаммБИМ В-6 в жидкой питательной среде, содержащей образец исследуемого объекта, и в жидкой питательной среде, не содержащей образец исследуемого объекта, с регистрацией импедиметрически времени детекции роста тест-штамма, рассчитывают показатель интегральной токсичности объектапо формуле 2,1 где 1 - время детекции роста тест-штамма в среде, не содержащей образец исследуемого объекта, час 2 - время детекции роста тест-штамма...
Интегральный тонкопленочный резистор кремниевой интегральной микросхемы
Номер патента: 11811
Опубликовано: 30.04.2009
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Баранов Валентин Владимирович, Сякерский Валентин Степанович
МПК: H01L 49/02, H01L 29/00
Метки: интегральный, тонкопленочный, резистор, интегральной, кремниевой, микросхемы
Текст:
...сплава с низкотемпературным оксидом кремния. Формирование между резистивным слоем и межуровневым слоем диэлектрика слоя пентаоксида тантала толщиной 0,07-0,40 мкм, площадью, по меньшей мере,равной занимаемой резистивной пленкой, позволяет исключить взаимодействие резистивной пленки с материалом подложки и тем самым повысить надежность и стабильность параметров ИТР при термических воздействиях. При толщине слоя пентаоксида тантала менее...
Способ изготовления резистивно-коммутационной тонкопленочной интегральной микросхемы
Номер патента: 6613
Опубликовано: 30.12.2004
Авторы: Воробьева Алла Ильинична, Сокол Виталий Александрович, Уткина Елена Апполинарьевна
МПК: H01L 49/02
Метки: микросхемы, способ, резистивно-коммутационной, интегральной, тонкопленочной, изготовления
Текст:
...в слое. Затем формируют дорожки межсоединений последующих уровней металлизации повторением операций осаждения пленки А, маскирования и анодного оксидирования. Это дает возможность получения резисторов с широким диапазоном номиналов от(1050)Ом до 100 Мом и ТКС (10-4104). Так как тонкопленочные резисторы изготавливаются на планарной поверхности подложки, они имеют высокую точность номиналов из-за значительного упрощения технологического...
Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от статического электричества
Номер патента: 4988
Опубликовано: 30.03.2003
Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Пономарь Владимир Николаевич, Шведов Сергей Васильевич, Емельянов Виктор Андреевич, Силин Анатолий Васильевич, Усов Геннадий Иванович
МПК: H01L 29/06
Метки: электричества, схемы, интегральной, моп, защиты, элемент, статического, выходного, транзистора
Текст:
...к области коллектора. Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от воздействия статического электричества содержит биполярный транзистор 1, совмещенный с выходным МОП транзистором, и они выполнены в виде симметричной структуры. Структура элемента защиты содержит области эмиттера 2, коллектора 3 (совмещен со стоком), базового контакта 4. Область истока 5 расположена в центре структуры и ограничена с двух сторон областью...
Устройство защиты интегральной схемы
Номер патента: 1039
Опубликовано: 19.04.1995
Автор: Белоус Анатолий Иванович
МПК: H03K 17/08, H03K 17/60
Метки: устройство, интегральной, защиты, схемы
Текст: