Патенты с меткой «интегральная»

Номер патента: 15363

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Белоус Виктор Анатольевич, Листопадов Андрей Викторович, Дрозд Сергей Евгеньевич, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H03K 19/0948

Метки: микросхема, интегральная

Текст:

...-типа и рабочими областями транзисторов логических блоков, обусловленной кратковременным несанкционированным повышением (всплеском) основного питающего напряженияили подачей высокого напряженияв процессе перезаписи информации в ячейки , расположенные на этом же кристалле микросхемы. На фиг. 1 представлена электрическая схема устройства выбора одного из двух возможных режимов работы микросхемы динамической памяти. На фиг. 2 представлена...

Номер патента: U 7262

Опубликовано: 30.04.2011

Автор: Блынский Виктор Иванович

МПК: H01L 21/00

Метки: схема, интегральная, фоточувствительная

Текст:

...случае расстояние от фоточувствительной поверхности фотоприемника до легированной золотом области должно равняться этой величине. На большей глубине поглощается в основном ИК-излучение. Вследствие большого коэффициента диффузии золота, легированная золотом область не имеет четкой границы. Поэтому при ширине легированной золотом области, большей ширины фотоприемника в случае, если легированная золотом область примыкает к переходу...

Номер патента: 8810

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Володкевич Александр Антонович, Дворников Олег Владимирович, Муравьев Борис Дмитриевич

МПК: G01R 19/03, H01L 21/82

Метки: схема, интегральная, термочувствительная

Текст:

...кристалла, например, при помощи металлизированных межсоединений. В каждом кристалле сформирован биполярный транзистор 4, нагревательный резистивный элемент 5. Транзистор имеет Центрально расположенный коллекторный контакт 6, эмиттерные 7 и базовые 8 области. Эмиттерные области расположены по периферии транзистора максимально близко к нагревательному элементу симметрично относительно двух взаимно перпендикулярных осей УУ, 22. Эмиттерные,...

Номер патента: 8441

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович, Гончаренко Игорь Андреевич, Пилипович Владимир Антонович

МПК: G02B 6/34, G02F 1/29, G02B 6/28...

Метки: матрица, коммутационная, интегральная

Текст:

...шинами через 2-1 оптически последовательно связанных каскадов элементов связи, а первая и последняя 2-ая входные оптические шины соединены соответственно с первым входом первого и вторым входом последнего эле 2 8441 1 2006.08.30 мента связи первого каскада, соответствующие выходы которых непосредственно соединены с первым входом первого и вторым входом последнего элемента связи в последнем 2-1 каскаде, выходы которых соединены с...

Номер патента: 2817

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Пономарь Владимир Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Силин Анатолий Васильевич, Белоус Анатолий Иванович, Кавриго Николай Федорович

МПК: H01L 23/053

Метки: интегральная, схема

Текст:

...Коэффициент теплового расширения материала прокладки 7 превышает коэффициент теплового расширения кристалла 3 не более, чем на 20 . Прокладка 7 (фиг. 2) выполнена в форме прямоугольной пластины, и содержит сквозные отверстия 8 переменного сечения, расположенные большим сечением в сторону основания 1, центры которых отстоят друг от друга на расстоянии а (фиг. 2) вдоль сторон прокладки, где а 1,0-1,2 мм,2 диаметр большего сечения отверстия 8...

Номер патента: 2092

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Силин Анатолий Васильевич, Горовой Владимир Владимирович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 27/08

Метки: интегральная, схема

Текст:

...аналогично известному решению резистором 4 и уменьшается до значения 7Чае - прямое падение напряжения перехода база-эмиттер транзистора 1.Таки образом, при подаче на управляющий вход 3 генератора 2 тока высокого уровня сигнала на его выходе 7 появляется имульс тока повышенной величинывтехающий в базы переклчатепьиого транзистора 1 и обеспе чиваюци его форсированое отпираниеи уменьшение времени задержки вклш-2 чения. При подаче на вход 3...

Номер патента: 1037

Опубликовано: 14.03.1996

Авторы: Силин А. В., Чернуха Б. М., Белоус А. И.

МПК: H01L 27/04

Метки: схема, интегральная

Текст:

...первой области 8 второго типа проводимости, она является коллектором, собирающим носители при инжекции первой области 9 второго типа проводимости,исключающим ее взаимодействие с другими областями второго типа проводимости В схеме.Поскольку на первую область 8 второго типа проводимости в рабочем режиме интегральной схемы подается положительное напряжение, а второй скрытый слой 11 второго типа проводимости заземлен, между ними возникает канал...