Патенты с меткой «диодной»

Номер патента: U 8891

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Скопцов Николай Александрович, Гапоненко Максим Сергеевич, Юмашев Константин Владимирович, Маляревич Александр Михайлович

МПК: H01S 3/16

Метки: лазер, твердотельный, диодной, эрбиевый, накачкой

Текст:

...затвор (224) являются двумя различными оптическими элементами, что усложняет конструкцию лазера. Задача, на решение которой направлено предлагаемое устройство, заключается в упрощении конструкции. Поставленная задача решается тем, что в твердотельном эрбиевом лазере с диодной накачкой, содержащем лазерный диод накачки с волоконным выходом и последовательно установленные за выходным торцом волокна объектив, обеспечивающий фокусировку...

Номер патента: U 8850

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Рябцев Геннадий Иванович, Кабанов Владимир Викторович, Костик Олег Евстафьевич, Григорьев Александр Викторович, Машко Василий Вячеславович, Тепляшин Леонид Леонидович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Богданович Максим Владимирович, Щемелев Максим Анатольевич, Лебедок Егор Викторович, Рябцев Андрей Геннадьевич

МПК: H01S 3/08

Метки: моноимпульсный, nd:yag, поперечной, диодной, лазер, накачкой

Текст:

...полезной модели является созданиелазера с поперечной диодной накачкой, обеспечивающего эффективную генерацию моноимпульсного излучения путем ухудшения условий для формирования излучения суперлюминесценции и паразитной генерации в направлении, перпендикулярном оси резонатора. 2 88502012.12.30 Поставленная техническая задача решается тем, что в моноимпульсномлазере с поперечной диодной накачкой, включающем твердотельный активный элемент,...

Номер патента: 16389

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Костик Олег Евстафьевич, Машко Василий Вячеславович, Тепляшин Леонид Леонидович

МПК: H01S 3/137

Метки: стабилизации, частоты, диодной, генерации, лазера, способ, накачкой, твердотельного

Текст:

...лазера осуществляют путем изменения частоты сравнения генератора стандартных сигналов. Сущность предлагаемого изобретения поясняется чертежами, где на фиг. 1 показаны частотные зависимости рассчитанных поправок на фиг. 2 - схема лазера на фиг. 3 - зависимость межчастотного интервала от длины резонатора лазера (частоты генерации). Предлагаемый способ стабилизации частоты твердотельного лазера с диодной накачкой основывается на эффекте...

Номер патента: U 8457

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Кабанов Владимир Викторович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Щемелев Максим Анатольевич, Богданович Максим Владимирович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Рябцев Геннадий Иванович, Костик Олег Евстафьевич, Лебедок Егор Викторович, Тепляшин Леонид Леонидович, Григорьев Александр Викторович

МПК: H01S 3/091

Метки: двухсторонней, диодной, накачкой, лазер, поперечной

Текст:

...двумя зеркалами, одно из которых полностью, а второе частично отражает лазерное излучение, и устройство диодной накачки в виде лазерных диодных линеек, снабженных оптическими конденсорами и расположенных на охлаждающих элементах, применены лазерные диодные линейки с линейно поляризованным излучением с направлением поляризации вдоль их активного слоя, расположенные относительно твердотельного активного элемента так, чтобы...

Номер патента: U 8226

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Тепляшин Леонид Леонидович, Щемелев Максим Анатольевич, Безъязычная Татьяна Владимировна, Лебедок Егор Викторович, Рябцев Геннадий Иванович, Богданович Максим Владимирович, Кабанов Владимир Викторович, Григорьев Александр Викторович, Рябцев Андрей Геннадьевич

МПК: H01S 3/08

Метки: лазер, накачкой, твердотельный, диодной

Текст:

...лазера с диодной накачкой, обладающего повышенной стабильностью энергии излучения в условиях возможных разъюстировок концевых элементов резонатора и позволяющего производить визуальный контроль юстировки его резонатора с помощью излучения юстировочного лазера с целью упростить и, как следствие, удешевить серийное производство таких лазеров. Поставленная техническая задача решается тем, что в твердотельном лазере с диодной накачкой,...

Номер патента: U 7230

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Васильева Ирина Владимировна, Кулешов Николай Васильевич, Батюшков Валентин Вениаминович, Тареев Анатолий Михайлович, Кисель Виктор Эдвардович, Курильчик Сергей Владимирович, Немененок Александр Иванович, Векшин Сергей Константинович

МПК: H01S 3/16

Метки: лазер, диодной, накачкой, твердотельный, миниатюрный

Текст:

...генерации. Лазер отличается от прототипа тем, что объектив выполнен в виде одиночной короткофокусной линзы. Активный элемент установлен с поперечным смещением относительно оптической оси объектива и возможностью вращения вокруг собственной оси. 72302011.04.30 На плоских торцах активного элемента расположены кольцеобразные прокладки из теплопроводящего эластичного материала. Активный элемент выполнен из кристалла алюмо-иттриевого граната,...

Номер патента: U 6445

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Рябцев Андрей Геннадьевич, Кабанов Владимир Викторович, Щемелев Максим Анатольевич, Безъязычная Татьяна Владимировна, Микаелян Геворк Татевосович, Григорьев Александр Викторович, Паращук Валентин Владимирович, Рябцев Геннадий Иванович, Соколов Сергей Николаевич, Богданович Максим Владимирович, Тепляшин Леонид Леонидович

МПК: H01S 3/08

Метки: поперечной, диодной, накачкой, лазер

Текст:

...накачкой включает твердотельный активный элемент, помещенный в резонатор, образованный двумя зеркалами, одно из которых полностью, а второе частично отражает лазерное излучение, и устройство диодной накачки в виде лазерных диодных линеек. Твердотельный активный элемент лазера выполнен в форме параллелепипеда, четыре боковые поверхности которого расположены под углом 90 друг к другу. Две другие торцевые противоположные поверхности расположены...

Номер патента: 12719

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Пожидаев Александр Викторович, Жиздюк Татьяна Борисовна, Енжиевский Алексей Иванович, Паращук Валентин Владимирович, Соколов Сергей Николаевич, Рябцев Геннадий Иванович, Микаелян Геворк Татевосович, Богданович Максим Владимирович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Щемелев Максим Анатольевич, Рябцев Андрей Геннадьевич

МПК: H01S 3/00, H01L 21/02

Метки: линейки, лазера, активного, диодной, выполненного, лазерного, способ, соединения, диодного, или, контактного, элемента, виде, получения, диода

Текст:

...из соответствующего условия. При этом равномерность и избирательность нанесения слоя припоя под элементом достигается как за счет локально сформированной полоски золота, например путем напыления, так и вследствие капиллярности распространения припоя под припаиваемым элементом. Недостаток данного метода заключается в том, что для фиксации устанавливаемого элемента и, следовательно, повышения точности позиционирования требуется применение...

Номер патента: U 5508

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Богданович Максим Владимирович, Пожидаев Александр Викторович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Рябцев Геннадий Иванович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Кабанов Владимир Викторович, Щемелев Максим Анатольевич, Красковский Андрей Сергеевич, Жуков Олег Николаевич

МПК: H01S 3/10, H01S 3/11

Метки: диодной, накачкой, лазер

Текст:

...расположенное на расстоянии, достаточном для фиксации одиночного лазерного импульса, источник питания модулей диодной накачки и блок управления, через который фотоприемное устройство подключено к источнику питания модулей диодной накачки. Материал, из которого изготовлен твердотельный активный элемент лазера с диодной накачкой, относится к классу кристаллов, стекол, керамических и стеклокристаллических материалов. В качестве активатора...

Номер патента: U 4745

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Енжиевский Алексей Иванович, Тепляшин Леонид Леонидович, Красковский Андрей Сергеевич, Паращук Валентин Владимирович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Богданович Максим Владимирович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Рябцев Геннадий Иванович, Пожидаев Александр Викторович, Титовец Сергей Николаевич, Щемелев Максим Анатольевич

МПК: H01S 3/08

Метки: диодной, накачкой, слэб-лазер

Текст:

...двумя зеркалами, и устройства диодной накачки в виде лазерных диодных линеек. Радиус цилиндрической поверхности активного элемента, расстояние от лазерных диодных линеек до активного элемента и геометрические размеры активного элемента выбраны так, что все излучение лазерных диодных линеек попадает в активный элемент, полностью заполняя его боковые цилиндрические поверхности, которые коллимируют излучение лазерных диодных линеек в...