Патенты с меткой «диод»

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18438

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Блынский Виктор Иванович, Чиж Александр Леонидович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Малышев Сергей Александрович

МПК: H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...с одинаковым шагом, образующие с подложкой омический контакт, причем упомянутые локальные области выполнены с шириной в области эпитаксиального слоя, большей 2 мкм, и высотой, большей 0,1 толщины эпитаксиального слоя, но меньшей глубины залегания перехода охранного кольца. Барьерный электрод может быть сформирован в выемке глубиной от 0,1 до 0,3 мкм,выполненной в эпитаксиальном слое, что позволит улучшить чистоту границы раздела...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18137

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...РСЭ проходит через металлизацию анода и рассеивается через охранное кольцо и локальные области -типа проводимости. Наличие локальных областей -типа проводимости обуславливает дополнительные пути рассеивания импульса РСЭ и позволяет повысить устойчивость диода Шоттки к воздействию РСЭ. Увеличение выхода годных достигается благодаря выбору оптимальной концентрации областей -типа проводимости за счет снижения сопротивления и выравнивания...

Детекторный диод с балочными выводами

Загрузка...

Номер патента: U 9936

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович

МПК: H01L 29/86

Метки: детекторный, балочными, выводами, диод

Текст:

...с окном в центре над всей областью диода, а крайние части эластичного диэлектрика выполнены в виде периодических решеток, вокруг отверстий которых расположены прямоугольные разомкнутые микрорезонаторы, прямоугольные разомкнутые микрорезонаторы соединены между собой металлическими проводниками с образованием дополнительных вариантов резонансных комбинаций микрорезонаторов, а геометрические размеры сечений металлических проводников и...

Детекторный диод с балочными выводами

Загрузка...

Номер патента: U 9332

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 29/86

Метки: диод, детекторный, балочными, выводами

Текст:

...счет уменьшения потерь на отражение. Поставленная техническая задача решается тем, что детекторный диод с балочными выводами, содержащий последовательно расположенные друг над другом подложку, -слой, -слой и слой диэлектрика, катодный контакт к-слою, анодный контакт к слою, балочные выводы к контактам и слой эластичного диэлектрика, расположенный на катодном и анодном балочных выводах, имеющий в центре над всей областью диода окно,а крайние...

Высоковольтный быстродействующий диод

Загрузка...

Номер патента: 16468

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Сарычев Олег Эрнстович, Пуцята Владимир Михайлович, Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: быстродействующий, диод, высоковольтный

Текст:

...функцию резистивной полевой обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии наблюдаются существенные внутренние механические напряжения, которые могут привести...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 16184

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Голубев Николай Федорович, Чиж Александр Леонидович, Малышев Сергей Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Василевский Юрий Георгиевич, Блынский Виктор Иванович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...электрических импульсов за счет того, что выделение тепла в точках локального пробоя (приводящее к необратимым изменениям в полупроводнике и выходу из строя диода Шоттки или ухудшению его параметров) происходит одновременно во многих точках ОПЗ, распределенных по его объему, что уменьшает их локальный перегрев и обуславливает лучшие условия теплоотвода. Сущность изобретения поясняется на фигуре, где 1 - полупроводниковая подложка 2 -...

Детекторный диод с балочными выводами

Загрузка...

Номер патента: U 8037

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович, Кравченко Владимир Михайлович

МПК: H01L 29/86

Метки: диод, выводами, балочными, детекторный

Текст:

...контакт к -слою, анодный контакт к -слою,балочные выводы к контактам и слой эластичного диэлектрика, расположенный над катодным и анодным балочными выводами, имеющий в центре над всей областью диода окно,перпендикулярно к балочным выводам в противоположных направлениях сформированы нерегулярные полосковые линии, на которых расположены крайние части слоя эластичного диэлектрика, выполненные в виде периодических решеток с изменяющимся...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 15400

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Высоцкий Виктор Борисович, Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...поликристаллического кремния (ППК) в составе защитного диэлектрического покрытия выполняет функцию резистивной обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 15214

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Текст:

...электрическим пробоем, улучшить качество наносимых слоев и контактные свойства силицидов. Первый барьерный слой содержит 10-30 мас.платины, что в 3-9 раз меньше, чем у наиболее близкого технического решения. Кроме того, слой наносится в одном процессе напыления. Указанные факторы позволяют снизить расход платины, сократить технологический цикл, повысить экономические показатели изготовления диодов Шоттки и их конкурентоспособность на рынке...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14848

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Голубев Николай Федорович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...кольца будет сравнительно большим, что не позволит заметно улучшить устойчивость диода Шоттки к воздействию статического электричества. Превышение произведения ширины охранного кольца на глубину его залегания более 80 мкм 2 не приводит к дальнейшим улучшениям, что экономически нецелесообразно. При отношении глубины охранного кольца к толщине эпитаксиального слоя в диапазоне от 0,16 до 0,32 обеспечивается равномерное протекание ударного...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 10252

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Карпов Иван Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 29/66, H01L 29/00

Метки: диод, шоттки

Текст:

...счет уменьшения механических напряжений в первом барьерном слое, величина которых может превышать 1 ГПа. Никель также блокирует диффузию кислорода в силицид платины и обеспечивает формирование платиносодержащего первого барьерного слоя диода Шоттки с однородными свойствами, что, в свою очередь, приводит к снижению обратных токов, улучшению качества диодов Шоттки и повышению выхода годных. Кроме того, никель снижает высоту барьера барьерного...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 8380

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Тарасиков Михаил Васильевич

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...раскислять естественный 2 с образованием проводящих оксидов рения, стабилизирующих границу раздела. Кроме того, сплав - обладает по сравнению сболее высокой прочностью при сохранении относительно высокой пластичности 5. 3 8380 1 2006.08.30 Слой титана в многослойном электроде толщиной 0,07-0,15 мкм является адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминийкремний, во-вторых структура / устойчива к...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 7113

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Баранов Валентин Владимирович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...процессе сборки диффундируют преимущественно в виде ионов и поэтому они оказываются связанными зарядовыми ловушками, расположенными на границе раздела диэлектрических слоев 51 О 2/Та 2 О 5. По этой причине их присутствие в обедненном слое контакта Шоттки практически исключается и дестабилизирующего действия примесей во время работы прибора не происходит.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором представлен поперечный разрез диода...