Патенты с меткой «cu(inxzn1-x)(seys1-у)2»

Номер патента: 11399

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Залесский Валерий Борисович, Иванов Василий Алексеевич

МПК: H01L 31/18

Метки: способ, тонкой, пленки, получения, соединения, cu(inxzn1-x)(seys1-у)2

Текст:

...методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементов базового слоя халькогениды цинка и пленки металлов (С, ) - с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжиг полученной структуры в парах селена и серы (селенизация-сульфидизация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре 250 С происходит...