Прессованная мишень из спеченных оксидов для распыления и способ ее получения

Настоящее изобретение относится к прессованной мишени из спеченных оксидов, которая может быть использована для распыления И включает индий (ТЫ), галлий (Са), цинк (2 п),кислород (О) И неизбежные примеси (обычно называемой Т 62 О при необходимости в последующих разъяснениях будут присутствовать ссылки на термин 162 О), а также к способу ее получения.Обычно тонкопленочный транзистор, известный как ТЕТ,представляет собой устройство с тремя терминалами, включающее терминал затвора, терминал истока и терминал стока. В таком устройстве полупроводниковую тонкую пленку, сформированную на подложке, используют как канальный слой, в котором движутся электроны или электронные дырки, прикладывая напряжение к терминалу затвора для регулирования тока, протекающего в канальном слое, тем самым обеспечивая возможность управления током, протекающим между терминалом истока и терминалом стока. Устройство, наиболее широко распространенное в последнее время,представляет собой устройство, в котором в качестве канальногоСЛОЯ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ПОЛИКрИСТЗЛЛИЧЕСКЭЯ кремниевая пленка ИЛИаморфная кремниевая пленка. Тем не менее, поскольку материал из кремниевой группы(поликристаллический кремний или аморфный кремний) поглощаетсвет в диапазоне видимого света, существует вероятность того,что нормальная работа тонкопленочного транзистора будет нарушена изза несущей, возникающей в результате оптического падения. Несмотря на то, что в качестве профилактики предусмотрено формирование светозащитного слоя из металла или т.п., существует вероятность того, что апертурное соотношение снизится. Для поддержания яркости экрана также необходима более сильная яркость подсветки, что приводит к повышенному потреблениюБолее того, даже при осаждении аморфного кремния, который,как известно, получают при более низкой температуре, чем поликристаллический кремний, при получении вышеупомянутыхиспользовании такой температуры, поскольку отсутствует возможность использования в качестве основного материала недорогой, легкой и гибкой полимерной пленки, возникает проблема, заключающаяся в том, что диапазон вариантов материала для подложки является ограниченным. Кроме того, имеются недостатки с точки зрения производительности, поскольку процесс изготовления устройств при высоких температурах требует больших затрат на энергию и много времени на процесс нагревания.В свете вышесказанного, в последнее время производится разработка тонкопленочного транзистора с использованием прозрачного оксидного полупроводника вместо кремниевогоматериала. Таким ТИПИЧНЫМ материалом ЯВЛЯЭТСЯ материал ИЗ группы1 п 6 а 2 пО (1620). Появились предложения использовать такойматериал в полевом транзисторе, поскольку существует возможность получения аморфного оксида, в котором концентрация электронного носителя составляет менее 10/смз (см. Патентный документ 1).Кроме того, поступали различные предложения по использованию оксида этой системы в полевом транзисторе (см. Патентный документ 2, Патентный документ 3, Патентный документ 4,Патентный документ 5, Патентный документ 6, Патентный документ 7, Патентный документ 8 и Патентный документ 9).Несмотря на то, что в Патентном документе 1 утверждается,что способ распыления является оптимальным для осаждения аморфного оксида, примеры 1-12 Патентного документа 1 иллюстрируют только случаи осаждения на основе способаимпульсного лазерного осаждения (способ РЬВ) и только одинслучай иллюстрирует высокочастотное распыление. Подобным образом, в Патентных Документах 2-9 описаны только характеристики полевого транзистора либо осуществлениереактивного эпитаксиального способа или способа импульсного лазерного осаждения в качестве способа осаждения, и ни в одном из упомянутых патентных документов не описано в качестве способа распыления распыление при постоянном токе (ПС) с высокой скоростью осаждения.Способ распыления при постоянном токе (ОС) требует использования МИШЭНИ, ОДНЭКО ИЗГОТОВЛЭНИЭ ОКСИДНОЙ МИШЭНИ ИЗ группы 1 п 6 а 2 пО (1620) является затруднительным.многокомпонентными, ПОЭТОМУ использование ОКСИДНОЙ МИШЭНИ ИЗгруппы 1 п 6 а 2 пО (1620) влечет за собой многочисленныеСОСТОЯНИЕ порошка, ПОСКОЛЬКУ ЕГО ПОЛУЧаЮТ ПОСрЕДСТВОМ СМЕШИВЭНИЯспекания, ПрОВОДИМОСТЬ МОЖЕТ ТЕРЯТЬСЯ В ЗЭВИСИМОСТИ ОТ УСЛОВИЙ СПЕКЭНИЯ Исостава КОМПОНЕНТОВ, а ТЭКЖЕ ВО ВРЕМЯ процесса РЭСПЫЛЕНИЯ МОГУТизобретение, относящееся к ингибированию образования включений ианомального разряда во время процесса изобретение представляет собой изобретений.