Стекло для стеклокристаллического цемента

БЕЛАУСЬ ПАТЕНТ Не 3131 1 ЪЦЕ-уд дддмдддзГОСЫДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИн авторскому свидетельству , А Е А П А 21) 3768695/29-33 Ы 10, о т л И ч а ю щ е е с я тем,(22) 12.07.84 г ЧТО С ЦЕЛЬЮ УЛУЧШЕНИЯ диэлектричес(71) БЭПОРУССКИЙ Т 9 хН 0 Л 0 ГИЧЕСКНЙИНС кии характеристик покрытий при изоляч ТИТУТ Ие С-М-КИРОВЗ цни медным проводников, оно содержт Н.М.БОБКОВЗ, Г.Е.РЗЧКОВСКЗЯ указанные компаненты в следующем со(56) Авторское свндетельтво СССР А 11 оэ. - 4562 н 948921, кл. с оз с 3/22, 1932. 13103 356 Авторское свидетельство СССР вас) 2535-23 не 1271558, кл. сооз-с 10/06, А - - ипо 1235 в 25ЧЕСКОГО ПШМЕНТАд включающее 510 компонент А 11 Од В,0, ВаО 2 пО, по крайней ме из группы ре один компонент из группы С 0 дСоО сап, сдоц 1 о 155,0Изобретение относится к технологин стекла и предназначено для создания электроизоляционных стеклокристаплических покрытий по керамике в производстве интегральныхсхембез драгметаллов.Целью изобретения является улучшение диэлектрических характеристик покрытий при изоляции медным провод 5варку стекол осуществляют в газо 3 твой пламеннояггхтечцдтрн 1 д 60 с.15 песок кварцевый, глинозем, борную кислоту, барий углекислый, оксид цинка, оксид кобальта, оксид кадмия,оксид никеля. Стекломассу выливают в воду для получения гранулята.ДЛЯ предотвращения ОКИСЛЕНИЯ МЕДИ вжигание покрытия производится в защитной среде (азот, аргон) при температуре кристаллизации 705-715 С.Покрытие получают методом трафаретной печати до толстопленочной технологии В СЛЕДУЮЩЕМ РЕЖИМЕ НЗГВЕВ СО СКО ростью 5-7 С/ми до температуры кристаллизации, выдержка при этой темпе ратуре 15-20 мин н охлаждение покры- 3 о Важное значе ние при формировании стеклокристаллического покрытия имеет интервал между температурой начала размягчения Идолжно вначале расплавиться, хорошо растечься по поверхности подложки, образуя равномерный слой,а затемЗЗКРИСТЗЛЛИЗОВЗТЬСЯ. СНИЖЕНИЕ температуры начала размягчения ПОЗВОЛЯЕТ увеличить температурный интервал межд ду началом размягчения и кристаллизацией стекла, в результате чего стекло оплавляется при более низкой температуре, хорошо растекается по керамической подложке с образованием равномерного слоя, и дает прочное сцепление С керамикой. Повышение ТЕМ пературы до 705-715 С приводит к кристаллизации стекловидной пленкипо покрытия. Кроме того, понижение температуры начала размягчения стекла позволяет производить вжиганиеПЛЭНКИ при более НИЗКИХ температурах, в результате чего уменьшается диффузия меди в стекло и тем самым обеспеЧНВаЮТСН ВЫСОКИЕ ЭЛЕКТРОИЗОЛЯЦИОНные свойства покрытия. ц Изобретение поясняется на конкретным примерах, которые приведены в таблице.Пониженная температура-начала размягчения позволяет получить стеклокристаллические покрытия для изоляци медной разводки интегральных схем при более низких температурах,это дает возможностьуменьшить диффузию меди в стекло и тем-самым обеспечить высокие злектроизоляционные свойства. Повышенная влагостойкость. разработанного стекла обеспечивает получение устойчивых к воздействиюКомпонент и Мето- Содержание, мас.2 в составе СтеклоСВОЙСТВО ДИКЗ й прото опре- 1 11 111 Ч Ч тип деле- ния 5101 36,0 38,0 33,0 д 2,0 29,5 39,0 А 1,о, 5,0 4,5 6,2 8,5 2,0 1,5 в,оэ 6,0 3,5, 4,3 2,5 7,0 9,0 Ва 0 27,0 28,0 26,5 25,0 30,0 15,5 2 цо 24,5 23,5 25,0 21,5 255- 29,0, Едля покры тия (с мед ной развод-кой)3 Методика опре- 1 деленил 1,5 Диффе- 7 Г 5 ренин альнотернический метод гост . 9141-59 8,8 9,3 6,88,2