Зубович Анатолий Николаевич

Способ герметизации корпуса интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 18641

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Довженко Александр Алексеевич, Зубович Анатолий Николаевич, Солодуха Виталий Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 31/0203, H01L 21/56

Метки: герметизации, интегральной, способ, схемы, корпуса

Текст:

...средой, а инертную среду в скафандре поддерживают с избыточным давлением не менее 0,2 кПа и точкой росы не выше 30 С. Благодаря ИК-нагреву в вакууме с остаточным давлением менее 60 кПа отмечается эффективное удаление влаги из основания корпуса с прихваченной крышкой. Увеличение остаточного давления инертного газа более 60 кПа приводит к снижению эффективности удаления влаги. Проведение ИК-нагрева в вакууме при температуре менее 110 С и времени...

Способ изготовления мощного полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 14985

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Зубович Анатолий Николаевич, Сарычев Олег Эрнстович, Глухманчук Владимир Владимирович, Выговский Станислав Вячеславович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: H01L 23/12

Метки: полупроводникового, способ, мощного, прибора, изготовления

Текст:

...металлокерамических корпусов. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления мощного полупроводникового прибора, при котором выполняют части его корпуса в виде основания, обечайки,выводов, ободка, крышки и термокомпенсатора, в обечайке выполняют два сквозных отверстия и выемку для выводов, упомянутые части корпуса обезжиривают, промывают в деионизованной воде, сушат и отжигают изготавливают керамические изоляторы...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 8885

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Зубович Анатолий Николаевич, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Тарасиков Михаил Васильевич

МПК: H01L 21/58, H01L 21/60

Метки: кристалла, прибора, присоединения, полупроводникового, способ, кристаллодержателю, кремниевого

Текст:

...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...