Завадский Сергей Михайлович

Способ получения тонких пленок для конденсаторных структур

Загрузка...

Номер патента: 18396

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Каланда Николай Александрович, Голосов Дмитрий Анатольевич, Завадский Сергей Михайлович, Гурский Леонид Ильич

МПК: H01G 7/06, C23C 14/08, C23C 14/28...

Метки: конденсаторных, способ, пленок, получения, структур, тонких

Текст:

...контроля над процессом получения однородных и однофазных пленок 0,540,463 для улучшения их сегнетоэлектрических и структурных ха 2 18396 1 2014.08.30 рактеристик, оптимизация режимов напыления тонких пленок цирконата титаната свинца с целью получения их воспроизводимых физико-химических свойств. Поставленная задача решается за счет того, что при получении тонкой пленки цирконата титаната свинца первоначально изготавливают мишень, а затем...

Способ получения мишени цирконата-титаната свинца

Загрузка...

Номер патента: 17308

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Голосов Дмитрий Анатольевич, Гурский Леонид Ильич, Каланда Николай Александрович, Завадский Сергей Михайлович

МПК: C23C 14/08, C04B 35/491, H01L 41/24...

Метки: цирконата-титаната, способ, получения, свинца, мишени

Текст:

...условиях контроля над содержанием свинца и кислорода в структуре 0,540,463, в воспроизводимости физико-химических свойств мишени, в использовании мелкодисперсных прекурсоров для избежания кинетических трудностей при фазообразовании, увеличения плотности и равномерного распределения пористости по объему мишени и управления, а также в упрощении технологического оборудования и уменьшения экономических затрат. Пример выполнения способа получения...

Реакторный блок установки эпитаксиального наращивания

Загрузка...

Номер патента: 10260

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Завадский Сергей Михайлович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Достанко Анатолий Павлович, Голосов Дмитрий Анатолиевич, Турцевич Аркадий Степанович, Авдеев Сергей Мартинович

МПК: C23C 16/00

Метки: эпитаксиального, реакторный, установки, блок, наращивания

Текст:

...реакторный блок установки эпитаксиального наращивания отличается от известного тем, что внутренняя поверхность кожухов выполнена полированной со средней шероховатостью поверхностине более 1 мкм, отражающее покрытие выполнено из алюминия или его сплавов с содержанием не более 1,5 кремния, а поверх отражающего покрытия нанесен защитный слой из оксида кремния толщиной 1-5 мкм. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных...

Установка для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на внутреннюю поверхность крупноформатных цилиндрических объектов ионно-плазменными методами

Загрузка...

Номер патента: U 2737

Опубликовано: 30.06.2006

Авторы: Голосов Дмитрий Анатольевич, Достанко Анатолий Павлович, Завадский Сергей Михайлович, Свадковский Игорь Витальевич

МПК: C23C 14/00

Метки: установка, крупноформатных, покрытий, внутреннюю, нанесения, цилиндрических, многослойных, ионно-плазменными, объектов, поверхность, тонкопленочных, методами

Текст:

...ионную очистку, нанесение слоев методами магнетронного распыления, реактивного магнетронного распыления, непосредственного нанесения из ионного пучка и получать многослойные тонкопленочные структуры на крупноформатные подложки в едином вакуумном цикле, в том числе на внутреннюю поверхность цилиндрических объектов. На фиг. 1 показано схематичное изображение установки для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на внутреннюю...

Установка для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий методом магнетронного распыления

Загрузка...

Номер патента: U 918

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Свадковский Игорь Витальевич, Завадский Сергей Михайлович, Голосов Дмитрий Анатольевич

МПК: C23C 14/34

Метки: нанесения, магнетронного, многослойных, методом, тонкопленочных, установка, распыления, покрытий

Текст:

...система расположена с внутренней стороны фланца, а ионный источник - с внешней стороны фланца. Это позволяет обеспечить нанесение тонкопленочных структур с заданной однородностью свойств по поверхности подложки при ограниченных габаритах фланцев Ионный источник включается перед нанесением очередного слоя и обеспечивает стимуляцию разряда магнетрона, что позволяет добиться одновременного функционирования магнетронной...