Завадский Сергей Михайлович
Способ получения тонких пленок для конденсаторных структур
Номер патента: 18396
Опубликовано: 30.08.2014
Авторы: Каланда Николай Александрович, Голосов Дмитрий Анатольевич, Завадский Сергей Михайлович, Гурский Леонид Ильич
МПК: H01G 7/06, C23C 14/08, C23C 14/28...
Метки: конденсаторных, способ, пленок, получения, структур, тонких
Текст:
...контроля над процессом получения однородных и однофазных пленок 0,540,463 для улучшения их сегнетоэлектрических и структурных ха 2 18396 1 2014.08.30 рактеристик, оптимизация режимов напыления тонких пленок цирконата титаната свинца с целью получения их воспроизводимых физико-химических свойств. Поставленная задача решается за счет того, что при получении тонкой пленки цирконата титаната свинца первоначально изготавливают мишень, а затем...
Способ получения мишени цирконата-титаната свинца
Номер патента: 17308
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Голосов Дмитрий Анатольевич, Гурский Леонид Ильич, Каланда Николай Александрович, Завадский Сергей Михайлович
МПК: C23C 14/08, C04B 35/491, H01L 41/24...
Метки: цирконата-титаната, способ, получения, свинца, мишени
Текст:
...условиях контроля над содержанием свинца и кислорода в структуре 0,540,463, в воспроизводимости физико-химических свойств мишени, в использовании мелкодисперсных прекурсоров для избежания кинетических трудностей при фазообразовании, увеличения плотности и равномерного распределения пористости по объему мишени и управления, а также в упрощении технологического оборудования и уменьшения экономических затрат. Пример выполнения способа получения...
Реакторный блок установки эпитаксиального наращивания
Номер патента: 10260
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Завадский Сергей Михайлович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Достанко Анатолий Павлович, Голосов Дмитрий Анатолиевич, Турцевич Аркадий Степанович, Авдеев Сергей Мартинович
МПК: C23C 16/00
Метки: эпитаксиального, реакторный, установки, блок, наращивания
Текст:
...реакторный блок установки эпитаксиального наращивания отличается от известного тем, что внутренняя поверхность кожухов выполнена полированной со средней шероховатостью поверхностине более 1 мкм, отражающее покрытие выполнено из алюминия или его сплавов с содержанием не более 1,5 кремния, а поверх отражающего покрытия нанесен защитный слой из оксида кремния толщиной 1-5 мкм. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных...
Установка для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на внутреннюю поверхность крупноформатных цилиндрических объектов ионно-плазменными методами
Номер патента: U 2737
Опубликовано: 30.06.2006
Авторы: Голосов Дмитрий Анатольевич, Достанко Анатолий Павлович, Завадский Сергей Михайлович, Свадковский Игорь Витальевич
МПК: C23C 14/00
Метки: установка, крупноформатных, покрытий, внутреннюю, нанесения, цилиндрических, многослойных, ионно-плазменными, объектов, поверхность, тонкопленочных, методами
Текст:
...ионную очистку, нанесение слоев методами магнетронного распыления, реактивного магнетронного распыления, непосредственного нанесения из ионного пучка и получать многослойные тонкопленочные структуры на крупноформатные подложки в едином вакуумном цикле, в том числе на внутреннюю поверхность цилиндрических объектов. На фиг. 1 показано схематичное изображение установки для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на внутреннюю...
Установка для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий методом магнетронного распыления
Номер патента: U 918
Опубликовано: 30.06.2003
Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Свадковский Игорь Витальевич, Завадский Сергей Михайлович, Голосов Дмитрий Анатольевич
МПК: C23C 14/34
Метки: нанесения, магнетронного, многослойных, методом, тонкопленочных, установка, распыления, покрытий
Текст:
...система расположена с внутренней стороны фланца, а ионный источник - с внешней стороны фланца. Это позволяет обеспечить нанесение тонкопленочных структур с заданной однородностью свойств по поверхности подложки при ограниченных габаритах фланцев Ионный источник включается перед нанесением очередного слоя и обеспечивает стимуляцию разряда магнетрона, что позволяет добиться одновременного функционирования магнетронной...