Турцевич Аркадий Степанович

Медицинский монитор пациента

Загрузка...

Номер патента: U 10309

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Лебедев Виктор Ильич, Турцевич Аркадий Степанович, Данилович Петр Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович

МПК: A61B 5/044, A61B 5/04

Метки: пациента, медицинский, монитор

Текст:

...с блоком регистрации и анализа, жидкокристаллический индикатор, кабель электропитания, на внутренние поверхности корпуса и экрана жидкокристаллического индикатора нанесено металлическое покрытие с толщиной, достаточной для обеспечения светопередачи и считывания информации пользователем, отражающее электромагнитные волны в диапазоне метровых и дециметровых волн от 10,0 до 0,3 м, причем металлическое покрытие экрана жидкокристаллического...

Способ герметизации корпуса интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 18641

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Зубович Анатолий Николаевич, Довженко Александр Алексеевич, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 31/0203, H01L 21/56

Метки: способ, герметизации, интегральной, корпуса, схемы

Текст:

...средой, а инертную среду в скафандре поддерживают с избыточным давлением не менее 0,2 кПа и точкой росы не выше 30 С. Благодаря ИК-нагреву в вакууме с остаточным давлением менее 60 кПа отмечается эффективное удаление влаги из основания корпуса с прихваченной крышкой. Увеличение остаточного давления инертного газа более 60 кПа приводит к снижению эффективности удаления влаги. Проведение ИК-нагрева в вакууме при температуре менее 110 С и времени...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18438

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Малышев Сергей Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Блынский Виктор Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Чиж Александр Леонидович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...с одинаковым шагом, образующие с подложкой омический контакт, причем упомянутые локальные области выполнены с шириной в области эпитаксиального слоя, большей 2 мкм, и высотой, большей 0,1 толщины эпитаксиального слоя, но меньшей глубины залегания перехода охранного кольца. Барьерный электрод может быть сформирован в выемке глубиной от 0,1 до 0,3 мкм,выполненной в эпитаксиальном слое, что позволит улучшить чистоту границы раздела...

Способ формирования металлизации обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Подковщиков Николай Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: формирования, металлизации, стороны, прибора, полупроводникового, способ, обратной, кристалла

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Металлизация обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: металлизация, полупроводникового, обратной, кристалла, стороны, прибора

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: присоединения, прибора, кремниевого, способ, кристалла, полупроводникового, кристаллодержателю

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Механизм трансформации

Загрузка...

Номер патента: U 10016

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Шестак Вадим Георгиевич, Кашковский Виктор Михайлович, Солодуха Виталий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: A61G 7/002, A61G 7/015, A61G 7/018...

Метки: механизм, трансформации

Текст:

...(трется) с поверхностями продольного и фиксирующих пазов корпуса. Характер контакта - трение скольжения с коэффициентом трения 0,15. Вследствие этого происходит истирание поверхностей продольного, фиксирующих пазов и некоторой ограниченной поверхности штифта. Износ поверхностей сокращает срок службы механизма трансформации. Заявленная полезная модель решает задачу уменьшения коэффициента трения при перемещении штока. Поставленная задача...

Способ осаждения легированных фосфором пленок кремния

Загрузка...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Солодуха Виталий Александрович, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 21/205, C23C 16/56, C23C 16/30...

Метки: легированных, способ, кремния, пленок, фосфором, осаждения

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18137

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Солодуха Виталий Александрович, Голубев Николай Федорович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...РСЭ проходит через металлизацию анода и рассеивается через охранное кольцо и локальные области -типа проводимости. Наличие локальных областей -типа проводимости обуславливает дополнительные пути рассеивания импульса РСЭ и позволяет повысить устойчивость диода Шоттки к воздействию РСЭ. Увеличение выхода годных достигается благодаря выбору оптимальной концентрации областей -типа проводимости за счет снижения сопротивления и выравнивания...

Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ефименко Сергей Афанасьевич, Солодуха Виталий Александрович, Малый Игорь Васильевич, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 27/04, H01L 21/77

Метки: микросхемы, способ, изготовления, кремниевой, интегральной

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Способ формирования геттерного слоя в пластине кремния

Загрузка...

Номер патента: 18107

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович, Садовский Павел Кириллович, Васильев Юрий Борисович, Турцевич Аркадий Степанович, Челядинский Алексей Романович, Оджаев Владимир Борисович

МПК: H01L 21/322

Метки: формирования, слоя, геттерного, пластине, кремния, способ

Текст:

...транзистора от тока коллектора. Для формирования геттерного слоя пластины кремния -типа с удельным сопротивлением 10 Омсм имплантировались в нерабочую сторону ионамис энергией 60 кэВ и дозой 21015 см-2. После имплантации проводилась термообработка при температуре 850 С в течение 30 мин для электрической активации внедренной примеси. Измерения показали,что степень электрической активации сурьмы после отжига составила 21(слоевая...

Способ формирования пленки силицида титана для производства интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Колос Владимир Владимирович, Трусов Виктор Леонидович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/44, B08B 7/00

Метки: способ, силицида, микросхем, производства, пленки, интегральных, формирования, титана

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Механизм трансформации

Загрузка...

Номер патента: U 9741

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Шестак Вадим Георгиевич, Солодуха Виталий Александрович, Кашковский Виктор Михайлович, Сарычев Олег Эрнстович

МПК: A61G 7/018, A61G 7/002, A61G 7/015...

Метки: трансформации, механизм

Текст:

...вдоль штока и имеет выемку, поверхность которой и поверхности продольного паза со стороны фиксирующих пазов расположены на одном уровне в продольном пазу корпуса между фиксирующими пазами дополнительно выполнены углубления, причем расстояние от углубления до фиксирующего паза А больше, чем расстояние от оси штифта до выемки ползунка Б, на 10-20 , а радиус кривизны углубления угл меньше радиуса кривизны штифта шт. Сопоставительный анализ...

Способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов

Загрузка...

Номер патента: 17627

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Выговский Станислав Вячеславович, Рубцевич Иван Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: C04B 41/51

Метки: металлизации, керамических, изоляторов, способ, алюмооксидных

Текст:

...температурой от 40 до 50 С. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При вжигании металлизации при температуре ниже 1640 С и барботировании азота с водородом при температуре воды менее 40 С повышается пористость металлизации на границе с керамикой и образуется пограничный слой неравномерной толщины, что приводит к снижению вакуумной плотности паяных...

Способ травления пленки диоксида кремния при аэрозольной химической очистке полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: B08B 3/02, G05D 23/00, H01L 21/02...

Метки: пластин, способ, пленки, химической, травления, полупроводниковых, диоксида, очистке, кремния, аэрозольной

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Способ формирования нанокристаллов германия Ge для энергонезависимой памяти

Загрузка...

Номер патента: 17081

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Гайдук Петр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Новиков Андрей Геннадьевич, Пшеничный Евгений Николаевич

МПК: H01L 21/44, H01L 21/336

Метки: формирования, памяти, германия, энергонезависимой, нанокристаллов, способ

Текст:

...объясняется следующим образом. Ограничивающим фактором при производстве приборов с плавающим затвором из массива нанокристаллов является управление плотностью, размерами, площадью покрытия и однородностью нанокристаллов в пределах структуры плавающего затвора. Для оп 3 17081 1 2013.04.30 тимальной работы прибора желательно иметь плотность нанокристаллов 51010-1012 см-2,при этом средний размер нанокристаллов должен составлять 5-20 нм...

Способ формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке

Загрузка...

Номер патента: 16839

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Адашкевич Сергей Владимирович, Чапланов Аркадий Михайлович, Колос Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Маркевич Мария Ивановна, Стельмах Вячеслав Фомич

МПК: C23C 14/16, H01L 21/02

Метки: формирования, способ, пленки, титана, дисилицида, кремниевой, подложке

Текст:

...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...

Способ аэрозольного удаления фоторезиста и полимерных загрязнений с поверхности полупроводниковых кремниевых пластин после плазмохимического травления

Загрузка...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/30

Метки: кремниевых, фоторезиста, после, травления, поверхности, аэрозольного, плазмохимического, удаления, загрязнений, способ, пластин, полимерных, полупроводниковых

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...

Состав для удаления полимерных загрязнений с поверхности кремния

Загрузка...

Номер патента: 16473

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович, Шикуло Владимир Евгеньевич

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, состав, удаления, загрязнений, кремния, полимерных

Текст:

...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...

Способ струйной очистки поверхности полупроводниковых кремниевых пластин с металлизированной разводкой на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 16480

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/44, B08B 3/08

Метки: поверхности, полупроводниковых, пластин, металлизированной, кремниевых, разводкой, алюминия, основе, очистки, способ, струйной

Текст:

...водой в течение менее 60 с при скорости вращения менее 50 об./мин поверхность недостаточно гидрофилизируется, что приводит к подтраву поверхности алюминия и снижениювыхода ИМС. При предварительной обработке пластин деионизированной водой в течение более 180 секунд и скорости более 150 об./мин наблюдается коррозия алюминия и выход годных снижается. Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и 2, где на фиг. 1 представлено значительное и...

Композиция для получения твердых планарных источников бора при изготовлении изделий микроэлектроники

Загрузка...

Номер патента: 15733

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Дудкин Александр Иванович, Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: изделий, микроэлектроники, источников, получения, бора, твердых, изготовлении, композиция, планарных

Текст:

...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: твердых, изготовления, схем, планарных, создании, источников, интегральных, способ, полупроводниковых, бора, приборов

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Способ осаждения тонких пленок SiGe

Загрузка...

Номер патента: 15299

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Комаров Фадей Фадеевич, Солодуха Виталий Александрович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Пшеничный Евгений Николаевич

МПК: H01L 21/205, C23C 16/30

Метки: пленок, тонких, осаждения, способ

Текст:

...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...

Способ химического осаждения из газовой фазы пленок вольфрама

Загрузка...

Номер патента: 15149

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Каленик Вера Ивановна, Сидерко Александр Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: C23C 16/14, H01L 21/285

Метки: газовой, пленок, вольфрама, химического, осаждения, способ, фазы

Текст:

...от 360 до 475 С и давлении от 4 до 60 мм рт.ст., с подачей или без подачи азота, прекращение подачи моносилана и гексафторида вольфрама, создание в реакторе давления для осаждения основного слоя и осаждение основного слоя вольфрама восстановлением гексафторида вольфрама водородом при температуре от 360 до 475 С и давлении от 70 до 90 мм рт.ст. перед осаждением зародышевого слоя проводят выдержку пластины в среде моносилана с потоком от...

Градирня энергетической установки

Загрузка...

Номер патента: 15169

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Радкевич Валерий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Драко Андрей Васильевич, Кунцевич Александр Иванович, Солодуха Виталий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович

МПК: F28C 1/00

Метки: градирня, установки, энергетической

Текст:

...форсунки, при этом угол оси факела центральной форсунки относительно оси шахты составляет 35-39. Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Известно, что капли жидкости в факеле распыла движутся по параболическим траекториям, причем восходящая часть их траекторий находится в пределах конуса, который определяется углом раствора факела. Объем, который занимают капли факела распыла (на восходящей части их траекторий),...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 15214

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Довнар Николай Александрович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: шоттки, диод

Текст:

...электрическим пробоем, улучшить качество наносимых слоев и контактные свойства силицидов. Первый барьерный слой содержит 10-30 мас.платины, что в 3-9 раз меньше, чем у наиболее близкого технического решения. Кроме того, слой наносится в одном процессе напыления. Указанные факторы позволяют снизить расход платины, сократить технологический цикл, повысить экономические показатели изготовления диодов Шоттки и их конкурентоспособность на рынке...

Способ формирования рисунка для получения люминесцентного изображения на алюминиевой поверхности

Загрузка...

Номер патента: 15052

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Меледина Марина Владимировна, Турцевич Аркадий Степанович, Прислопский Сергей Ярославович, Циркунов Дмитрий Алексеевич, Ореховская Таисия Ивановна, Гапоненко Сергей Васильевич, Борисенко Виктор Евгеньевич, Гапоненко Николай Васильевич

МПК: C25D 11/12, C09K 11/77

Метки: рисунка, люминесцентного, формирования, способ, изображения, алюминиевой, получения, поверхности

Текст:

...и ксерогеля, что также ограничивает применение. Технической задачей предлагаемого изобретения является получение двухцветного люминесцентного изображения на алюминии. Поставленная техническая задача решается тем, что в способе формирования рисунка для получения люминесцентного изображения на алюминиевой поверхности, в котором на поверхность образца наносят маску из фоторезиста, формируют в ее окнах слой пористого анодного оксида...

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур

Загрузка...

Номер патента: 14870

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Мышук Виктор Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович, Кривчик Петр Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Становский Владимир Владимирович

МПК: C30B 25/20, H01L 21/36

Метки: структур, изготовления, способ, эпитаксиальных, кремниевых

Текст:

...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...

Способ изготовления мощного полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 14985

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Зубович Анатолий Николаевич, Сарычев Олег Эрнстович, Выговский Станислав Вячеславович, Глухманчук Владимир Владимирович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 23/12

Метки: способ, изготовления, полупроводникового, мощного, прибора

Текст:

...металлокерамических корпусов. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления мощного полупроводникового прибора, при котором выполняют части его корпуса в виде основания, обечайки,выводов, ободка, крышки и термокомпенсатора, в обечайке выполняют два сквозных отверстия и выемку для выводов, упомянутые части корпуса обезжиривают, промывают в деионизованной воде, сушат и отжигают изготавливают керамические изоляторы...

Металлизация интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 14851

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Шильцев Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48, H01L 21/28...

Метки: интегральной, металлизация, схемы

Текст:

...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....

Способ изготовления межэлементных соединений микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 14850

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Лабан Эдуард Казимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович, Кузик Сергей Владимирович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/28, H01L 21/02...

Метки: межэлементных, изготовления, микросхемы, соединений, способ

Текст:

...нанесения пассивирующих слоев фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Таким образом исключается критичная технологическая операция по вскрытию в нанесенном пассивирующем слое фосфоросиликатного стекла окон к контактным площадкам для присоединения выводов. Пассивирующий слой нитрида кремния является более устойчивым к воздействию травителей и невлагопоглощающим. По этой причине операция по вскрытию окон к контактным площадкам является...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14848

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...кольца будет сравнительно большим, что не позволит заметно улучшить устойчивость диода Шоттки к воздействию статического электричества. Превышение произведения ширины охранного кольца на глубину его залегания более 80 мкм 2 не приводит к дальнейшим улучшениям, что экономически нецелесообразно. При отношении глубины охранного кольца к толщине эпитаксиального слоя в диапазоне от 0,16 до 0,32 обеспечивается равномерное протекание ударного...

Способ изготовления фотодиода

Загрузка...

Номер патента: 15054

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Становский Владимир Владимирович, Сивец Василий Иосифович, Турцевич Аркадий Степанович, Сарычев Олег Эрнстович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 31/00, H01L 27/14

Метки: изготовления, способ, фотодиода

Текст:

...2011.10.30 формированием контактов к областям анода и катода, причем легирование ионами гелия проводят дозой 1013-1015 см-2, энергией 30-150 кэВ, а отжиг проводят при температуре 500-750 С в течение 0,5-6 ч. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показал, что заявляемый способ отличается от известного тем, что легирование ионами гелия и отжиг в среде азота выполняют перед формированием контактов к областям катода и анода,...

Способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов

Загрузка...

Номер патента: 14381

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Выговский Станислав Вячеславович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Добриян Татьяна Сергеевна, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C04B 41/80, C04B 41/88

Метки: изоляторов, способ, керамических, металлизации, алюмооксидных

Текст:

...алюмооксидных керамических изоляторов в среде водорода и азота, вжигание металлизации, совмещенное с окончательным обжигом алюмооксидных керамических изоляторов, осуществляют при температуре не ниже 1610 С с периодом толкания 20-45 мин. Сопоставительный анализ предлагаемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов отличается от известного тем, что вжигание металлизации,...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Викторович, Матюшевский Анатолий Петрович, Становский Владимир Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: силовых, способ, полупроводниковых, примесей, пластины, акцепторных, изготовления, диффузии, приборов, кремниевые

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14452

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Комаров Фадей Фадеевич, Довнар Николай Александрович, Мильчанин Олег Владимирович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: изготовления, способ, диода, шоттки

Текст:

...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...

Центробежно-струйная форсунка

Загрузка...

Номер патента: U 6614

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Сарычев Олег Эрнстович, Рыбкин Владимир Анатольевич, Савич Владимир Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Глоба Александр Николаевич

МПК: B05B 1/00

Метки: форсунка, центробежно-струйная

Текст:

...цилиндрического сопла находится в диапазоне от 2,8 до 3,5, а угол наклона периферийных пазов вкладыша находится в диапазоне от 15 до 20. В центробежно-струйной форсунке раздробление потока жидкости производят путем разделения поступающего потока жидкости на два, причем первый из потоков закручивают вокруг оси форсунки, пропуская его по наклонным пазам вкладыша, второй направляют по центру вдоль оси форсунки, а смешение потока...

Способ планаризации микрорельефа при изготовлении интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 13309

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Родин Георгий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/70, H01L 21/02

Метки: изготовлении, микрорельефа, способ, планаризации, схем, интегральных

Текст:

...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...

Немагнитный сплав на основе никеля

Загрузка...

Номер патента: 13170

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C22C 19/03

Метки: сплав, никеля, основе, немагнитный

Текст:

...тины и ванадия приведет к неполному устранению магнитных свойств сплава, а значит, будет наблюдаться замыкание катодом-мишенью силовых линий магнитного поля. Это, в свою очередь, приведет к разогреву мишени и подложек, электрическим пробоям, деформации и оплавлению мишени и обусловит снижение качества металлических пленок, что ухудшает контактные свойства переходных слоев силицидов, сформированных твердофазной реакцией с кремнием...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 13177

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: способ, изготовления, шоттки, диода

Текст:

...источника будет менее 950 С, а время менее 30 мин, то на поверхности не будет сформирован слой достаточно большой степени легирования бором, а значит, это приведет к низкой поверхностной концентрации бора в охранном кольце, приводящей к снижению обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Понижение температуры до первоначального уровня в окислительной среде проводят для...