Турцевич Аркадий Степанович

Медицинский монитор пациента

Загрузка...

Номер патента: U 10309

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Сарычев Олег Эрнстович, Лебедев Виктор Ильич, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Данилович Петр Александрович

МПК: A61B 5/04, A61B 5/044

Метки: пациента, медицинский, монитор

Текст:

...с блоком регистрации и анализа, жидкокристаллический индикатор, кабель электропитания, на внутренние поверхности корпуса и экрана жидкокристаллического индикатора нанесено металлическое покрытие с толщиной, достаточной для обеспечения светопередачи и считывания информации пользователем, отражающее электромагнитные волны в диапазоне метровых и дециметровых волн от 10,0 до 0,3 м, причем металлическое покрытие экрана жидкокристаллического...

Способ герметизации корпуса интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 18641

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Зубович Анатолий Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Довженко Александр Алексеевич

МПК: H01L 31/0203, H01L 21/56

Метки: интегральной, способ, схемы, корпуса, герметизации

Текст:

...средой, а инертную среду в скафандре поддерживают с избыточным давлением не менее 0,2 кПа и точкой росы не выше 30 С. Благодаря ИК-нагреву в вакууме с остаточным давлением менее 60 кПа отмечается эффективное удаление влаги из основания корпуса с прихваченной крышкой. Увеличение остаточного давления инертного газа более 60 кПа приводит к снижению эффективности удаления влаги. Проведение ИК-нагрева в вакууме при температуре менее 110 С и времени...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18438

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Блынский Виктор Иванович, Чиж Александр Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Малышев Сергей Александрович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...с одинаковым шагом, образующие с подложкой омический контакт, причем упомянутые локальные области выполнены с шириной в области эпитаксиального слоя, большей 2 мкм, и высотой, большей 0,1 толщины эпитаксиального слоя, но меньшей глубины залегания перехода охранного кольца. Барьерный электрод может быть сформирован в выемке глубиной от 0,1 до 0,3 мкм,выполненной в эпитаксиальном слое, что позволит улучшить чистоту границы раздела...

Способ формирования металлизации обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Подковщиков Николай Николаевич, Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: полупроводникового, формирования, обратной, стороны, металлизации, прибора, кристалла, способ

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Металлизация обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: металлизация, прибора, обратной, кристалла, стороны, полупроводникового

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: способ, полупроводникового, кремниевого, кристалла, присоединения, кристаллодержателю, прибора

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Механизм трансформации

Загрузка...

Номер патента: U 10016

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Шестак Вадим Георгиевич, Солодуха Виталий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Кашковский Виктор Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: A61G 7/015, A61G 7/002, A61G 7/018...

Метки: механизм, трансформации

Текст:

...(трется) с поверхностями продольного и фиксирующих пазов корпуса. Характер контакта - трение скольжения с коэффициентом трения 0,15. Вследствие этого происходит истирание поверхностей продольного, фиксирующих пазов и некоторой ограниченной поверхности штифта. Износ поверхностей сокращает срок службы механизма трансформации. Заявленная полезная модель решает задачу уменьшения коэффициента трения при перемещении штока. Поставленная задача...

Способ осаждения легированных фосфором пленок кремния

Загрузка...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Пшеничный Евгений Николаевич, Трусов Виктор Леонидович, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: C23C 16/56, H01L 21/205, C23C 16/30...

Метки: фосфором, пленок, легированных, осаждения, кремния, способ

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18137

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...РСЭ проходит через металлизацию анода и рассеивается через охранное кольцо и локальные области -типа проводимости. Наличие локальных областей -типа проводимости обуславливает дополнительные пути рассеивания импульса РСЭ и позволяет повысить устойчивость диода Шоттки к воздействию РСЭ. Увеличение выхода годных достигается благодаря выбору оптимальной концентрации областей -типа проводимости за счет снижения сопротивления и выравнивания...

Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Малый Игорь Васильевич, Ефименко Сергей Афанасьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Шикуло Владимир Евгеньевич

МПК: H01L 21/77, H01L 27/04

Метки: микросхемы, способ, интегральной, изготовления, кремниевой

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Способ формирования геттерного слоя в пластине кремния

Загрузка...

Номер патента: 18107

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Васильев Юрий Борисович, Плебанович Владимир Иванович, Садовский Павел Кириллович, Челядинский Алексей Романович, Оджаев Владимир Борисович, Белоус Анатолий Иванович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/322

Метки: пластине, геттерного, формирования, кремния, способ, слоя

Текст:

...транзистора от тока коллектора. Для формирования геттерного слоя пластины кремния -типа с удельным сопротивлением 10 Омсм имплантировались в нерабочую сторону ионамис энергией 60 кэВ и дозой 21015 см-2. После имплантации проводилась термообработка при температуре 850 С в течение 30 мин для электрической активации внедренной примеси. Измерения показали,что степень электрической активации сурьмы после отжига составила 21(слоевая...

Способ формирования пленки силицида титана для производства интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Трусов Виктор Леонидович, Колос Владимир Владимирович

МПК: B08B 7/00, H01L 21/44

Метки: интегральных, формирования, микросхем, производства, пленки, титана, силицида, способ

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Механизм трансформации

Загрузка...

Номер патента: U 9741

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Сарычев Олег Эрнстович, Кашковский Виктор Михайлович, Шестак Вадим Георгиевич, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: A61G 7/015, A61G 7/018, A61G 7/002...

Метки: трансформации, механизм

Текст:

...вдоль штока и имеет выемку, поверхность которой и поверхности продольного паза со стороны фиксирующих пазов расположены на одном уровне в продольном пазу корпуса между фиксирующими пазами дополнительно выполнены углубления, причем расстояние от углубления до фиксирующего паза А больше, чем расстояние от оси штифта до выемки ползунка Б, на 10-20 , а радиус кривизны углубления угл меньше радиуса кривизны штифта шт. Сопоставительный анализ...

Способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов

Загрузка...

Номер патента: 17627

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Рубцевич Иван Иванович, Солодуха Виталий Александрович, Выговский Станислав Вячеславович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: C04B 41/51

Метки: способ, металлизации, изоляторов, керамических, алюмооксидных

Текст:

...температурой от 40 до 50 С. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При вжигании металлизации при температуре ниже 1640 С и барботировании азота с водородом при температуре воды менее 40 С повышается пористость металлизации на границе с керамикой и образуется пограничный слой неравномерной толщины, что приводит к снижению вакуумной плотности паяных...

Способ травления пленки диоксида кремния при аэрозольной химической очистке полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02, G05D 23/00, B08B 3/02...

Метки: кремния, травления, полупроводниковых, способ, диоксида, пластин, очистке, пленки, аэрозольной, химической

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Способ формирования нанокристаллов германия Ge для энергонезависимой памяти

Загрузка...

Номер патента: 17081

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Новиков Андрей Геннадьевич, Наливайко Олег Юрьевич, Гайдук Петр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Пшеничный Евгений Николаевич

МПК: H01L 21/44, H01L 21/336

Метки: способ, энергонезависимой, формирования, нанокристаллов, германия, памяти

Текст:

...объясняется следующим образом. Ограничивающим фактором при производстве приборов с плавающим затвором из массива нанокристаллов является управление плотностью, размерами, площадью покрытия и однородностью нанокристаллов в пределах структуры плавающего затвора. Для оп 3 17081 1 2013.04.30 тимальной работы прибора желательно иметь плотность нанокристаллов 51010-1012 см-2,при этом средний размер нанокристаллов должен составлять 5-20 нм...

Способ формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке

Загрузка...

Номер патента: 16839

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Адашкевич Сергей Владимирович, Колос Владимир Владимирович, Чапланов Аркадий Михайлович, Стельмах Вячеслав Фомич, Маркевич Мария Ивановна

МПК: H01L 21/02, C23C 14/16

Метки: подложке, способ, пленки, формирования, дисилицида, титана, кремниевой

Текст:

...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...

Способ аэрозольного удаления фоторезиста и полимерных загрязнений с поверхности полупроводниковых кремниевых пластин после плазмохимического травления

Загрузка...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Иванчиков Александр Эдуардович, Трусов Виктор Леонидович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/30

Метки: загрязнений, кремниевых, поверхности, полупроводниковых, аэрозольного, способ, удаления, плазмохимического, пластин, фоторезиста, полимерных, травления, после

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...

Состав для удаления полимерных загрязнений с поверхности кремния

Загрузка...

Номер патента: 16473

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, загрязнений, полимерных, кремния, состав, удаления

Текст:

...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...

Способ струйной очистки поверхности полупроводниковых кремниевых пластин с металлизированной разводкой на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 16480

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: B08B 3/08, H01L 21/44

Метки: способ, металлизированной, струйной, основе, полупроводниковых, поверхности, кремниевых, очистки, пластин, разводкой, алюминия

Текст:

...водой в течение менее 60 с при скорости вращения менее 50 об./мин поверхность недостаточно гидрофилизируется, что приводит к подтраву поверхности алюминия и снижениювыхода ИМС. При предварительной обработке пластин деионизированной водой в течение более 180 секунд и скорости более 150 об./мин наблюдается коррозия алюминия и выход годных снижается. Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и 2, где на фиг. 1 представлено значительное и...

Композиция для получения твердых планарных источников бора при изготовлении изделий микроэлектроники

Загрузка...

Номер патента: 15733

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: получения, микроэлектроники, композиция, планарных, изготовлении, твердых, источников, бора, изделий

Текст:

...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: схем, полупроводниковых, интегральных, источников, планарных, твердых, изготовления, создании, бора, приборов, способ

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Способ осаждения тонких пленок SiGe

Загрузка...

Номер патента: 15299

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Турцевич Аркадий Степанович, Пшеничный Евгений Николаевич, Наливайко Олег Юрьевич, Комаров Фадей Фадеевич

МПК: C23C 16/30, H01L 21/205

Метки: пленок, осаждения, способ, тонких

Текст:

...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...

Способ химического осаждения из газовой фазы пленок вольфрама

Загрузка...

Номер патента: 15149

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Сидерко Александр Александрович, Каленик Вера Ивановна

МПК: H01L 21/285, C23C 16/14

Метки: фазы, вольфрама, пленок, осаждения, химического, газовой, способ

Текст:

...от 360 до 475 С и давлении от 4 до 60 мм рт.ст., с подачей или без подачи азота, прекращение подачи моносилана и гексафторида вольфрама, создание в реакторе давления для осаждения основного слоя и осаждение основного слоя вольфрама восстановлением гексафторида вольфрама водородом при температуре от 360 до 475 С и давлении от 70 до 90 мм рт.ст. перед осаждением зародышевого слоя проводят выдержку пластины в среде моносилана с потоком от...

Градирня энергетической установки

Загрузка...

Номер патента: 15169

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Кунцевич Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Сарычев Олег Эрнстович, Радкевич Валерий Александрович, Драко Андрей Васильевич

МПК: F28C 1/00

Метки: установки, энергетической, градирня

Текст:

...форсунки, при этом угол оси факела центральной форсунки относительно оси шахты составляет 35-39. Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Известно, что капли жидкости в факеле распыла движутся по параболическим траекториям, причем восходящая часть их траекторий находится в пределах конуса, который определяется углом раствора факела. Объем, который занимают капли факела распыла (на восходящей части их траекторий),...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 15214

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Довнар Николай Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Кузик Сергей Владимирович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...электрическим пробоем, улучшить качество наносимых слоев и контактные свойства силицидов. Первый барьерный слой содержит 10-30 мас.платины, что в 3-9 раз меньше, чем у наиболее близкого технического решения. Кроме того, слой наносится в одном процессе напыления. Указанные факторы позволяют снизить расход платины, сократить технологический цикл, повысить экономические показатели изготовления диодов Шоттки и их конкурентоспособность на рынке...

Способ формирования рисунка для получения люминесцентного изображения на алюминиевой поверхности

Загрузка...

Номер патента: 15052

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Гапоненко Николай Васильевич, Турцевич Аркадий Степанович, Циркунов Дмитрий Алексеевич, Ореховская Таисия Ивановна, Борисенко Виктор Евгеньевич, Прислопский Сергей Ярославович, Меледина Марина Владимировна, Гапоненко Сергей Васильевич

МПК: C09K 11/77, C25D 11/12

Метки: поверхности, получения, люминесцентного, способ, изображения, алюминиевой, формирования, рисунка

Текст:

...и ксерогеля, что также ограничивает применение. Технической задачей предлагаемого изобретения является получение двухцветного люминесцентного изображения на алюминии. Поставленная техническая задача решается тем, что в способе формирования рисунка для получения люминесцентного изображения на алюминиевой поверхности, в котором на поверхность образца наносят маску из фоторезиста, формируют в ее окнах слой пористого анодного оксида...

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур

Загрузка...

Номер патента: 14870

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кривчик Петр Петрович, Довнар Николай Александрович, Мышук Виктор Иванович, Глухманчук Владимир Владимирович, Становский Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/36, C30B 25/20

Метки: кремниевых, способ, структур, изготовления, эпитаксиальных

Текст:

...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...

Способ изготовления мощного полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 14985

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Сарычев Олег Эрнстович, Турцевич Аркадий Степанович, Зубович Анатолий Николаевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Выговский Станислав Вячеславович

МПК: H01L 23/12

Метки: прибора, мощного, изготовления, полупроводникового, способ

Текст:

...металлокерамических корпусов. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления мощного полупроводникового прибора, при котором выполняют части его корпуса в виде основания, обечайки,выводов, ободка, крышки и термокомпенсатора, в обечайке выполняют два сквозных отверстия и выемку для выводов, упомянутые части корпуса обезжиривают, промывают в деионизованной воде, сушат и отжигают изготавливают керамические изоляторы...

Металлизация интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 14851

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Довнар Николай Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48, H01L 21/28...

Метки: интегральной, схемы, металлизация

Текст:

...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....

Способ изготовления межэлементных соединений микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 14850

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Лабан Эдуард Казимирович, Кузик Сергей Владимирович, Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02, H01L 21/28...

Метки: изготовления, соединений, способ, межэлементных, микросхемы

Текст:

...нанесения пассивирующих слоев фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Таким образом исключается критичная технологическая операция по вскрытию в нанесенном пассивирующем слое фосфоросиликатного стекла окон к контактным площадкам для присоединения выводов. Пассивирующий слой нитрида кремния является более устойчивым к воздействию травителей и невлагопоглощающим. По этой причине операция по вскрытию окон к контактным площадкам является...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14848

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...кольца будет сравнительно большим, что не позволит заметно улучшить устойчивость диода Шоттки к воздействию статического электричества. Превышение произведения ширины охранного кольца на глубину его залегания более 80 мкм 2 не приводит к дальнейшим улучшениям, что экономически нецелесообразно. При отношении глубины охранного кольца к толщине эпитаксиального слоя в диапазоне от 0,16 до 0,32 обеспечивается равномерное протекание ударного...

Способ изготовления фотодиода

Загрузка...

Номер патента: 15054

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сарычев Олег Эрнстович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Сивец Василий Иосифович, Турцевич Аркадий Степанович, Становский Владимир Владимирович

МПК: H01L 31/00, H01L 27/14

Метки: фотодиода, изготовления, способ

Текст:

...2011.10.30 формированием контактов к областям анода и катода, причем легирование ионами гелия проводят дозой 1013-1015 см-2, энергией 30-150 кэВ, а отжиг проводят при температуре 500-750 С в течение 0,5-6 ч. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показал, что заявляемый способ отличается от известного тем, что легирование ионами гелия и отжиг в среде азота выполняют перед формированием контактов к областям катода и анода,...

Способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов

Загрузка...

Номер патента: 14381

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Добриян Татьяна Сергеевна, Выговский Станислав Вячеславович, Глухманчук Владимир Владимирович, Керенцев Анатолий Федорович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: C04B 41/88, C04B 41/80

Метки: изоляторов, металлизации, способ, алюмооксидных, керамических

Текст:

...алюмооксидных керамических изоляторов в среде водорода и азота, вжигание металлизации, совмещенное с окончательным обжигом алюмооксидных керамических изоляторов, осуществляют при температуре не ниже 1610 С с периодом толкания 20-45 мин. Сопоставительный анализ предлагаемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов отличается от известного тем, что вжигание металлизации,...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Становский Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевые, способ, силовых, примесей, диффузии, пластины, полупроводниковых, изготовления, приборов, акцепторных

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14452

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Комаров Фадей Фадеевич, Мильчанин Олег Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Довнар Николай Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: способ, изготовления, шоттки, диода

Текст:

...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...

Центробежно-струйная форсунка

Загрузка...

Номер патента: U 6614

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глоба Александр Николаевич, Сарычев Олег Эрнстович, Солодуха Виталий Александрович, Рыбкин Владимир Анатольевич, Савич Владимир Николаевич

МПК: B05B 1/00

Метки: центробежно-струйная, форсунка

Текст:

...цилиндрического сопла находится в диапазоне от 2,8 до 3,5, а угол наклона периферийных пазов вкладыша находится в диапазоне от 15 до 20. В центробежно-струйной форсунке раздробление потока жидкости производят путем разделения поступающего потока жидкости на два, причем первый из потоков закручивают вокруг оси форсунки, пропуская его по наклонным пазам вкладыша, второй направляют по центру вдоль оси форсунки, а смешение потока...

Способ планаризации микрорельефа при изготовлении интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 13309

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Родин Георгий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/70

Метки: изготовлении, планаризации, схем, микрорельефа, способ, интегральных

Текст:

...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...

Немагнитный сплав на основе никеля

Загрузка...

Номер патента: 13170

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: C22C 19/03

Метки: никеля, немагнитный, основе, сплав

Текст:

...тины и ванадия приведет к неполному устранению магнитных свойств сплава, а значит, будет наблюдаться замыкание катодом-мишенью силовых линий магнитного поля. Это, в свою очередь, приведет к разогреву мишени и подложек, электрическим пробоям, деформации и оплавлению мишени и обусловит снижение качества металлических пленок, что ухудшает контактные свойства переходных слоев силицидов, сформированных твердофазной реакцией с кремнием...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 13177

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Кузик Сергей Владимирович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: изготовления, диода, шоттки, способ

Текст:

...источника будет менее 950 С, а время менее 30 мин, то на поверхности не будет сформирован слой достаточно большой степени легирования бором, а значит, это приведет к низкой поверхностной концентрации бора в охранном кольце, приводящей к снижению обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Понижение температуры до первоначального уровня в окислительной среде проводят для...