Точицкий Эдуард Иванович

Импульсный вакуумно-дуговой источник плазмы

Загрузка...

Номер патента: 10555

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Селифанов Сергей Олегович, Точицкий Эдуард Иванович, Селифанов Олег Владимирович

МПК: H05H 1/24, C23C 14/24

Метки: источник, импульсный, вакуумно-дуговой, плазмы

Текст:

...в направлении какой-нибудь образующей вышеупомянутых конусно-сопряженных поверхностей. Более того, такое техническое решение обеспечивает частичное залечивание электроэрозионной выработки за счет осаждения в ней части плазмы основного импульсного вакуумно-дугового разряда. Выполнение схемы питания с возможностью обеспечения второго вспомогательного разряда между расходуемым электродом и кольцевым экраном, охватывающим боковую...

Способ создания голографической рабочей матрицы для копирования голограмм

Загрузка...

Номер патента: 10069

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Точицкий Эдуард Иванович, Обухов Вячеслав Евгеньевич, Грицкевич Ростислав Николаевич

МПК: G03H 1/26

Метки: матрицы, голограмм, создания, рабочей, способ, голографической, копирования

Текст:

...адгезии алмазоподобных углеродных покрытий к поверхности рабочих матриц путем ионной очистки поверхности рабочих матриц в едином вакуумном технологическом цикле, а также определения диапазона толщины алмазоподобных покрытий, при котором и ресурс рабочих матриц увеличивается, и обеспечивается повторение голографического рельефа без искажений. Для увеличения ресурса голографической рабочей матрицы алмазоподобные углеродные покрытия,...

Технологический импульсный вакуумно-дуговой плазменный ускоритель

Загрузка...

Номер патента: 9264

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Точицкий Эдуард Иванович, Селифанов Сергей Олегович, Селифанов Олег Владимирович

МПК: C23C 14/24, H05H 1/48, H05H 1/24...

Метки: плазменный, импульсный, ускоритель, технологический, вакуумно-дуговой

Текст:

...Отсутствие научно-технических публикаций, касающихся вышеуказанных отличительных признаков технологического импульсного вакуумно-дугового плазменного ускорителя, подтверждает новизну предлагаемого изобретения. Вышеуказанная форма выполнения внутренней поверхности кольцевого изолятора при имеющем место отсутствии заметных следов ее повреждения в процессе достаточно продолжительной эксплуатации ускорителя позволяет эффективно использовать...

Механо-компьютерный комплекс для диагностики патологии стоп

Загрузка...

Номер патента: U 3374

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Сергеенко Сергей Егорович, Максименко Алексей Дмитриевич, Игнатовский Михаил Иванович, Болтрукевич Станислав Иванович, Лашковский Владимир Владимирович, Сычевский Леонид Збигневич, Свириденок Анатолий Иванович, Мармыш Андрей Геннадьевич, Аносов Виктор Сергеевич, Точицкий Эдуард Иванович, Татур Вадим Георгиевич, Кочергин Виктор Владимирович

МПК: A61F 5/00

Метки: механо-компьютерный, комплекс, диагностики, патологии, стоп

Текст:

...тем, что в заявляемый механо-компьютерный комплекс для диагностики патологии стоп состоит из системы тензопреобразователей в виде измерительных стелек для стандартной обуви для правой И левой стоп с распределенными по поверхности ячейками с тензодатчиками давления, расположенными в тензосенсорнь 1 х ячейках в тензопередаточной среде, блока обработки и хранения данных, состоящего из модуля преобразования и первичной обработки информации,...

Способ получения резистивного слоя

Загрузка...

Номер патента: 5013

Опубликовано: 30.03.2003

Авторы: Чекан Николай Михайлович, Точицкий Эдуард Иванович, Свирин Василий Тимофеевич

МПК: H01C 17/04

Метки: слоя, способ, резистивного, получения

Текст:

...и ТКС полупроводников от температуры небольшие изменения вприводят к значительному изменению этих параметров. В то же время механические,химические и иные характеристики пленки и скин-слоя практически совпадают граница пленки и скин-слоя обладает минимальной свободной энергией, обеспечивая тем самым стабильность функционирования такой системы в качестве высокоомного резистора и ус 2 5013 1 тойчивость ее к старению. При типичных...

Способ получения пленок металлооксидных высокотемпературных сверхпроводников

Загрузка...

Номер патента: 358

Опубликовано: 30.03.1995

Авторы: Рубан Геннадий Иосифович, Свиридович Олег Григорьевич, Точицкий Эдуард Иванович

МПК: C23C 14/28

Метки: металлооксидных, получения, сверхпроводников, высокотемпературных, способ, пленок

Текст:

...на атомах вподложке. я двухступенчатый напуск кислорода впленки необходимдля обеспечения 1) фа- .зового перехода тетрагональной структуры в орторомбическую и 2) насыщения этой фазы кислородом до оптимальной величины т с определеннымсодержанием и упорядочением -в кислородной подсистеме- ортором бической фазы. При давлении-г кислородаболее 133 па и менее 40 Па на первом этапепленки при этому наблюдается также нео днородность состава пленки...

Устройство для нанесения покрытий в вакууме

Загрузка...

Номер патента: 360

Опубликовано: 30.03.1995

Авторы: Обухов В. Е., Точицкий Эдуард Иванович, Рубан Геннадий Иосифович, Буравцев А. Т.

МПК: C23C 14/26

Метки: нанесения, покрытий, вакууме, устройство

Текст:

...каналов уменьшаются к периферии формирователя. Удлиненные стенки центральных КЗНЗЛОБ ОТКЛОНЯЮТ часть потока к периферии подложки. Повышение козффициента использования-материала покрытия обеспечивается за сиет 25 того, что каналы формирователя фонусируют поток пара в основном на подложку, а Не вне ее.КОГДЗ ОСИ КЗНЭПОВ направлены В зону подложкодержателя, расположеннуюзо на расстоянии ближе 0,63 от его цент ра, то перекрытие потоков пара...

Устройство для возбуждения разряда в импульсном генераторе электроэрозионной плазмы

Загрузка...

Номер патента: 311

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Селифанов Олег Владимирович, Перекатов Юрий Алексеевич, Точицкий Эдуард Иванович, Зеленковский Эдуард Михайлович

МПК: H05H 1/34, C23C 14/00

Метки: плазмы, возбуждения, генераторе, электроэрозионной, импульсном, устройство, разряда

Текст:

...с дер-50 жателем 8 изолятора 3 и прижим изолятора 3 к боковой поверхности катода 1 вблизи его рабочего торца 2 с образованием локального контакта 7 тонкопленочного токопровода 5 с ка- 55 тодом 1, при этом изолятор 3 расположен эксцентрично относительно катода 1, а ось подвижного кольца 14 подшипника 12 отклонена на угол ыот оси его неподвижного кольца 13,совпадающей с осью цилиндрического катода 1 генератора.Величина угла Ы. определяется...

Устройство для возбуждения разряда в импульсном генераторе электроэрозионной плазмы

Загрузка...

Номер патента: 314

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Перекатов Юрий Алексеевич, Зеленковский Эдуард Михайлович, Точицкий Эдуард Иванович, Селифанов Олег Владимирович

МПК: H05B 7/22, H05H 1/34

Метки: электроэрозионной, плазмы, разряда, устройство, возбуждения, генераторе, импульсном

Текст:

...приводУСТРОЙСТВО для возбуждения разряда вимпульсном генераторе электроэрозионной плазмы работает следующим образом. Приводят во вращение цилиндрическую втулку 10, кинематически связанную судержателем 8 изолятора 2 посредством пру жинящегоалемента 7. пружины Эироликов . д 11. Поскольку изолятор 2 установлен экс- 1центрично относительно катода 3 генерато ра.а следовательно. .и относительно оси цилиндрической втулки 10. расположенной ...

Вакуумное электроразрядное устройство

Загрузка...

Номер патента: 312

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Иванов Юрий Михайлович, Селифанов Олег Владимирович, Свирин В. Т., Точицкий Эдуард Иванович

МПК: H05B 7/18, H05H 1/24

Метки: устройство, вакуумное, электроразрядное

Текст:

...и плазмооб матора 17 присоединен к катоду 3 разующнм катодом 3 электроразрядной элентроразрядной системы 1, второй системы 1. Наличие в ней плазмы и к первой обкладке конденсатора 16 высоковольтного импульса напряжения И к первому выводу дросселя 15, вто 5 обеспечивает пробой указанного промерой вывод дросселя 15 подключен к шутка и появление катодного пятна отрицательному полюсу основного нсч на поверхности илазмообразующего каточника...