Телеш Евгений Владимирович

Способ получения тонких пленок ферромолибдата стронция

Загрузка...

Номер патента: 14627

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Каланда Николай Александрович, Гурский Леонид Ильич, Телеш Евгений Владимирович

МПК: H01F 10/10, C23C 14/46, C23C 14/08...

Метки: тонких, получения, способ, стронция, ферромолибдата, пленок

Текст:

...пленку 26- на подогреваемую монокристаллическую подложку 3 с ориентацией (001). Новым, по мнению авторов, является то, что для напыления пленок использовали двухлучевой ионный источник, формирующий два независимых ионных пучка, один из которых служит для распыления материала мишени, а второй - для предварительной ионной очистки подложки и мишени, причем напыление пленок ферромолибдата стронция осуществляют в средеионами аргона с одновременной...

Способ изготовления алмазного теплоотводящего основания для лазерных диодных структур

Загрузка...

Номер патента: 14404

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Беляева Ада Казимировна, Рябцев Геннадий Иванович, Паращук Валентин Владимирович, Телеш Евгений Владимирович, Баранов Валентин Владимирович

МПК: H01S 3/04, H01L 21/02, H01L 33/00...

Метки: основания, теплоотводящего, лазерных, изготовления, алмазного, диодных, способ, структур

Текст:

...и температуре. Кристаллы вырезались по плоской сетке куба усеченного октаэдра и имели размеры 1,51,50,3 мм. Полировкаосуществлялась с доведением шероховатости поверхности до значений 2,8-12,8 нм. Использовались и природные алмазные образцы, а также поликристалличе 3 14404 1 2011.06.30 ские синтетические алмазные основания, выращенные модифицированным -методом(, напыление путем химической газотранспортной реакции), с размерами 122,50,3 мм, а...

Способ получения висмут замещенного железо-иттриевого граната

Загрузка...

Номер патента: 13076

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Гурецкий Сергей Арсеньевич, Лугинец Александр Михайлович, Волчик Татьяна Владимировна, Колесова Ирина Михайловна, Кравцов Андрей Валерьевич, Телеш Евгений Владимирович, Гурский Леонид Ильич

МПК: C30B 9/00, C30B 29/10

Метки: замещенного, получения, способ, висмут, железо-иттриевого, граната

Текст:

...в течение 20-50 часов и охлаждением до температуры 920-980 С, затем на вырезанные по плоскости (111) монокристаллические пластины железо-иттриевого граната напыляют висмут и осуществляют диффузионный отжиг при температуре 650 С и давлении кислорода 105 Па в течение 50 часов. Сущность изобретения заключается в использовании экологически чистого, химически неагрессивного к платиновой технологической оснастке, термодинамически устойчивого к...

Способ получения монокристаллических пленок висмутзамещенного железо-иттриевого феррита граната

Загрузка...

Номер патента: 12462

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Волчик Татьяна Владимировна, Телеш Евгений Владимирович, Гесь Александр Петрович, Каланда Николай Александрович, Гурский Леонид Ильич, Климза Алексей Антонович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/10

Метки: железо-иттриевого, монокристаллических, способ, граната, висмутзамещенного, пленок, феррита, получения

Текст:

...неустойчивости раствора-расплава присутствие свинца в растворе расплаве приводит к снижению прозрачности монокристаллических пленок феррита граната в видимом диапазоне, а высокая химическая агрессивность свинецсодержащего раствора-расплава к технологической оснастке является причиной необходимости использования платиновых тиглей и соответственно потери дорогостоящего металла при их коррозии. Задачей настоящего изобретения является...

Пассивирующее покрытие для подложек из арсенида галлия

Загрузка...

Номер патента: 5561

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Юрченок Лариса Григорьевна, Малькевич Владимир Эдуардович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: H01L 21/316

Метки: покрытие, арсенида, пассивирующее, галлия, подложек

Текст:

...взаимной диффузии между элементами, входящими в состав слоев. Пассивирующее покрытие функционирует следующим образом. Нижний слой 1 из оксидированного арсенида галлия обеспечивает высокую стабильность и низкий уровень, а верхний слой 3 из оксидированного арсенида галлия - требуемое значение электрической прочности. Толщина верхнего слоя составляет 0,1-0,8 мкм, а нижнего - обычно 0,005-0,006 мкм. Для верхнего слоя она определяется...

Маска для ионного легирования арсенида галлия

Загрузка...

Номер патента: 5321

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Телеш Евгений Владимирович

МПК: H01L 21/266

Метки: арсенида, галлия, маска, легирования, ионного

Текст:

...сквозь него и внедряются в подложку из арсенида галлия 1. В процессе ионной имплантации к слою 2 подсоединяется заземление, что обеспечивает эффективное снятие положительного заряда и, соответственно, получение резких границ легированных областей. Кроме того, наличие защитного слоя 2 позволяет осуществлять внедрение ионов при температурах до 400-500 С, что будет способствовать формированию профиля залегания примеси, близкому к Гауссову, без...

Способ контроля пористости покрытий на подложках из полупроводников АшВv

Загрузка...

Номер патента: 3078

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Ширипов Владимир Яковлевич, Достанко Анатолий Павлович

МПК: G01N 15/08, H01L 21/66

Метки: полупроводников, способ, пористости, ашвv, контроля, покрытий, подложках

Текст:

...испарения полупроводника, из которого изготовлена подложка. Это необходимо для того, чтобы создать давление,достаточное для вспучивания пленки. Нагрев при температуре меньшей, чем температура свободного конгруэнтного испарения, не обеспечивает значительной скорости испарения компонентов полупроводника и уменьшает экспрессность способа. Превышение температуры плавления над температурой испарения более чем в 1,1 раза нецелесообразно, т.к....

МПМ-фотодиод

Загрузка...

Номер патента: 3033

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Улитенок Олег Анатольевич, Юрченок Лариса Григорьевна

МПК: H01L 31/10, H01L 31/08

Метки: мпм-фотодиод

Текст:

...диэлектрическое покрытие 3 встречно-штыревые электроды с количеством штырей от 3 до 3000 шт. 4 воздушный зазор 8 диэлектрическое покрытие 9 металлические выводы 5 падающее оптическое излучение 6 граница раздела диэлектрическое покрытие - поверхностный слой 7. МПМ-фотодиод работает следующим образом. Поступающее на МПМ-фотодиод оптическое излучение 6 проходит просветляющее диэлектрическое покрытие 3, 9 и поверхностно-легированный слой 2...